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2024 年颁奖典礼
IEEE AP-S Sergei A. Schelkonuff 论文奖 Said Mikki，“任意辐射表面的香农信息容量：一种电磁方法”，IEEE 天线与传播学报，第 71 卷，第 3 期，第 2556-2570 页，2023 年 3 月 IEEE AP-S Harold A. Wheeler 应用奖论文奖 Thomas Jaschke 和 Arne F. Jacob，“用于 K/Ka 波段 Rx-/Tx 集成的双极化 SIW 透镜天线阵列 ... 71，第 3 期，第 2443-2453 页，2023 年 3 月 IEEE AP-S RWP King 奖 Alexander Paulus 和 Thomas F. Eibert，“使用未知探测天线的完全探测校正的近场远场变换”，IEEE 天线和传播学报，第 71 卷，第 7 期，第 5967-5980 页，2023 年 7 月 IEEE AP-S Piergiorgio LE Uslenghi 奖论文奖 Modeste Bodehou、Gilles Monnoyer、Maxime Drouguet、Khaldoun Al Khalifeh、Luc Vandendorpe 和 Christophe Craeye，“用于 FMCW 雷达的超表面天线”，IEEE 天线和无线传播快报 ... 22，第 5 期，第 1040-1044 页，2023 年 5 月 IEEE AP-S Edward E. Altshuler 奖论文奖 Grigorii Ptitcyn、Mohammad Sajjad Mirmoosa、Amirhosein Sotoodehfar 和 Sergei A. Tretyakov，“时变电磁系统和电路基础教程：时间调制的历史概述和基本概念”，IEEE 天线与传播杂志，第 65 卷，第 4 期，第 10-20 页，2023 年 8 月
AlN/GaN/AlN 高电子器件中 94 GHz 时为 2.2 W/mm
通过AlGaN/GaN/InGaN结构实现8 W mm 1，通过N极性GaN HEMT实现94 GHz时8 W mm 1 [3]。这些结果对于商业（5G及以上、汽车雷达）和国防（SATCOM、雷达）应用越来越重要，所有这些应用都在向毫米波频率范围（30 – 300 GHz）推进。为了进一步提高GaN HEMT的优势，我们的研究小组在氮化铝（AlN）缓冲层上引入了HEMT。[4 – 6]通过用AlN替换AlGaN顶部势垒并用AlN替换典型的GaN缓冲层，AlN/GaN/AlN异质结构具有更高的热导率、改善了薄GaN通道（<30nm）的载流子限制，并且与其他传统顶部势垒材料（如AlGaN或InAlN）相比，顶部势垒具有出色的垂直可扩展性。其他研究小组也展示了基于AlN 的器件的有希望的结果，包括基于AlN 衬底的HEMT，在X 波段实现15 W mm 1 [7] ，AlN 缓冲区击穿功率为 5 MV cm 1 [8] 。已经展示了使用AlN 顶部势垒的HEMT，包括GaN HEMT 记录f T = f max 为454/444 GHz，[9 – 11] PAE 为27% ，相关输出功率为1.3 W的W 波段功率放大器，[12] 噪声系数小于2的K a 波段低噪声放大器，[13] 以及40 GHz 时为4.5 W mm 1 [14] 。所有这些器件都基于AlN/GaN/AlGaN 异质结构。 AlN/GaN HEMT 已显示出 Ga 极性 HEMT 在 W 波段的创纪录输出功率，在 94 GHz 时 P out ¼ 4 W mm 1。[15] 除了射频 (RF) HEMT 之外，氮化铝还具有单片集成大电流 GaN/AlN p 型场效应晶体管 (pFET) [16 – 18] 和晶体 AlN 体声波滤波器 [19] 的潜力，这两者都是通过 AlN 缓冲层实现的。SiC 衬底以衬底集成波导 (SIW) 和天线的形式实现了进一步的集成。[20] 这种集成生态系统被称为 AlN 平台，使高功率氮化物互补金属氧化物半导体 (CMOS)、RF 滤波器、单片微波集成电路 (MMIC) 以及 RF 波导和天线共存于一个单片芯片上。[21]
掺杂埃洛石纳米管和含氧多金属氧酸盐的多孔聚合物膜
在此情况下，我们最近建议使用四钌取代的多金属氧酸盐 (POM) Na 10 [Ru IV 4 ( β -OH) 2 ( µ -O) 4 (H 2 O) 4 ( γ -SiW 10 O 36 ) 2 ] (Ru 4 POM)，它作为聚合物膜的防污剂表现出独特的行为。[3,4] POM 是 Mo、W 和 V 等金属的最高氧化态下的过渡金属氧化物。它们具有广泛的结构拓扑和多功能的化学和物理特性，特别是在催化应用方面[5]，并且可以集成到广泛的功能支架 [6] 和薄膜中。[7] Ru 4 POM 具有突出的氧活性，这可以在水氧化过程中观察到[8]，以及 H 2 O 2 催化歧化为 H 2 O 和 O 2 的过程中。 [9] 后一种过程很容易实现，不需要使用外部光/电触发器，也不需要调节 pH 值或温度，因此，只要将 Ru 4 POM 集成到小型设备或膜中，就可以很容易地利用它产生氧气泡。[10] 这些代表了一种有用的机械剂，有助于去除不可逆的污垢颗粒，也就是那些对传统膜清洗有抵抗力的颗粒，这些颗粒会堵塞膜孔并使其重复使用更加困难。在将 POM 嵌入聚合物基质的可能策略中[11]，我们之前已经利用了所谓的表面活性剂包覆 POM（SEP）[12]，通过反阳离子交换，旨在用长的两亲性四烷基铵链取代钠阳离子。具体来说，i）二甲基十八烷基铵 (DODA) 用于促进 Ru4 POM 在 CHCl3 中的溶解度，并允许与聚醚醚酮 (PEEK-WC) 形成合适的聚合物共混物；[3] ii）可聚合阳离子丙烯酰氧十一烷基三乙基铵 (AUTEA) 用作 POM 反离子和可聚合双连续微乳液 (PBM) 的组分，后者用作多孔聚醚砜 (PES) 膜表面的功能涂层。 [4] 然而，尽管具有良好的自清洁性能，尤其是对于后一种系统，但用于制备这些 SEP 的阳离子仍然很昂贵。在此，我们探索了使用埃洛石纳米管 (HNT) 作为支架，从而为该领域提供不同的视角
程序
基于矢量调制器的低 RMS 相位误差移相器，适用于 KA 波段应用 Melih Gokdemir；Alessandro Fonte；Giandomenico Amendola；Emilio Arnieri 和 Luigi Boccia 用于物联网终端的 2.4GHz 电小天线 Mahmoud Abdallah 和 Al P. Freundorfer；Yahia Antar 圆极化低成本物联网电小天线 Mahmoud Abdallah 和 Al P. Freundorfera Antar CMOS 小数分频全数字锁相环 (ADPLL) 的设计和仿真 Tangus Koech 用于低于 6 GHz 5G 物联网应用的紧凑型宽带低剖面单极天线 Said Douhi 使用异构滤波器为 5G 和 WiMAX 创新设计紧凑型双工器 Soufiane Achrao；Dahbi El Khamlichi；Alia Zakriti；Moustapha El Bakkali； Souhaila Ben Haddi 使用 RFID 技术的室内定位方法比较研究 Badr Jouhar；Abdelwahed Tribak；Jaouad Terhzaz；Tizyi Hafid 微波辐射处理对野生胭脂虫 Dactylopius Opuntiae 死亡率和生育力的影响 Fatima Zahrae EL Arroud、Karim EL fakhouri、Youness Zaarour、Chaimae Ramdani、Mustapha El Bouhssini；Hafid Griguer 基于耦合线滤波器的宽带低噪声放大器 (LNA) 的设计，带有陷波滤波器以抑制不需要的频率 Faycal El Hardouzi；Mohammed Lahsaini 印刷嵌入式天线的设计、制造和验证 Julen Caballero Anton；Jose M Gonzalez-Perez；Izaskun Bustero；Marta Cabedo-Fabrés；Leire Bilbao； Jon Maudes 纳米卫星可靠天线部署系统的研究与设计 Sara Essoumati；Oulad said Ahled；Gharnati Fatima 用于 C、X 和 Ku 波段的极化捷变频率选择表面 (FSS) Shahlan Ahmad, Sr.；Adnan Nadeem；Nosherwan Shoaib 使用基于 k 折交叉验证的 ANN 设计和优化用于 28 GHz 5G mmWave 应用的十字形槽 UWB 微型贴片天线 Lahcen Sellak；Samira Chabaa；Saida Ibnyaich、Asma Khabba；Abdelouahab Zeroual；Atmane Baddou 使用基片集成波导 (SIW) 和 WCIP 方法设计和建模铁氧体循环器 Noemen Arroussi Ammar 13:30-15:00 – TLAS III 室
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物种和植物名称（附件）基本组成和质量因素质量标准（附件中列出）真实性，添加剂，污染物，卫生，标签，分析和采样方法