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像素探测器的未来方向：时间和像素大小......
硅传感器研发混合 SoI CMOS 单片 CCPD 演示器 CLICpix Cracov CLIPS (CLIC) ALICE 调查员 CLICTD Malta/Monopix ATLASpix(Mu3ePix) C3DP+CLICpix 传感器平面平面平面 HR-CMOS 标准 HR-CMOS 改进工艺 HV-CMOS 连接至读出电子元件凸块粘合 SoI SoI 单片单片单片 CC 带胶 ASIC 技术 (nm) 65 200 200 180(TJ) 180(TJ) 180(TJ)/150(LF) 180(AMS)/150(LF) 65 厚度 (µm) 50 / 200 300 / 500 100 / 500 100 50 / 100 100 60 50 间距/单元尺寸 (µm x µm) 25 x 25 30 x 30 20 x 20 28 x 28 30 x 300 36 x 36 40 x 130 25 x 25 命中分辨率 (µm) 9 / 3.5 5/2 4 4 12 7 时间分辨率 (ns) 6 < 10 5 7 最大 NIEL (1 MeV neq/cm2)/TID (Mrad) O(10
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
MicReD 硬件产品
“如今，在我们的实验室中，T3Ster 主要用于测量我们封装在客户特定环境中的热阻。借助 T3Ster，这些测量可以非常快速且轻松地执行。借助 T3Ster-Master 软件，我们不仅能够让客户确信我们的紧凑热模型是正确的，而且还能让他们了解热量如何消散到环境中以及电路板组装过程中可能发生的故障的影响。此外，为了确定 SOI 材料的属性，我们还使用 T3Ster 测量特殊测试芯片，从而为我们自己的 SOI 芯片的热模拟提供可靠的数据。T3Ster 是一种用途广泛的设备。我相信在不久的将来我们会找到其他应用领域。” - Ir. John HJ Janssen，虚拟原型经理、高级负责人，NXP Semiconductors，荷兰奈梅亨
气候服务部
厄尔尼诺 - 南方振荡（ENSO）目前是中性的。在西太平洋中，海面温度（SST）高于平均水平，在东太平洋和东部太平洋中观察到的SST接近平均水平。低于平均温度在东太平洋和东部和东太平洋的平均温度保持深度，而高于平均温度在西太平洋的深度和地表均高于平均温度。2024年10月的SOI为4.2，5个月的跑步平均值为0.2。最新的30天平均SOI直到2024年11月22日为3.8。贸易风在西部热带太平洋地区一直高于平均水平，并且在整个太平洋地区接近平均水平。赤道日期线附近的云彩自9月以来一直低于平均水平。海洋和大气指标表示中性ENSO条件，而某些指标在最近几个月中显示了LaNiña的信号。
气候服务部
厄尔尼诺 - 南方振荡（ENSO）的状态目前是中性的。SSTS中的中太平洋目前处于中立状态，但自2023年12月以来一直在冷却。表面冷却是通过中部和东部太平洋中深水浮出水来维持的。自6月以来，表面和深度的冷却速率都放慢了。大气效应，包括表面压力，目前是ENSO中性的。2024年6月的SOI为-3.1，5个月的平均运行率为-3.1。直到2024年7月21日，最新的30天平均SOI为-2.9。贸易风在中西部和西方太平洋中的平均水平略高，东太平洋地区接近平均水。赤道日期线附近的浑浊目前高于平均水平，尽管在7月的大部分时间里已经接近平均水平。总体而言，海洋和大气指标表示中性ENSO条件。
直接观察和同时利用线性和二次电光效应
调制器在每位能耗方面极其节能 [5]，并能克服基于等离子体色散效应的电流调制器在速度、噪声和功耗方面的限制 [6]。这依赖于在小电极分离下可达到的高电场值，能够在电荷的排斥/去除方面引起更有效的折射率变化。事实上，电场会沿共轭聚合物链引起电子的离域，因此不需要像等离子体色散效应那样进行载流子传输。在绝缘体上硅 (SOI) 技术中使用有机材料的能力引起了各个科学领域的极大兴趣，包括但不限于高速调制器 [7]、可调谐光学滤波器 [8]、高精度计量 [9] 和频率梳 [10]。然而，非线性光学材料在SOI技术平台的混合集成仍是当前研究的重点，线性和二次电光效应是这一进展的主要内容，需要进一步研究。
直接观察和同时利用线性和二次电光效应
调制器在每位能耗方面极其节能 [5]，并能克服基于等离子体色散效应的电流调制器在速度、噪声和功耗方面的限制 [6]。这依赖于在小电极分离下可达到的高电场值，能够在电荷的排斥/去除方面引起更有效的折射率变化。事实上，电场会沿共轭聚合物链引起电子的离域，因此不需要像等离子体色散效应那样进行载流子传输。在绝缘体上硅 (SOI) 技术中使用有机材料的能力引起了各个科学领域的极大兴趣，包括但不限于高速调制器 [7]、可调光学滤波器 [8]、高精度计量 [9] 和频率梳 [10]。然而，非线性光学材料在SOI技术平台的混合集成仍是当前研究的重点，线性和二次电光效应是这一进展的主要内容，需要进一步研究。
β-Ga 2 O 3 LDMOSFET 击穿电压达 500 V，功率因数为 108 MW/cm 2
开关，并显著降低高压 IC 的寄生电容[10–15]。在过去十年中，大量研究已经检验了 SOI 上的 LDMOSFET，其特性和功率品质因数 (PFOM) 得到了增强[8、9、16–19]。实现高 V BR 是 LDMOSFET 的主要挑战
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。