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2019 年模拟创新研讨会 (SIW)
NTSA/NDIA 致力于提供一个没有身体、心理和言语骚扰的专业环境。NTSA/NDIA 不会容忍任何形式的骚扰，包括但不限于基于种族、宗教、残疾、外貌、性别或性取向的骚扰。此政策适用于 NTSA/NDIA 会议、会议和活动的所有参与者和出席者。骚扰包括冒犯性手势和口头评论、故意恐吓、跟踪、尾随、不当摄影和录音、持续干扰谈话或其他活动、不当身体接触和不受欢迎的关注。被要求停止骚扰行为的参与者应立即遵守，否则将被取消参加 NTSA/NDIA 活动的资格。
媒体计划者
2025年2月10日至13日，佛罗里达州奥兰多佛罗里达州佛罗里达酒店与会议中心呼吁论文和演示文稿模拟互操作性标准组织（SISO）邀请您参加2023年2月10日至13日在2025年2月10日至13日在佛罗里达州佛罗里达州酒店和佛罗里达州佛罗里达州佛罗里达州佛罗里达州佛罗里达州佛罗里达州佛罗里达州的仿真创新工作室（SIW）。我们诚挚地邀请您提交以建模和仿真为中心的摘要（M＆S），M＆S标准，或影响或增强M＆S开发和使用的支持概念或能力。您可以提交摘要的“仅介绍”（无需纸）或“演示和纸张”。随附纸张的演示将被偏爱。2025 SIW的研讨会格式，SISO将遵循每篇论文或演示文稿的30分钟格式（用于演示和讨论）。siso邀请了需要提出的问题或一组问题的论文和演示；澄清现有问题；提出解决问题的解决方案或能力；或讨论正在进行的（或结束的）研究工作或项目突出方法/方法，结果/成果和经验教训。siso鼓励主持人和与会者在互动演示会议上讨论和辩论 - 鼓励创新，协作和新模拟标准的发展。
2023 年仿真创新研讨会 (SIW) 摘要
2023 年模拟创新研讨会 (SIW) 摘要（对于多位作者的演示/论文，演示者的姓名以粗体显示。）2023-SIW-01 DIS V8 中的先进雷达和干扰 Lance Call（CAE USA/AFRL）2 月 14 日星期二 1530-1630 DIS 产品开发组 (PDG) 的一部分一直在审查与先进发射和干扰有关的作战空军分布式任务作战 (CAF DMO) 和战场模拟公司 (BSI) 消息。另一个小组一直在改进干扰技术枚举层次结构和方法。这些小组根据这些历史方法创建了新的消息和枚举，以创建拟议的 DIS V8 扩展记录，以模拟先进的有源电子扫描阵列 (AESA)/无源电子扫描阵列 (PESA) 和机械扫描雷达以及干扰器。本文将回顾一些提议的 DIS V8 扩展记录和团队开发的方法。其中一些消息旨在成为新 SISO-REF-030 文档的一部分，以便比 IEEE Std 1278.1TM-2012 标准 (DIS V7) 更快地更改和更新 DIS 协议。
2018 年冬季模拟创新研讨会 (SIW)
国家训练与模拟协会 (NTSA) 是美国首屈一指的组织，代表着全球建模与模拟社区的利益。因此，它是政府、学术界、行业、研究组织和军队的持续联络点，用于交换信息、共享知识、协调商业利益，并总体上促进行业的增长和整体进步。NTSA 通过全年举办的一系列会议和展览来实现这些目标。NTSA 举办了跨部门/行业培训、模拟和教育会议 (I/ITSEC)，这是世界上最大的专注于建模和模拟的会议和展览。虽然 NTSA 主要服务于北美实践社区，但其许多成员和参与者都不是美国人。NTSA 是国际训练与模拟联盟 (ITSA) 的重要成员，这是一个全球性的模拟协会组织，旨在促进全球培训和模拟的知识和信息。
基于直列拓扑的多频带 SIW 带通滤波器的合成与实现
摘要 — 本文提出了一种用于多频带带通滤波器 (MBPF) 的相似变换方法，将星型拓扑转换为直列拓扑。介绍了一种通用理论技术，用耦合矩阵的相似变换旋转代替传统的通过滤波器综合逐步提取 LC 电路，解决了参数提取过程中的舍入误差，提高了理论综合结果的准确性。直列拓扑的应用大大提高了滤波器设计的灵活性，降低了电路复杂性，简化了高阶 MBPF 的制造。基于基片集成波导 (SIW) 技术，设计和实现了一系列示例，包括三频、四频，特别是首次报道的五频三阶切比雪夫 SIW 带通滤波器。模拟响应与测量结果之间具有良好的一致性，验证了设计的滤波器模型和提出的理论方法。
2025模拟创新研讨会（SIW）
提名委员会是一个新成立的委员会，由CDCA BOD于2023年宪章，并由第五欧元领导。它旨在作为任何有兴趣在董事会上担任职位的CDCA成员的信息资源，以更好地了解资格要求，角色，职责，期望和时间承诺。
紧凑型宽阻带滤波器设计的 SIW 腔模式分析和控制技术
摘要 — 本文介绍了一种基于扰动双模基片集成波导 (SIW) 腔的紧凑型新型宽阻带带通滤波器 (BPF)。在 SIW 腔体中心引入扰动金属通孔，通过将 TE 101 模式的谐振频率移向 TE 201 模式来实现双模 SIW 腔体。此外，通过将外部端口设置为高阶杂散模式的电场零点位置，可以实现宽阻带 BPF。通过抑制至少包含七种模式的不需要的模式，可以在单个 SIW 腔体中获得最宽的阻带，最宽的阻带可达 2 f 0。为了验证所提出的宽阻带滤波器，设计、制造并测量了两个原型，阻带为 2 f 0，抑制水平分别优于 20dB 和 30dB。
使用扰动结构
摘要 - 在此简介中，根据所提出的三模式SIW模式的siW共振腔，在此简介中，具有高选择性和可控制的中心频率的两个紧凑型三波段底物（SIW）带通滤波器（BPFS）具有高选择性和可控制的中心频率。第一个分析了三模式SIW腔的谐振特性，并且某些关键参数对谐振频率的影响相对较大，以进一步阐明vias扰动的Siw腔结构的可触发控制。使用单层底物设计了提议的三模式SIW腔的超级性，这是一个三层SIW BPF的原型，以11.18、12.61和13.33GHz为中心，是使用单层底物设计的。为了进一步降低占用尺寸，可控制中心频率为11.93、13.21和14.12GHz的三频SIW BPF是基于电气和磁耦合结构的，使用两个层基板构建。拟议的三波段BPF均表现出六个传输零（TZS），从而产生了良好的带外拒绝。测得的结果与模拟的结果非常吻合。
用于 110 GHz 以上高功率单片集成电路的 SiC 基板集成波导
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW)，以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm，比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗，这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平，并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
科学技术印度尼西亚
使用keggin型多氧胺[𝛼 -siW 12 o 40] 4-进行了插入，对Cu/Cr分层双氢氧化物（LDHS）进行了抽象修改，以形成CUCR- [𝛼 -SIW -SIW 12 O 40]。通过XRD，FTIR和表面积分析对材料进行了分析。此外，材料被用作阳离子染料的选择性吸附剂，例如孔雀石绿，若丹明-B和亚甲基蓝。Mala-Chite绿色比从水溶液中的其他绿色更具选择性。孔雀石绿的吸附表明CUCR- [𝛼 -SIW 12 O 40]的吸附能力高于原始LDHS。吸附过程遵循伪二阶动力学模型和langmuir等温线吸附。cucr- [𝛼-siW 12 o 40]的Q最大值达到55.322 mg/g，在100分钟后吸附时间后323 K。热力学参数，例如δg，δH和δs，证实吸附过程是吸热，自发的，并且在高温下更有利。与原始LDHS相比，插入的材料对可重复性吸附剂的结构稳定性更高。