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针对节能硅互连的芯片集成锗 Pin 光电探测器的全面研究
摘要 — 光学互连是片上通信中铜基布线的有前途的替代品。集成 IV 族纳米光子学的最新进展应该能够解决与速度、能耗和成本相关的一系列挑战。单片集成锗 pin 光电探测器位于绝缘体上硅 (SOI) 波导上，是这一蓬勃发展的研究领域中不可或缺的设备。在这里，我们全面研究了异质结构 pin 光电探测器的光电特性。所有光电探测器均采用工业级半导体制造工艺在 200 毫米 SOI 基板上制造。在 1 V 的低偏置电压下，pin 光电探测器的暗电流为 5 nA 至 100 nA，暗电流密度为 0.404 A/cm 2 至 0.808 A/cm 2，响应度在 0.17 A/W 至 1.16 A/W 范围内，截止频率为 7 GHz 至 35 GHz。这些成就使它们有望用于以 40 Gbps 运行的节能光链路，器件能量耗散仅为每位几 fJ。
伪造晶体管具有由纳米技术产生的有机薄膜
摘要。有机薄膜晶体管是经典电子设备的替代候选物，这是因为有机半导体的载体迁移率超过0.1厘米2 /vs。本文的目的是基于经典特征方法提供某些有机薄膜晶体管的电气表征。硅在绝缘子（SOI）晶状体上的经典特征是伪MOS晶体管。因此，本文在一开始就提出了在Or-Ganic绝缘子上制造有机半导体的主要技术步骤，该隔热器仍然是SOI结构。制造的有机结构得到了纳米技术的帮助，并使用了无毒的前体，为绿色有机电子设备打开了新的方向。测量实验电流 - 电压静态特性。转移特性的微微调查表明，与模量中的栅极电压增加了漏极电流。因此，P型有机层正在积累。通过电气表征，提取了一些设备参数：掺杂浓度约为8×10 13 cm -3，有机纤维中的孔迁移率为0.2cm 2 /vs和6×10 10 10 E /CM 2的全局界面电荷。
Actualité地缘政治评论 - Diploweb.com
。国际比较政治评论，2023/1，n°30，De Boeck Supérieur。穆斯林世界的自我建设和反抗，政治化受到遏制。社论——打破比较政治分析的障碍；致敬 - 让·布朗德尔和欧洲的政治学；前言——在阿尔及利亚、叙利亚和巴基斯坦的一些个性化道路上的违法与镇压之间；阿尔及利亚的青年与性：没有革命的越轨；独裁背景下的自我表达和越轨行为：来自叙利亚拉塔基亚的年轻金属头 (metaljīye)； “性、谎言和录像带”：巴基斯坦针对妇女的政治暴力和对个性的否认；族群间合作是社会空间隔离的补救措施吗？法国六个城市地区的比较；评论。
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：David 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) Ema
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：戴维 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) 电子邮件：david.pai@lpp.polytechnique.fr 网页：https://www.lpp.polytechnique.fr/-David-Pai- 研究领域： 主要领域：激光和等离子体物理 次要领域：材料科学 方法：大气压等离子体、表面等离子体、纳秒放电、等离子体诊断（例如光发射光谱、电场诱导的二次谐波产生、汤姆逊散射）、材料化学诊断（例如拉曼和光致发光光谱） 博士课程主题：等离子体-表面相互作用是许多类型等离子体物理学的关键要素。对于非平衡等离子体，其中电子的温度比原子和分子的温度高得多，一种常见的现象是表面电离波 (IW)。使用复合材料代替块体金属/电介质作为电极或传播表面可能会产生新的相互作用。特别是，与半导体相关的光电效应可以使基于微电子中常用的绝缘体上硅 (SOI) 技术的 IW 沿表面传播均匀化。我们的假设是气相和电子空穴 IW 沿 SOI 界面相邻地共同传播。
硅在绝缘子中的单事件传播效应...
亲爱的编辑，铁电隧道FET（FETFET）是关于新型低功率电子设备的越来越重要的研究主题[1，2]，因为铁电气材料的负电容效应有助于提高潜在的通道并增加TFET中的状态电流。铁电疗法显示辐射性能对辐射的辐射硬性能，这对于基于这种苛刻环境中使用的这种材料的设备很有帮助[3，4]。单事件传播（集合）效应是由空间或陆地辐射环境中的高能量颗粒引起的，这可能会导致软错误的可能性，甚至可能导致航天器中的灾难性事故[5，6]。对重离子打击下FETFET的辐射效应的搜索对于评估这些设备在太空环境中的潜在误差非常重要。为了提高设备的性能，我们提出了一种新的硅在绝缘子双门栅极FETFET（SOI DG-FETFET）中，并使用Si：HFO 2铁电栅极介电。使用Synopsys Sentaurus Tech-Nology Computer Adided Design（TCAD）Simulator [7]研究了SOI DG-FETFET中的单事件传播效应[7]。设备结构和仿真设置。
第4个Sicomb通讯
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。
气候服务部
enso是热带太平洋中SST持续变暖和冷却的不规则循环。温暖的极端被称为厄尔尼诺（ElNiño）和寒冷的极端，LaNiña。厄尔尼诺（ElNiño）一词被赋予了南美秘鲁海岸附近的海洋温暖，圣诞节前后出现。科学家现在将厄尔尼诺事件称为中部和东部地球大部分地区的大部分地区持续变暖。这种变暖通常伴随着南方振荡指数（SOI）的持续负值，贸易风的强度或逆转降低，赤道太平洋地区的Dateline附近的云量增加，以及大多数斐济的降雨量减少（不是直接的效果（因为在滞后时期），尤其是在中度到强大的事件中，尤其是在中度到中期的事件中，降低了降雨量。LaNiña是中部和东部赤道太平洋的持续冷却。冷却通常伴随着SOI的持续正值，赤道贸易风的强度增加，赤道太平洋数据线附近的云状态减少，而大多数斐济的降雨量都高于平均降雨量（不是直接的效果（由于滞后时期），有时是频繁的，有时是严重的洪水，尤其是在潮湿的季节中，尤其是在潮湿的季节中（11月至4月）。
综合纳米光子Q- ...
纳米光电综合电路已经发挥了巨大的技术增长，目前构成了许多技术领域的驱动力，包括现代光学通信系统。基于商业CMOS兼容和技术成熟的硅在隔离器（SOI）平台，这是一个高度有效的，大型的，大型的，超级压缩和低损耗的光学组合，包括波格指南，谐振器，谐振器和谐振器，包括波动，谐振器和电动机。[1,2]最近，当代富含硅的二氮在绝缘子（SRNOI）平台（与SOI互补的）平台（SRNOI）平台也引起了极大的关注。[3 - 5] SRNOI平台结合了SI的高折射率和宽阔的罪带，可实现微型化和强烈的光线结合，而无需单次吸收损失和两光子吸收诱导的损失，以及SI I近Indimrared（NIR）中SI的无效效果。当前，缺乏可靠且有效的SOI兼容片上的集成光源[6]构成了实现高融合密度密度硅基纳米光子电路的瓶颈。此外，通过利用可腔内饱和吸收剂来控制激光动力学，以将连续波（CW）纳米光激光转化为脉冲源而无需进行外部调节的脉冲源，而最近仅在光电晶体洞中进行一次尝试，但仅尝试进行一次尝试。[8]但是，带来了[7] Conventional passive pulsed laser sour- ces exploiting Q-switched and mode-locked mechanisms are rather bulky and typically based on either free-space Fabry- Pérot or fi ber-loop cavities, with the gain provided by solid-state and rare-earth-doped fi ber lasers, respectively, while the satura- ble absorption (SA) effect is delivered by semiconductor satura- BLE吸收镜（SESAMS）。[8-10]尽管由于纳米腔腔的短往返，纳米级模式锁定机理的剥削似乎是概率的，但Q解换原理似乎很有希望，因为它本质上受到紧凑型腔结构的固有青睐。
高效的纤维到Si波导自由形式耦合器，用于铸造级硅光子学
作为从研究到商业部署的硅光子学的过渡，有效地将光线融入高度紧凑和功能性的亚微米硅波导的包装解决方案必须是必要的，但仍然具有挑战性。有助于实现大规模集成的220 nm硅在绝缘子（SOI）平台是铸造厂采用最广泛的集成，从而实现了既定的制造工艺和广泛的光子组合库。因此，该平台的高效，可扩展和宽带耦合方案的开发至关重要。利用两光子聚合（TPP）和基于Fermat原理的确定性自由形式的微观启示设计方法，这项工作表明了标准的SMF-28单模式纤维和硅Wave在220 nmSOI SOI平台上的标准SMF-28单模式纤维和硅波波之间的超高效和宽带3-D耦合器界面。耦合器在基本TE模式下达到了0.8 dB的低耦合损失，而1 dB的带宽超过180 nm。宽带操作可实现从通信到光谱的各种带宽驱动的应用。此外，3-D自由形式耦合器还可以极大地容忍纤维未对准和制造可变性，从而使包装要求放松，以降低成本降低资本利用标准的电子包装过程流量。©2024中国激光出版社