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国家现役士官学校将于 6 月 2 日在圣马克朗莱科勒迎接奥运圣火
6 月 2 日星期日上午 10:00，ENSOA 将启动“Gladius Race”障碍赛，这是一项提供三个赛道的障碍赛，其中第一个赛道适合 6 岁以上的儿童参加。作为军队在年初发起的 Terre-Jeunesse 挑战赛的一部分，这场比赛旨在让来自德塞夫勒省的大中学生团结起来，共同探讨体育、自我提升和凝聚力的价值观。
飞秒激光诱导的硅在硅 - 绝缘子底物中的G和W-中心的创建
在硅中产生荧光缺陷是确保量子光子设备进入现有技术的关键垫脚石。在这里，我们证明了飞秒激光退火的创建，该创建的W and g-Centers in Commercial Silicon上的绝缘体（SOI）先前植入了12 C +离子。它们的质量与使用常规植入过程获得的相同发射器相媲美；通过光致发光辐射寿命来量化，其零孔线（ZPL）的拓宽以及这些定量随温度的进化。除此之外，我们还表明，这两个缺陷都可以在没有碳植入的情况下创建，并且我们可以在增强W-Centers Emision的同时退火来消除G-Centers。这些演示与硅在硅中的确定性和操作生成有关。
感知和动作的生理
本课程的目的不仅是像去年一样研究自我和他人的感知的两个术语，还要研究自我与他人之间的关系。这个主题很重要，因为20世纪的生理学将其努力集中在该主题上。今天的大脑，对于Physiolo-Gym，不再是一个人。互动的生理学正在诞生，正是这个项目希望在本课程中为此做出贡献，遵循以前在此主题上发表的课程和作品1。课程的仪式如下：感知是模拟行动2；感知是决定3；与他人的关系不仅仅是对自我和他人感知的简单结合。这种关系从根本上刻在共同行为中，在真实或模拟的合作中，它是根据胡塞尔的金斯理论，共同世界的共同构造（Umvelt）4。因此，与他人关系的基础应在共享的“perçraction”中寻求。我们首先检查了运动和情感传染的神经底座。这在面部模仿中尤其明确，它是天生的，可以在婴儿早期就可以证明。视觉信息的处理涉及几种皮质和皮层途径，这些路线可以在很早的发展水平上干预这种传染。打哈欠和笑声是我们提到的两个例子。模仿比简单的电动机或情感污染物更精致的行为。已经在猴子中，已经证明模仿假设动物已经能够获得“共同注意”。我们总结了
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
朝着硅的高质量转移钛酸钛酸铁蛋白杂种集成调制器
硅光子学目前是紧凑和低成本光子整合电路发展的领先技术。尽管具有巨大的潜力，但某些局限性，例如由于硅的对称晶体结构仍然存在。相比之下，钛酸钡（BTO）表现出强烈的效果。在这项研究中，我们证明了在硅启用硅式平台上具有高质量转移的钛酸钡铁电混合综合调制器。BTO在硅Mach-Zehnder干涉仪上提出的杂种整合表现出EO调制，其VπL低至1.67 V·CM，从而促进了紧凑型EO调节剂的实现。BTO与SOI波导的混合整合有望为高速和高效率EO调节剂的发展铺平道路。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何设备更好的设备匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的设备在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更加坚固耐用。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。
PIC 和 ePIC 平台的 3 dB OE 带宽为 110 GHz
摘要 — 我们介绍了一种 SOI 波导耦合锗光电二极管，它在 2 V 反向偏压下具有非常高的 OE -3 dB 带宽 ≥ 110 GHz。这种性能是通过一种新颖的结构实现的，即将锗夹在两个原位掺杂的硅区域之间。这种制造方法可以避免将离子注入锗，这无疑有利于带宽，因为少数载流子扩散效应受到强烈抑制。在 1550 nm (-2 V) 时实现了 >0.6 A/W 的响应度，而该器件的暗电流约为 300 nA (-2 V)。据我们所知，这是最先进的锗光电探测器，具有带宽、最先进的响应度以及中等暗电流。我们证明，这种新型光电二极管可以高产量制造。
IRS211(0,3)、IR211(0,3) 和 2ED2110S06M 比较
相比之下，2ED2110S06M 驱动器代表了一项重大进步，采用了使其与众不同的现代设计功能。这款新一代栅极驱动器可在更高的电压下工作，最高支持 650V，并包含一个集成自举二极管。这种集成减少了元件数量，简化了设计，并提高了空间和稳健性至关重要的应用中的可靠性。2ED2110S06M 还采用了英飞凌的薄膜绝缘硅 (SOI) 技术，该技术具有出色的抗噪性和闩锁保护功能，使其在嘈杂的环境中具有极强的弹性。更快的传播延迟（开启时缩短至 90 纳秒，关机时缩短至 100 纳秒）使该驱动器成为高速开关应用的理想选择，例如高级电机驱动器、高频逆变器和工业电源。