XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSOI
第四SOI全球对话的报告
Jihyun Lee（CBD秘书处）代表CBD秘书处代理执行秘书David Cooper发表了开幕词。李女士欢迎参与者，并感谢大韩民国海洋和渔业部主持该活动以及其他主要支持者，包括法国生物多样性局，摩纳哥政府和国家海洋生物多样性研究所（MABIK）。她强调了与UNEP和粮农组织在推进SOI目标方面的合作价值，特别是在这次会议上，她指出了与联合国海洋事务部和海洋法的密切合作伙伴关系。她强调了SOI全球对话是一个成功的平台，使区域能够为其特定背景和工作领域找到解决方案和机会。她还强调了会议的关键时机，鉴于采用了主要国际框架，例如Kunming-Montreal全球生物多样性框架，BBNJ协议，Antigua和Antigua和Barbuda Andera for Small Island Studentate以及持续的塑料污染和有害渔业的努力。尽管这些协议很重要，但它们的影响取决于有效的国家实施。Lee女士进一步敦促交叉部门合作和战略一致，以支持政府实现生物多样性目标和目标，重申SOI全球对话在促进这种合作中的作用。 她通过鼓励生产性讨论，并表达了CBD秘书处致力于与所有参与者合作，将全球承诺转变为有形的行动。Lee女士进一步敦促交叉部门合作和战略一致，以支持政府实现生物多样性目标和目标，重申SOI全球对话在促进这种合作中的作用。她通过鼓励生产性讨论，并表达了CBD秘书处致力于与所有参与者合作，将全球承诺转变为有形的行动。皮耶罗·曼尼尼（Piero Mannini）（粮农组织）代表联合国曼努埃尔·巴兰奇（Manuel Barange）的粮食和农业组织的渔业渔业和水产养殖部助理董事兼渔业和水产养殖部主任发表开幕声明。他首先强调了旨在可持续发展的区域方法的重要性。他指出，粮农组织一直通过支持各个区域渔业机构的工作及其联系，并通过区域渔业体秘书处的网络来支持该区域方法。他还指出，这些机构在渔业和渔业治理的可持续管理中的重要作用在最近的政策中越来越强调。此外，他还指出，粮农组织渔业委员会鼓励粮农组织继续在区域渔业机构与区域海洋公约和计划之间发展跨部门合作，并通过全球对话认识到他们现有的合作。注意到需要改善全球，区域和国家的行动和协同作用
教学计划 (SoI) 和学生信息手册
课程列表与学院的部门结构一致，部门中每个部门的课程都列在单独的子部分中。例如，航空航天工程系的所有课程都带有前缀 AE，并列在机械科学部门的航空航天工程子部分中。这种模式的唯一例外是电气科学部门，该部门的课程根据其所属领域组织在子部分 E0 至 E9 下。例如，电气科学部门的所有计算机科学和自动化课程都带有前缀 E0，并列在相应的子部分中，尽管教师来自该部门的所有四个部门。课程代码在目录中给出。
C-V测量和双盒陷阱富含SOI底物的建模
高抗性（HR）硅在胰上石（SOI）底物，具有富含陷阱的（TR）层（图。1（a））广泛用于RF芯片。富含陷阱的层是一种捕获自由载体并因此消除盒子基底界面处的寄生通道的多层膜，使底物能够保留其高标称电阻率，从而导致较低的损失并改善线性性[1，2]。然而，捕集层中的部分结晶和杂质污染会影响局部电阻率，因此，RF性能[3]。为了解决这些问题，Uclouvain和Soitec提出了一种名为Double-Buried-Oxide（D-Box）TR底物的新结构，如图1（b）[4]。该结构在TR层下方结合了第二个薄氧化物（Box2），以防止TR层和硅基板之间的直接接触。在本文中，我们通过电容 - 电压（C-V）测量来表征D框结构。Box2的存在消除了整体耗竭层对C-V性能的影响，从而简化了分析。D-box结构还可以在晶圆级别表征TR层。
采用 45 nm SOI CMOS 的多模 60 GHz 雷达发射机 SoC
摘要 — 本文介绍了一种毫米波多模式雷达发射机 IC 的架构，该架构支持三种主要雷达波形：1) 连续波 (CW/FMCW)；2) 脉冲；3) 相位调制连续波 (PMCW)，全部来自单个前端。该 IC 采用 45 纳米 CMOS 绝缘硅片 (SOI) 工艺实现，可在 60 GHz 频段运行，集成了宽带三倍频器、两级前置放大器、两个功率混频器和混合信号基带波形生成电路。通过配置功率混频器和相关波形基带电路，可实现多种模式下的发射机雷达运行。这种方法的一个重要优势是，总信号带宽（雷达的一个关键性能指标）仅受脉冲生成中 RF 输出节点的限制。还提出了一种基于电流复用拓扑的新型宽带三倍频器设计技术，用于 LO 生成，输出分数带宽 > 59%。 CW 模式下完整 TX IC 的晶圆上测量结果显示，54 至 67 GHz 的平均输出功率为 12.8 dBm，峰值功率为 14.7 dBm，谐波抑制比 > 27 dB。脉冲模式下的测量显示可编程脉冲宽度为 20 至 140 ps，相当于 > 40 GHz 的雷达信号带宽。本例还演示了 PMCW 模式操作，使用 10 Gb/s PRBS 调制雷达信号。该 IC 功耗为 0.51 W，占用 2.3 × 0.85 mm2 的芯片面积（不包括焊盘）。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
掺杂通道 SOI pMOS TCAD 描述包括浮体效应
几十年来，人们对 SOI 器件进行了广泛的研究，并将其应用于多种应用：具有厚硅膜（>60nm）的部分耗尽 SOI 器件用于 RF-SOI 应用 [1]，而具有薄 SOI 膜（<10nm）的全耗尽 SOI 器件用于 RF、数字和更多 Moore 应用 [2-4]。已知 PD-SOI 器件中会发生浮体 (FB) 效应 [5-6]，可以通过体接触消除 [7-8]，而 FD-SOI 器件由于具有薄 SOI 膜，因此不受 FB 效应的影响。最近，已经提出了在薄 BOX 上具有相对较薄的薄膜（22nm）的 SOI 器件，以满足 3D 顺序积分的成像器应用要求 [9]，其中 SOI 膜掺杂可用于 Vt 居中。本文的目的是确定这种 SOI 器件的操作，并提出相应的 TCAD 描述，考虑 SOI 膜掺杂。
芯片CMOS S＆H电压传感器的比较研究：SOI与散装
摘要 - 本文评估了两个芯片样品和持有（S＆H）电压传感器的性能，可用于功率完整性测量，目的是比较硅启用器（SOI）和散装CMOS技术。使用优化的参数和兼容的设备在180 nm 5 V AMS-bulk和XFAB-SOI过程中设计和模拟了两个传感器。分析的基本变量是功耗，泄漏电流，回弹率（SR）和瞬态输出电压，正在处理，电压和温度变化。与散装技术相比，SOI的功耗较低（平均为2.2兆瓦）和泄漏供应电流（在27○C时为9.5 PA），对过程变化的敏感性较高（额外的回转率最高为88％，而在80○C时为39％），对温度变化的弹性更高（在输出Voltage中的6％）和更大的占用区域（6％）和较大的占用区域。SOI传感器旨在制造并用于评估注入的连续波和瞬态干扰以及由于功率分布网络上的内部活动而引起的电压弹性。索引项 - 整合电路，电压传感器，SOI，PVT，功率完整性
高热性能混合GainAsp/SOI岭波导激光器具有增强的热量耗散结构
具有异质整合技术的Hutonic Integrated Ciress（PIC）已成为硅光子学的激烈研究领域。1 - 3）他们将不同的材料技术引入商业硅芯片的潜力为将高性能图片与各种光学功能进行大规模整合开辟了道路，使用常规的硅开机器（SOI）平台实现了具有挑战性的挑战。4 - 6）尤其是，通过直接键合的混合III - V/SOI激光器的杂基整合为电信光源提供了适当的解决方案，用于电信和数据中心应用程序接近1.3和1.55μm波长范围。2，7）通过使用分布式的bragg refector，Ring Resonator和Loop Mirror设备，通过使用分布式的Bragg Remotector和Loop Mirror设备来实现在SOI电路内的这种集成在SOI电路内的这种集成。8 - 12）此外，还报道了Hybrid III - V/SOI环激光器，其中光线从III - V/SOI环激光器耦合到通过方向耦合器耦合到Si Bus-WaveGuide。13 - 16）
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。