学校护士、诊所办公室工作人员和学校秘书可以作为学校用户申请访问 CHIRP。所有未经许可的人员都需要护士在其用户表上签名或学校管理员签名才能获得完全访问权限,这样他们才能将记录输入注册表。这确保已对系统进行了适当的培训。可以向非临床学校代表(即诊所办公室工作人员、学校秘书、管理员等)授予只读访问权限,他们只会使用 CHIRP 来验证学生的免疫记录是否符合印第安纳州学校所需的免疫接种。CHIRP 学校个人用户协议表用于获取 CHIRP 中 SNM 的访问权限。此填妥的表格可以通过电子邮件发送至 CHIRP@health.in.gov。
摘要 - 静态随机记忆(SRAMS)是芯片行业不可或缺的一部分,由于其高性能和与CMOS技术的兼容性,占据了可观的记忆市场。传统的SRAM没有能力在电源后保留数据,从而阻止了它们在非易失性应用中的使用。本文提出了一种基于电阻RAM(RRAM)技术的新型非易失性SRAM(NVSRAM)设备。在单元格和内存阵列级别提出了SRAM与所提出的NVSRAM性能之间的比较。比较涵盖了几个指标,例如能源消耗,面积和静态噪声余量(SNM)。此外,这项工作提出了对RRAM变异性以及CMOS子系统变异性对NVSRAM性能的影响的深入分析。提出的结构表明,尽管有RRAM的可变性,但在稳定性和可靠性方面表现出了强大的NVSRAM性能。
1.0序言这些特殊规定是该特殊规定文件的任何分包合同的要求。这些特殊规定全部适用于任何分包合同,除非需要访问或拥有机密信息或事项或特殊核材料(SNM),除非分包合同中明确删除或修改,否则此外的一般规定和本文中包含的任何其他特殊条款。如果这些特殊规定与一般规定之间发生冲突,这些特殊规定应优先考虑。2.0 Supbontracts除非买方另有授权,否则分包商应将这些特殊规定插入分包合同下的任何下层分包合同中,而下层分包合同需要访问或拥有机密信息或物质或特殊核材料(SNM)。3.0外国所有权,控制或影响力(FOCI)所有要约人/分包商必须提交签名的标准表格328,其报价/提案与外国利益有关的证书。还必须为每个层的母体组织提交SF 328(即最终的父母和所有所有权级别)。仅SF328本身,而不是《尊贵条款》第952.204-73条所述的附件,即设施许可,需要直接提交给买方。这些附件将在下一段中讨论的https://foci.anl.gov上的表格进行电子方式提交。可以通过Internet浏览器https://foci.anl.gov访问FOCI网站。在获得分包合同裁决之前,按照买方的要求,要约人/子构造者应通过DOE设置的电子网站向能源部(DOE)提交所需的焦点信息。如果在提交日期至https://foci.anl.gov输入请求信息的日期之间对先前提交的SF 328进行了任何更改,则需要将新的签名SF 328提交给买方。在提交已签署的SF 328和DOE确定焦点之前,将不得授予分包合同。4.0适用的亲爱的子句,来自能源习得的法规(亲爱的)的以下条款适用于本分包合同,并根据特定的亲爱的条款的条款将其流向低层分包商。仅适用于这些条款:在必要的范围内,以下条款的上下文适用于本分包合同,“纠纷”一词应为“索赔”; “承包商”是指“分包商”; “政府”,“承包官”
LTP 1 10210PH102 材料物理学 3 0 0 3 2 10210CH102 生物化学 3 0 0 3 3 10210CS101 使用 C 语言解决问题 3 0 0 3 4 10210ME101 设计思维 2 0 0 2 5 10210MA201 矩阵与微积分 2 0 2 3 6 10210EN201 专业交流 - I 1 0 2 2 7 10210ME201 工程制图 1 0 4 3 8 10210CH301 工程化学实验室 0 0 2 1 9 10210EE301 工程产品实验室 0 0 2 1 10 10210CS301 使用 C 语言解决问题实验室 0 0 2 1 11 10210PH103 应用物理学 2 0 0 2 12 10210BM101 工程师生物学 2 0 0 2 13 10210MA203 矢量微积分与复变量 2 0 2 3 14 10210EN202 专业交流 - II 1 0 2 2 15 10210EE202 基础电气与仪器工程 2 0 2 3 16 10210EE204 工程概论 1 0 4 3 17 10210CS201 Python 编程 1 0 2 2 18 10210PH302 应用物理实验室 0 0 2 1 19 10210CS303 IT 研讨会 0 0 2 1 20 10210MA104 傅里叶级数与变换技术 3 0 0 3 21 10210CH103 环境研究 2 0 0 2 22 10210ME102 人类普世价值 3 0 0 3 23 10210ME103 创新与创业 2 0 0 2 24 10210ME104 项目管理与金融 2 0 0 2 25 10210MA107 统计学与数值方法 (SNM) 3 0 0 3 总计 56
1 意大利瑞士大学 (USI) 肿瘤研究所 (IOR),瑞士贝林佐纳 6500; Sarah.mapelli@ior.usi.ch (SNM); Domenico.albino@ior.usi.ch (来自); Dheeraj.shinde@ior.usi.ch (DS) 2 瑞士生物信息学研究所 (SIB),1015 洛桑,瑞士 3 癌症基因组学实验室,Fondazione Edo ed Elvo Tempia Valenta,13900 比耶拉,意大利; maurizia.mellogrand@fondazionetempia.org(MM-G.); giovanna.chiorino@fondazionetempia.org (GC)4 罗马第二大学生物医学与预防系,意大利罗马 00133; manuel.scimeca@torvergata.it (MS); Rita.bonfiglio@gmail.com(RB); Elena.bonanno@torvergata.it (EB) 5 分子肿瘤学部,CIEMAT,28040 马德里,西班牙 6 生物医学研究所,10 月 12 日医院,28040 马德里,西班牙 7 癌症生物医学研究中心 (CIBERONC),28040 马德里,西班牙 8 洛桑大学生物与医学学院肿瘤学系,1011 洛桑,瑞士 * 通讯地址:ramon.garcia@ciemat.es (RG-E.); carlo.catapano@ior.usi.ch(CVC); pina.carbone@ior.usi.ch(GMC);电话:+41-918210074(GMC);传真:+ 41-918200397 (GMC)
(3)在DOE/NNSA托管中涉及核武器,特殊核材料或机密组件的现场RN事件或事故中,高级DOE/NNSA代表在现场对材料的监护权可能会宣布国家安全区域(NSA)(NSA),以保护分类信息(以保护分类的信息(包括受限的受限数据数据),设备,设备,设备,设备,和材料。NSA是在美国境内的非联邦土地上建立的区域,目的是为了保护机密的国防信息或保护DOE/NNSA设备和/或材料。在既定的NSA或国防区(NDA)中,如果由国防部(DOD)的要素确定,SRO可能会采取额外的措施,以在适用的分类级别建立临时有限区域(TLA),以保护分类的信息(包括限制性数据)和巢式设备。建立临时保护区(TPA)和临时材料通道(TMAA),与领先的联邦部门或代理机构一起,也可能适合保护某些特殊核物质(SNM)或美国核武器。
AFRL 空军研究实验室 AMM 制造模型 B 叶片 BTT 叶尖正时 CAD 计算机辅助设计 CARL 压缩机航空研究实验室 CFD 计算流体动力学 CMM 坐标测量机 CMS 部件模态综合 DOD 家用物体损坏 DOF 自由度 EO 发动机阶数 FEA 有限元分析 FEM 有限元模型 FMM 基本失谐模型 FOD 外来物体损坏 FRA 受迫响应分析 GMM 几何失谐模型 HCF 高周疲劳 HPC 高压压缩机 IBR 整体叶片转子 ICP 迭代最近点 LCF 低周疲劳 MMDA 改进模态域方法 MORPH 智能网格变形方法 PCA 主成分分析 PBS 参数化叶片研究 N 叶片数量 ND 节点直径 NSMS 非侵入应力测量系统 ROM 降阶模型 SDOF 单自由度 SWAT 正弦波分析技术 SNM 标称子集模式 TAF 调谐吸收器因子 TEFF 涡轮发动机疲劳设施 TWE 行波激励
o 支票:付款给:MANITOBA MARLINS SWIM CLUB o EFT(电子资金转账)至:manitobamarlinsbilling@gmail.com • 报名截止日期过后,报名费不予退还。 迟到或甲板报名:如果符合以下准则,则允许:● 有可用的泳道空间。● 不会为甲板参赛选手创建新的预赛。● 已经报名参赛的游泳选手必须在热身结束前 15 分钟提交甲板附加游泳项目的报名,每项赛事的迟到报名费为 30.00 美元。 ● 尚未参赛的游泳运动员如果在热身结束前 15 分钟提交参赛申请,则可以允许其甲板参赛,但需支付每项赛事 30.00 美元的迟交参赛费,外加每项赛事 2.50 美元(SNM 计划开发费),外加 9.00 美元的一次性费用(7.00 美元的 SNC 费和 2.00 美元的在线比赛计划费)。● 所有甲板参赛费用必须在分配泳道之前支付。● 接受的付款方式是现金、支票或电子转账。● 游泳运动员可以申请额外的甲板参赛,但各场比赛的参赛总数(包括甲板参赛)不超过 3 次● 游泳运动员每天游泳的场次不超过一次。● 甲板参赛游泳仅用于“计时”或“表演”,不会计入奖励或得分。
摘要 - 具有超低泄漏和出色稳定性的静态随机记忆细胞是当代智能设备中设备上层的记忆的主要选择。本文介绍了一个新型的8T SRAM细胞,其泄漏降低并证明是稳定性的。所提出的SRAM单元使用堆叠效果来减少泄漏和传输门作为访问晶体管以增强稳定性。已经根据功耗和静态噪声边缘(RSNM,HSNM和WSNM)分析了所提出的具有堆叠晶体管的拟议的8T SRAM细胞的性能。在22 nm技术节点时,发现基于FIN-FET的8T细胞的功耗为572 PW,与基于CMOS的8T细胞相比,该因子几乎降低了一个因子。此外,对于基于FinFET的新型8T SRAM细胞在22 nm技术节点的情况下,发现功耗被发现减少了一倍。𝟓×𝟏𝟎𝟏𝟎𝟐𝟐𝟐。WSNM,HSNM和RSNM的8T SRAM细胞在0.9 V电压电压下观察到具有FinFET逻辑的8T SRAM细胞的240 mV,370 mV和120 mV。与常规的6T填充细胞相比,所提出的细胞显示了20%,5.11%和7%的WSNM,HSNM和RSNM,这是分数的。还分析了SNM的灵敏度,并报告了温度变化的敏感性。此外,获得的结果证实了所提出的SRAM细胞的鲁棒性,与近期作品相比。
印度专利局已授予印多尔理工学院“PN 调谐差分 8T 静态随机存取存储器 (SRAM) 单元”专利。本发明一般涉及集成电路,更具体地说涉及超低功耗 SRAM。为了降低存储器单元阵列的功耗,电源电压缩放是最优选的方式。电源电压缩放使操作能够在亚阈值范围内进行,其中电路的功耗最小。这是通过选择低于所用金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件的阈值电压的电源电压来实现的。通过 VLSI 设计进行电源电压缩放会受到诸如静态噪声容限 (SNM) 的明显损失、电流波动、限制可能连接到单个位线的单元数量等限制。本发明减少了读取干扰并提高了 SRAM 单元的写入能力,从而在超低功耗操作中更有效地操作 SRAM 单元。本发明还增强了 SRAM 单元在亚阈值区域内对工艺电压温度变化的免疫力。这是通过切断反馈并限制通过真实存储节点到地的电流来实现的,从而提高了 8T SRAM 单元的写入能力和写入速度,允许设置公共写入脉冲宽度,从而提高写入速度。读取操作期间对真实存储节点没有直接干扰,从而降低了芯片间或芯片内变化导致的故障概率。这种新型 SRAM 单元将使设计人员能够构建强大的内存阵列。