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用于实际的原型边缘生长纳米线传感器阵列......
由于响应特性相似，使用单个电阻半导体传感器监测和分类不同气体具有挑战性。分离的传感器阵列可用作电子鼻，但这种阵列结构庞大，制造工艺复杂。在此，我们轻松制造了一个基于边缘生长的 SnO 2 纳米线的气体传感器阵列，用于实时监测和分类多种气体。该阵列由四个传感器组成，设计在玻璃基板上。SnO 2 纳米线从电极边缘在芯片上生长，相互接触，并充当传感元件。这种方法比后合成技术更有优势，因为 SnO 2 纳米线直接从电极边缘生长，而不是在表面上生长。因此，通过在高生长温度下将 Sn 与 Pt 合金化可以避免对电极造成损坏。进一步检查了传感器阵列对不同气体的传感特性，包括甲醇、异丙醇、乙醇、氨、硫化氢和氢气。雷达图用于改善对不同气体的选择性检测并实现有效分类。© 2020 作者。由 Elsevier BV 代表河内越南国立大学提供出版服务。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
2024 年国际科学创新会议...
使用 SiC 掺杂 SnO 通道的高性能 P 型 TFT：通过优化掺杂和沉积后退火实现增强的迁移率和稳定性。Rauful Karim Khan 博士，日本九州大学工程科学学院先进材料科学与工程系助理教授。
胶体CDS量子点的合成和应用作为perovskite太阳能电池中的界面修饰材料
1。最近，由于其低成本，高效率和便捷的制造，钙钛矿太阳能电池对许多研究人员变得更具吸引力。自从宫宫和同事于2009年首次报道以来，钙钛矿太阳能电池（PSC）技术已从3.8％提高到25％左右[1,2]。基本的钙钛矿太阳能电池由透明的导电层组成，例如弗洛林掺杂锡氧化物（FTO）或imper的掺杂锡氧化物（ITO），电子传输层，光敏的钙钛矿层，孔传输层，最后是金属电极。由于对所有层都是有效的，因此电子传输层对于高效率在PSC中起重要作用。tio 2是最常用的电子传输层之一，其各种制造方法（例如自旋涂层，喷涂，溅射等）。[3-5]。独立于制备技术，TIO 2结构包括一些问题，例如氧气空位和尤其位于TIO 2表面上的非化色缺陷[6,7]。那些缺陷可以防止电子流，从而导致钙钛矿太阳能电池性能不佳。一些研究人员报告了一些不同的材料，例如SNO 2，ZnO，CDS和WOX，而不是TIO 2作为电子传输层[8-11]。尽管CD作为电子传输层仍然远非令人满意，但它可能是用于修饰和钝化TIO 2表面的出色界面材料。最近，Hwang等。报道CD作为中孔TIO 2层的修饰材料，导致钙钛矿太阳能电池的稳定性提高[12]。Zhao等。 Dong等。Zhao等。Dong等。Dong等。使用CD作为前体溶液的添加剂，并观察到重组显着降低[13]。使用CD作为电子传输层，观察到PSC的效率为16.5％[14]。Wessendorf等。通过使用CD作为电子传输层[15]观察到滞后的减少。CD扩散到钙钛矿层会导致晶粒尺寸增加，从而提高效率[16]。 Mohamadkhania等。 使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符，观察到滞后降低并提高效率[17]。 ma等。 表明，在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31％提高到14.26％[18]。CD扩散到钙钛矿层会导致晶粒尺寸增加，从而提高效率[16]。Mohamadkhania等。 使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符，观察到滞后降低并提高效率[17]。 ma等。 表明，在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31％提高到14.26％[18]。Mohamadkhania等。使用SNO 2表面上的CD作为接口修饰符，观察到滞后降低并提高效率[17]。ma等。表明，在TIO 2表面上化学沉积的CD可将效率从10.31％提高到14.26％[18]。
ALD 涂层介孔铱钛混合氧化物
使用聚合物电解质膜 (PEM) 进行电解的前景十分光明。[4,5] 缺点是，发生在阳极的氧析出反应 (OER) 表现出缓慢的动力学，因此妨碍了高效的整体电化学水分解。[5,6] 大规模电解需要价格实惠且活性高的电催化剂。[7] Ir-[8–10] 和 Ru-[11,12] 材料在酸性电解质中表现出最高的催化 OER 活性。由于其更高的稳定性，Ir-基催化剂代表了最先进的阳极材料。 [8,13,14] 为了提高活性贵金属的利用率，人们尝试了不同的方法，如将 IrOx 与地球上储量丰富的金属氧化物（TiO2、[15] Ta2O5、[16] SnO2[17]）合金化，将 IrOx 以纳米晶体的形式分散在高表面积载体材料上（Sb 掺杂的 SnO2[18]），或通过模板工艺引入明确的纳米结构。[10,19] 然而，在添加绝缘过渡金属氧化物（如 TiO2[20] 或 Ta2O5）后，电导率经常会下降。[21] 至于载体材料的稳定性，掺杂已被证明可以提高耐腐蚀性，但大多数载体材料在酸性下稳定性较差。 [22] 感兴趣的读者可以参阅 Maillard 等人撰写的一篇综合评论。[23]
ALD 涂层介孔铱钛混合氧化物
使用聚合物电解质膜 (PEM) 进行电解的前景十分光明。[4,5] 缺点是，发生在阳极的氧析出反应 (OER) 表现出缓慢的动力学，因此妨碍了高效的整体电化学水分解。[5,6] 大规模电解需要价格实惠且活性高的电催化剂。[7] Ir-[8–10] 和 Ru-[11,12] 材料在酸性电解质中表现出最高的催化 OER 活性。由于其更高的稳定性，Ir-基催化剂代表了最先进的阳极材料。 [8,13,14] 为了提高活性贵金属的利用率，人们尝试了不同的方法，如将 IrOx 与地球上储量丰富的金属氧化物（TiO2、[15] Ta2O5、[16] SnO2[17]）合金化，将 IrOx 以纳米晶体的形式分散在高表面积载体材料上（Sb 掺杂的 SnO2[18]），或通过模板工艺引入明确的纳米结构。[10,19] 然而，在添加绝缘过渡金属氧化物（如 TiO2[20] 或 Ta2O5）后，电导率经常会下降。[21] 至于载体材料的稳定性，掺杂已被证明可以提高耐腐蚀性，但大多数载体材料在酸性下稳定性较差。 [22] 感兴趣的读者可以参阅 Maillard 等人撰写的一篇综合评论。[23]
25A0503-权益与包容中心2025-26
CEI空间的物理布局并不是完全打算是用于全面使用的多功能设计，而是具有“办公室”功能，假设SNO 139中的计算机，SNO150，SNO150A，SNO150A和SNO150寒意主要用于工作人员和学生员工作为工作空间。但是，布局和意图已经转换，因此每周至少40个小时，CEI中的所有电子设备（不包括单个办公室）现在也可以供学生使用。因此，我们目前拥有的服务器/设备/技术无法跟上需求。
华盛顿越野滑雪的场所
西部华盛顿滑雪胜地与越野步道史蒂文斯通行证北欧峰会在Snoqualmie White Pass北欧中心SNO-PARKS附近的I-90 Sno-Parks附近，带有滑雪道（请参阅Central Cascades Winter Recreation Council，以获取更多信息）请注意：有关更多信息）请注意：更多信息）：有些小径与雪地鸡肉共享，周末很忙。在雪地摩托流量低时使用它们。知道在您出发之前与其他用户共享的哪些。hyak
用于光电、光伏和储能设备的氧化锡：综述
金属氧化物半导体是一类在我们的生活中得到日益广泛应用的材料，因为它们具有有趣的可调能带隙、优异的化学和机械稳定性等。随着技术的进步，能够生产出薄膜、纳米粒子、纳米线和纳米棒形式的金属氧化物，它们的应用多年来不断增长，从半导体电子器件扩展到传感器、光电子器件、催化、能量收集和存储设备。1 – 38 半导体金属氧化物的一个有趣的应用源于这样一个事实：一些金属氧化物可以掺杂外来元素，从而表现出与金属相当的电导率。这种氧化物的薄膜允许光通过，几乎不产生吸收，因此这种薄膜非常适用于作为光电器件的电极，因为光电器件需要既对光透明又能像金属一样导电的材料。这导致了透明导电氧化物 (TCO) 的发展，它是近代大多数光电子和光伏设备不可或缺的一部分。导电透明金属氧化物薄膜，例如 SnO 2 和 ZnO（氧化锌），正在许多消费电子产品中找到应用，尤其是平板显示器、触摸屏、光伏设备、低辐射玻璃、节能窗和储能设备。8 – 10,12 – 14,39 透明导电膜是一种薄层导电材料，在可见光范围内具有低吸收率（或高光透射率），是上述任何设备的基本要求。20 电导率和透明度可以进行定制，以扩大其在大量应用中的效用。 20 – 26 除透明导电薄膜外，氧化物/金属/氧化物多层结构也得到了广泛的研究，以提高它们的光透射率和电导率，以满足 TCO 的要求。11,40 – 42 图 1 显示了不同的透明氧化物及其在光伏设备、触摸屏、平板显示器和节能智能窗中的应用。然而，只有少数掺杂特定元素的金属氧化物作为 TCO 表现出令人满意的性能，例如铟 (In) 掺杂的 SnO 2 (ITO)、氟 (F) 掺杂的 SnO 2、铝 (Al) 掺杂的 ZnO、镓 (Ga) 掺杂的 ZnO 等，尽管这些都有各自的局限性。二氧化锡作为透明导电氧化物 (TCO) 因其广泛的应用而受到了广泛的研究关注，并得到了许多研究人员的评述。 9,12,43,44 评论文章主要讨论了 ITO 的挑战和机遇。它既具有低电阻率，又具有
透明导电氧化物
会议主题：用于太阳能收集的宽带隙材料 16:00 Luis Pereira 教授 (*) 里斯本新大学，葡萄牙 氧化物纳米结构在机械能收集中的应用 16:45 Frank Herklotz 博士 德累斯顿工业大学，德国 SnO 2 中的间隙氢供体：全面的光谱研究 17:00 Dwight R. Acosta Najarro 博士 墨西哥国立自治大学，墨西哥城，墨西哥 通过气动喷雾热解沉积的掺杂铼的 WO3 薄膜的电致变色性能恢复 17:15 Lars Korte 博士 (*) 柏林亥姆霍兹材料与能源中心，德国 高效钙钛矿/硅串联太阳能电池：材料和界面设计方面的挑战 19:00 特邀发言人晚宴(“Auerbachs Keller”) 2024 年 9 月 24 日，星期二 10:00 游览莱比锡美术馆 - MdbK (www.mdbk.de) 地点：Katharinenstraße 10 12:30 午餐（Aula） 会议主题：非晶态和非化学计量 TCO 14:00 Julia Medvedeva 教授（*）美国密苏里大学 材料基因组方法研究非晶态氧化物半导体中的缺陷 14:45 Takashi Koida 博士 日本筑波国家先进工业科学技术研究所 (AIST) 具有优异导电性的非晶态 SnO ₂ 薄膜：生产方法、特性和与非晶态 In ₂ O ₃ 薄膜的比较分析