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集成光子学的微转移打印
1. 通过微转移印刷将 O 波段 InP 蚀刻面激光器边缘耦合到 SOI 上的聚合物波导，载于 IEEE 量子电子学杂志，2020 年 2. R. Loi 等人，“硅光子学基板上的电子集成电路微转移印刷”，载于 ECIO 2022 会议。2022 年 5 月。 3. 欧盟热门项目 4. 利用微转移印刷实现氮化硅上 VCSEL 光子集成电路。”Optica 8.12 (2021): 1573-1580。 5. 通过转移印刷在硅上实现低功耗光互连，用于光隔离器。”Journal of Physics D: Applied Physics 52.6 (2018)。 6. 将高效 GaAs 光伏电池微转移印刷到硅上以实现无线电源应用。”《先进材料技术》5.8（2020）：2000048。
用于大规模集成光子学的微转移打印
1. 通过微转移印刷将 O 波段 InP 蚀刻面激光器边缘耦合到 SOI 上的聚合物波导，载于 IEEE 量子电子学杂志，2020 年 2. R. Loi 等人，“硅光子学基板上的电子集成电路微转移印刷”，载于 ECIO 2022 会议。2022 年 5 月。 3. 欧盟热门项目 4. 利用微转移印刷实现氮化硅上 VCSEL 光子集成电路。”Optica 8.12 (2021): 1573-1580。 5. 通过转移印刷在硅上实现低功耗光互连以用于光隔离器。”Journal of Physics D: Applied Physics 52.6 (2018)。 6. 将高效 GaAs 光伏电池微转移印刷到硅上以实现无线电源应用。”先进材料技术 5.8 (2020): 2000048。
加速航空电子设备安全认证 - Wind River Systems
DO-178C 指定了五个设计保证级别 (DAL)，分别对应部件设计故障对飞机的影响。例如，指定为 DAL A 的部件发生故障将导致灾难性故障，而 DAL E 部件发生故障不会对飞机的运行产生重大影响。要获得单个部件的 DO-178C 认证，飞机制造商需要完成四个参与阶段 (SOI)：规划 (SOI1)、实施 (SOI2)、验证和确认 (SOI3) 和最终认证 (SOI4)。对于飞机制造商来说，这是一个非常耗时且成本高昂的过程，需要数千小时的测试、数百页的详细文档和数 GB 的元数据。单个软件组件的 DO-178C 认证过程耗时 18-36 个月，耗资数百万美元，这并不罕见。
2024-2028 年战略意图
本作品根据 Creative Commons Attribution 4.0 International 许可证授权。实际上，只要您将作品归于皇室并遵守其他许可条款，您就可以自由复制、分发和改编作品。要查看此许可证的副本，请访问 https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ 请注意，不得以任何违反 1981 年《旗帜、徽章和名称保护法》规定的方式使用任何部门或政府徽章、标志或国徽。将作品归于皇室应采用书面形式，不得复制任何此类徽章、标志或国徽。根据 1989 年《公共财政法》第 38 条向众议院提交的战略意向 2024 年 2 月财政部网站上该出版物的网址为：https://treasury.govt.nz/publications/soi/strategic-intentions-2024-2028 ISBN：978-1-991149-00-8（在线）
固态系统中的量子计算
近几年来，随着超导器件在单个芯片上达到数十个甚至数百个量子比特，量子计算已成为现实 [1,2]，它可以解决那些即使使用最强大的传统超级计算机也需要耗费大量时间的问题。这些早期的量子计算机 (QC) 被称为有噪声的中型量子计算机，因为在如此小的量子比特阵列中无法有效抵消环境噪声。虽然某些算法确实可以充分利用数百个不完美量子比特的潜力 [3]，但量子计算的伟大前景需要完美量子比特，而这只能在更大规模的量子比特阵列中实现，使用量子纠错 (QEC) [4,5]。半导体中的自旋量子比特 [6,7] 是迄今为止唯一有潜力达到如此规模的平台，为容错量子计算铺平了道路。量子点 (QDs) [6] 中的量子比特尺寸为几十纳米，可在单个芯片上集成数百万个量子比特。硅纳米结构中的自旋量子比特是尤其有吸引力的候选对象。凭借半导体行业数十年的经验，硅是研究最多的元素之一，拥有独特先进的制造技术。硅中的电子自旋量子比特在过去几年中已非常成熟，已达到与 QEC 算法的误差阈值相匹配的单量子比特和双量子比特门保真度 [8, 9]。然而，导带中弱的本征自旋轨道相互作用 (SOI) 需要使用微磁体来辅助全电量子比特控制。这种额外的复杂性给设备设计和制造带来了新的挑战。另一方面，硅和锗量子点中的空穴自旋量子比特受益于强直接 Rashba SOI [10]，可将量子比特控制速度加速到几百兆赫 [11,12]，而无需在设备中集成其他元件。在本文中，我们首先介绍并简要概述
2005 | GTRI 自 1934 年以来通过创新创造解决方案
本报告简要介绍了过去一年中 GTRI 的男女同胞以及我们与大学同事和政府及行业中众多利益相关者的合作所取得的令人振奋的工作成果。它概述了为保卫我们的国家、保卫我们的国土、保护我们的健康和环境、教育我们的人民以及建设我们的经济所做出的重要贡献。GTRI 度过了激动人心的一年，甚至在《滚石》和《财富》杂志上发表了文章——这两项都是 GTRI 的第一次（见第 35 页）。感谢您花时间阅读本报告，感谢您对 GTRI 和佐治亚理工学院的关注。请随时通过 cross@gatech.edu 与我联系。我很乐意收到您的来信。您还可以在 http://www.gatech 上查看佐治亚理工学院校长 Wayne Clough 的学院现状演讲，题为“颠覆性创新”。edu/president/soi/。
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
废物处理技术行业的状态
该行业状况（SOI）报告的目的是向迈阿密戴德县（县）固体废物管理部（DSWM或部门）提供固体废物行业中使用的最新商业上可用的加工技术的摘要，该技术可能适用于处理该县市政固体废物流。本报告将审查固体废物行业中废物到能源（WTE）设施的历史，WTE和废物处理设施的环境特征，商业规模的经过验证的废物处理技术，新兴的废物处理技术，WTE设施的最新采购以及该县使用的废物技术的建议。本报告中介绍的信息基于已发表的来源和供应商信息可获得的数据和信息，并通过一般行业经验增强。本报告中未详细审查每种通用技术类型的特定供应商。
基于超表面的硅基量子搜索器......
摘要：光学模拟计算相较于传统数字计算具有并行计算、速度快、能耗低的天然优势。目前，片上光学模拟计算领域的研究主要集中在经典数学运算上，尽管量子计算具有诸多优势，但基于超表面的片上量子模拟器件尚未被展示。本文基于绝缘体上硅（SOI）平台，设计了一种特征尺寸为60×20 µm 2 的片上量子搜索器。利用经典波模拟基于叠加原理和干涉效应的量子搜索算法，同时结合片上超表面实现调制能力。当入射波聚焦在标记位置时，即可找到标记项，这与量子搜索算法的效率完全相同。所提出的片上量子搜索器有利于基于波的信号处理系统的小型化和集成化。
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温