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47471684001.pdf
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
快速定量确定灰尘中的游离二氧化硅由...
工作场所的尘埃是损害工人健康的职业疾病危害的主要原因之一。灰尘中的游离二氧化硅是造成菌丝症的主要原因，因此分析灰尘中的自由二氧化硅的含量是职业健康监测的重要组成部分。游离二氧化硅是指未与金属或金属氧化物结合的自由状态。在工作场所中，粉状含量大于10％的粉末称为二氧化硅灰尘。游离二氧化硅可以分为三种类型；结晶，隐态和无定形二氧化硅根据其晶体结构。在中国，工作场所尘埃中自由二氧化硅的定量确定通常遵循GBZ/T192.4- 2007年标准方法“确定工作场所第4部分空气中灰尘中的自由二氧化硅含量”。 “该测量标准包括确定游离二氧化硅的几种方法，包括焦磷酸法，红外光谱和X射线衍射法。焦磷酸方法可以确定自由二氧化硅的总量，但是它是一种手动方法，因此遵守分析师的化学分析技能，既耗时又繁琐。根据GBZ/T192.4-2007标准，红外光谱仪可用于建立α-SIO2（晶体）标准曲线，然后替换由样品测量的吸光度值以获得其定量值。将红外方法与焦磷酸方法进行比较，该操作要简单得多，无需溶剂，分析是快速准确的，并且是更流行的方法。
应用研究与技术杂志
摘要：众所周知，在现代微电子和纳米电子学中，薄膜结构被广泛用作栅极电介质、钝化层、膜等。本文研究了单晶硅晶片上互连脉冲加热过程中氧化硅薄子层中形成裂纹的问题。本文旨在研究表面热冲击源对薄膜裂纹形成的影响，并详细研究了 SO2 薄膜中裂纹形成的各个方面。在硅衬底-氧化硅子层-铝膜 (Si-SiO 2 -Al) 多层结构上对所做的估计进行了实验验证。作为衬底，使用了磷掺杂的硅单晶晶片，取向为 (111) 方向，电阻率在 = 0.1 Ω . сm 范围内。作者研究了表面金属化层加热的硅晶片（Al-Si 系统）和氧化硅晶片（Al-SiO2 系统）的温度场，既有点热源的情况，也有长矩形金属化路径的情况（假设轨道长度明显超过其宽度）。计算结果表明，金属化路径（宽度 75 μm）横向的温度分布是不均匀的。结果还表明，与 SiO2 膜相比，硅中出现的机械应力水平不足以在热冲击源附近形成裂纹。这是因为硅的抗拉强度高于氧化物。
气隙互连的机械稳定性
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例；在填充底漆之前，最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的，模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上，多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化（ESL）和低k介电或气隙之间，在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm，长2 µm，在接线方向上延伸，如图4所示。在完整的低K集成方案中，由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配，在M3间的裂纹3中，ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果，用于跨层次的全气隙结构，在该结构中，空气间隙取代了M3的所有金属间介电（IMD）。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是
28nm 技术的 3D TSV 中介层和细间距焊料微凸块的质量和可靠性
随着互连密度不断缩小，以及制造更细间距基板的成本不断上升，使用传统有机堆积基板的倒装芯片封装在细间距布线方面面临着重大挑战。为了满足这些需求，TSV 中介层应运而生，成为一种良好的解决方案 [1-3]。TSV 中介层提供高布线密度互连，最大限度地减少 Cu/低 k 芯片与铜填充 TSV 中介层之间的热膨胀系数 (CTE) 失配，并由于芯片到基板的互连更短而提高电气性能。TSV 中介层晶圆是通过在硅晶圆上蚀刻通孔并用金属填充通孔来制造的。业界常用的两种 TSV 方法涉及“先通孔/中通孔”和“后通孔”工艺流程。本文中的工作使用“先通孔/中通孔”流程，因为它提供了互连密度的最大优势。通常，使用深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺蚀刻 TSV 通孔以形成高纵横比通孔。 TSV 的直径通常为 10-20 微米，深度为 50-100 微米。TSV 的壁衬有 SiO2 电介质。然后，形成扩散屏障和铜种子层。通过电化学沉积用铜填充通孔。使用化学机械抛光/平坦化 (CMP) 去除铜覆盖层。使用标准后端制造工艺在中介层顶部形成 M1 – Mx 的互连线。中介层顶部涂有钝化层并形成微凸块焊盘。
基于硅后硅技术的半导体物理
摘要摩尔的定律终于接近了最终的物理限制，因为最先进的微处理器现在的晶体管在频道中仅宽14纳米，并且微电子行业已经进入了后期的时代。将需要真正的新颖物理学来通过开发新材料，原理，结构，设备和新型体系结构来扩展它。鉴于硅的成功主要从其高质量的本地氧化物SIO2和现有的广大专业知识和基础设施中受益，因此硅的完全替代很快就不太可能在很快发生。在这次演讲中，我将介绍我们最近对基于硅后的技术的半导体物理学的研究（3）GE孔自旋量子材料的理论设计，以加快量子操作的速度超过GHz。参考文献[1] Ruyue Cao，Qiao-lin Yang，Hui-xiong Deng*，Su-huai Wei*，John Robertson和Jun-Wei Luo*，通过降低原子间键合强度，降低光学声子，自然634，1080（2024）。[2] G. Wang，Z.G。Song*，Jun-Wei Luo*和S.S. Li，物理学。修订版b 105，165308（2022）。[3] J.X.Xiong，S。Guan *，Jun-Wei Luo *和S.S. Li，物理。修订版b 103，085309（2021）。[4] Jun-Wei Luo *，S.S。Li和A. Zunger *，物理。修订版Lett。Lett。119，126401（2017）。 查询：3943 6303119，126401（2017）。查询：3943 6303
CA-IS308x 5kVRMS 隔离半/全双工 RS-485/...
CA-IS308x 系列设备是电隔离的 RS-485/RS-422 收发器，具有出色的隔离和 RS485 性能，可满足工业应用的需求。该系列的所有设备都具有逻辑输入和输出缓冲器，它们由提供电隔离的二氧化硅 (SiO2) 绝缘屏障隔开，具有高达 5000V RMS (60s) 的电隔离和 ±150kV/μs 典型 CMTI。隔离通过断开接地环路来改善通信，并在端口之间的地电位差异较大时降低噪声。CA-IS308x 系列设备支持总线上的多节点通信，最大数据速率高达 20Mbps，允许在公共总线上最多连接 256 个收发器（负载）。保持多点操作并提高最大数据速率可提供更强大的系统设计，以实现可靠的通信。对于 CA-IS308x 系列设备，CA-IS3080 和 CA-IS3086 全双工收发器设计用于同时在多点总线传输线上进行双向数据通信。CA-IS3082 和 CS-IS3088 提供半双工收发器，驱动器和接收器使能引脚允许任何节点在任何给定时刻配置为发送或接收模式，从而降低电缆要求。CA-IS308x 系列设备采用宽体 SOIC16 封装，这是行业标准的隔离 RS-485/RS-422 封装，可在 -40°C 至 +125°C 的温度范围内工作。
烃类环境对Ge-As-Se-S硫系玻璃电学特性的影响
对现有科学文献的比较分析表明，基于陶瓷（Al 2 O 3 、TiO 2 、SiO 2 ）及其主轴连接制成的传感器既有优点，也有缺点。采用特殊工艺方法制造的SiO2多孔材料成本高，对SO 2 、CO 2 、CO、NH 3 、CH 4 等有毒气体的灵敏度低，等效逆反应时间<10秒[1]。研究表明，由薄非晶态片状硫属玻璃（As 2 (Se 0.9 Te 0.1 ) 3 、As 2 Se 3 ）制成的传感器的灵敏度取决于它们的成分，其惰性极低。主要原因是作为电子过程的体电导率变化发生得相当快[2]。另一方面，硫属化物玻璃传感器（As 4 S 3 和 As-Ge-Te）体积小、成本低、能耗低，灵敏度高 [3]。基于硫属化物 As 4 S 3 和 As-Ge-Te 玻璃薄层的电阻式传感器对丙胺 (C 3 H 7 NH 2 ) 和二氧化氮 (NO 2 ) 介质高度敏感，可成功用于监测这些介质，因为它们具有对湿度的动态响应、高恢复性和可逆性的特点 [3]。硫化物硫系玻璃（例如As-S）的波长主要在0.6~7微米范围内，而含锗（Ge）、硒（Se）、硫（S）和碲（Te）的硫系玻璃（Ge-S、Ge-Se、Ge-As-S、Ge-As-Se、Ge-As-Se）的波长更宽，光学透明度高（2~12微米），可以在相对较宽的温度范围内（200~300℃）作为更有效的光纤材料应用[4.5]。
氧化铝矩阵中GE量子点的自组装
M. Buljan,1 S. R. C. Pinto,2 A. G. Rolo,2 J. Martín-Sánchez,2 M. J. M. Gomes,2 J. Grenzer,3 A. Mücklich,3 S. Bernstorff,4 and V. Holý5 1 Ruđer Bošković Institute, Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, Croatia 2 Centre of Physics and Department of Minho大学物理学，校园De Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙3 Forschungszentrum Dresden-Rossendorf，E.V.，P.O。Box 510119, 01314 Dresden, Germany 4 Sincrotrone Trieste, SS 14 km163, 5, 34012 Basovizza, Italy 5 Charles University in Prague, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague, Czech Republic In this work we report on a self-assembled growth of a Ge quantum dot lattice in a single 600- nm-thick GE+Al2O3层在登高的底物温度下的GE+Al2O3混合物的磁控溅射沉积中。自组装导致在整个沉积体积内形成良好的三维三维四维四维四方量子点晶格。形成的量子点的大小小于4.0 nm，尺寸分布狭窄，堆积密度较大。可以通过更改沉积参数来调整量子点晶格的参数。通过扩散介导的成核和表面形态效应来解释量子点的自我顺序，并通过动力学蒙特卡洛模型模拟。I.最近的研究表明，与通常使用的融合二氧化硅相比，AL2O3矩阵具有许多优势，因为氧化铝具有更高的介电常数，出色的热和机械性能，并且更适合作为内存设备中的大门的建筑材料。17因此，在Alumina Matrix中生产了适用于新材料的Alumina Matrix中固定有序的GE QD的生产。引言半导体量子点（QD）在过去几年中已被广泛研究，因为它们具有有趣的物理特性和巨大的技术应用潜力。1-6正常订购的QD具有特殊的兴趣，因为空间规律性意味着QDS尺寸的狭窄范围，对于QDS的范围狭窄，对于更为明显的量子量化和集合的范围，其势能构成的范围非常重要，其势能效应，并因此效应，并在QD上效应，并且QD的效果效果很大。 Sio2或Al2O3（例如Sio2或Al2O3）具有许多有趣的属性，例如非常强的量子限制，电发光和光致发光，非线性折射率，长期保持电荷等可能性等等。10-16，因此它们在基于NAnotechnology中应用，尤其是基于QD的模拟和SENSORS。最近报道了二氧化硅基质中GE QD的自我排序增长，但7,8,18,19没有针对氧化铝进行类似的研究。值得注意的另一个重要特征是，仅通过晶体和无定形系统中的多层沉积才能实现QD晶格的自定序生长6,7，而在连续较厚的层中尚未发现类似的观察结果。在这里，我们介绍了在连续沉积GE+Al2O3混合物期间，氧化铝基质中GE QD的自组装生长的研究，产生了近似厚度为600 nm的单层。结果是形成了QD的大型且有序的三维3D QD晶格，其以身体为中心的四方BCT排列。调整沉积参数，可以操纵QD大小和QD晶格的参数。形成的QD的尺寸是均匀的，并且它们的空间密度可能非常大，因为它们的尺寸很小和距离。观察到的自我顺序的驱动力是通过表面形态学效应来解释的，即通过扩散介导的成核和表面最小值中成核的概率的结合。正如我们稍后显示的，氧化铝中GE QD的自我排序的特性不同于二氧化硅的自我序列。
在...中创建 pn 结和钝化层
西里西亚理工大学，机械工程学院，工程与生物医学材料研究所，材料加工技术和材料科学计算机技术系电子邮件：marzena.prokopiuk@polsl.pl，leszek.dobrzanski@polsl.pl，aleksandra.drygala@polsl.pl，anna.tomiczek@polsl.pl 摘要：硅是并且将继续是光伏电池生产中使用的基本元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长动力堪比微电子产业初期的发展。硅光伏电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂气氛中对p型硅进行退火而获得的。为了减少表面复合造成的损失，需要进行钝化处理，可以通过氧化Si表面或沉积SiO 2 层来实现。摘要：硅现在是、现在仍然是光伏电池生产中必不可少的元素。硅电池占光伏产业80%以上，光伏产业是近年来增长最快的产业之一，其增长力度堪比微电子产业繁荣初期的发展。硅太阳能电池的基本元件是pn结，它是通过在掺杂的气氛中加热p型硅获得的。为了减少表面复合造成的损失，通过氧化Si表面或沉积SiO2层来钝化硅表面。关键词：硅光伏电池，pn 结，钝化层 1.引言 臭氧空洞、温室效应和酸雨是现代世界最严重的生态问题，威胁着健康和生命。其原因包括：大量燃烧煤和石油等化石燃料。解决这些问题的关键是可再生能源技术的发展。人们对利用太阳辐射能发电非常感兴趣。由于运行成本低且操作简单，光伏装置非常适合为住宅和商业设施提供能源。