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自旋电子学和元件技术（SPINTEC）
SPINTEC 在全球范围内融入了非常丰富的格勒诺布尔研究生态系统。该部门所在的 CEA 环境在分析期间进行了重组，这特别导致了 2016 年初纳米结构和磁学 - NM 团队的整合。该部门目前隶属于格勒诺布尔跨学科研究所 (IRIG) 的纳米物理系 (DEPHY)。更普遍地说，SPINTEC 受益于与其他 CEA 单位的互动，包括用于技术开发的 LETI、与 CNRS 站点的邻近单位（Institut Néel、LNCMI）以及与 Minatec、Giant 和 Université Grenoble Alpes 环境的互动。该单位也是 LANEF labex 和 CNRS、UGA 和格勒诺布尔 INP 的微纳米技术联合会 FMNT 的一部分。最后，它隶属于 COMUE UGA 的物理学博士学院 (EDPhy) 和工程学博士学院 (EEATS)。单位管理
Mihai Gabor
（1） - Enea，Frascati，罗马，意大利（研究实习 - 氧化物多层的激光沉积，低温磁性和磁通型传输测量值）； （2）-CEA -Spintec，Grenoble，法国（大师实习 - 纳米结构中交换偏差的数值建模）； （3）-lpm，大学”亨利·庞加莱（HenriPoincaré）。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
Spintronics XVI（OP111）
委员会计划：Jayasimha，弗吉尼亚州联邦联邦。（国家的统一）； Claduc Claire，Spintec，Cea Grenoble（法国）； Franco CICCAC，米兰的多物（意大利）； Vincent Cross，CNRS/Thalese（法国）物理混合物； Henri-Jean M. Drouhin，实验室。； Michel I. Dyaconov，Unive。安装2（法国）； Michael E.Flatté，Unive。（Unitials）； Pietro Gambardella，Eth Zurich（瑞士）； Jean-Marie George，CNRS/Thales Mother（法国）； Nils C. Gerhardt，Unives。bochum（德国）；朱莉·格罗勒（Julie Groller），CNRS/Thalese（法国）物理混合物；哈曼的订婚（以色列）；哈利里的话，西北联合。（国家的统一）；票A. Kdoparast，弗吉尼亚理工学院和州州。（国家的统一）； Mathias Claui，Unive。康斯坦斯（德国）； Denis Kochan，Unive。雷根堡（德国）； Lamor的Jean Lamour研究所（法国）；考虑H. Li，美国实验室搜索海军。（国家的统一）；阳光明媚的国王阿卜杜拉。联合，Cinam，Unive Aix-Marseille，CNRS（法国）； Xavier Marie，Insa -Univ。;唯一的标准标准研究所；奥塔尼（Otani），统一。； Pribiag Vlad，Unive。；定义拉维索纳，基本电子研究所（法国）； Rougemail Nicolas，NéelInstitute（法国）；环球马丁·勒特。Halle-Wittenberg（德国）； Jing Shi，Unive。Halle-Wittenberg（德国）； Jing Shi，Unive。； Basil V.主题，Unive。（法国）； Luc Thomas，Applied Materials，Inc。 （曼联）； Olaf M. J. van't Erve，美国实验室搜索海军。（国家的统一）； Wunderlich，Unive。雷根堡（德国）； ZOT空间，Unive。美国
自旋电子学在微电子领域的机遇与挑战
B.Dieny 1 , ILPrejbeanu 1 , K.Garello 2 , P.Gambardella 3 , P.Freitas 4,5 , R.Lehndorff 6 , W.Raberg 7 , U.Ebels 1 , SODemokritov 8 , J.Akerman 9 , 10 , APir 11 , P.Ac . delmann 2 , A.Anane 13 , AVChumak 12, 14 , A.Hiroata 15 , S.Mangin 16 , M.Cengiz Onbaşlı 17 , Md'Aquino 18 , G.Prenat 1 , G.Finocchio 19 , L.Lopez Diaz , R.C. esenko 22 , P.Bortolotti 13 1. Univ. 1. 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、CNRS、格勒诺布尔 INP、IRIG、SPINTEC，法国格勒诺布尔 2. 比利时鲁汶 Imec 3. 苏黎世联邦理工学院材料系磁学与界面物理实验室，瑞士苏黎世。 4. 国际伊比利亚纳米技术实验室（INL），葡萄牙布拉加 5. 系统与计算机微系统与纳米技术工程研究所（INESC MN），葡萄牙里斯本 6. Sensitec GmbH，德国美因茨 7. 德国英飞凌科技股份公司，德国应用科学研究所，德国明斯特 9. 瑞典哥德堡大学物理系 10. 瑞典皇家理工学院工程科学学院应用物理系 11. 德累斯顿—罗森多夫亥姆霍兹中心，离子束物理和物理研究所，德国迈兴 12. 凯泽斯劳滕工业大学和州立研究中心 OPTIMAS，德国凯泽斯劳滕 13. 法国国家科学研究中心泰雷兹公司巴黎南大学巴黎-萨克雷，帕莱索，法国 14. 维也纳大学物理学院，维也纳，奥地利 15. 约克大学电子工程系，赫斯灵顿，英国 16. 洛林大学让·拉穆尔研究所，南锡，法国 17. 科克大学，伊斯坦布尔，18. 佩科维奇，那不勒斯，意大利 19. 墨西拿大学数学与计算机科学系、物理科学与地球科学系，墨西拿，意大利 20. 萨拉曼卡大学应用物理系，萨拉曼卡，西班牙 21. 约克大学物理系，马德里材料研究所，英国 22 CSIC，西班牙
1064 nm 激光攻击与热损伤相关性...
a 艾克斯马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国。b SPINTEC，格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS，CEA-SPINTEC，CEA，38000 格勒诺布尔，法国。摘要本文首次在读写操作过程中实时实验研究了 1064nm 激光攻击对 STT-MRAM 单元的影响，以了解传感电路在剧烈温度变化下的行为。技术设计必须考虑到这一点。我们重点介绍了激光发射过程中的读取电流变化，这可能会影响传感电路。我们测量了两种状态之间的切换概率以及照射时间、激光功率和单元尺寸的影响。我们将结果与宽温度范围内的电气特性相关联，表明攻击会以热方式影响 STT-MRAM 行为。总之，可以采取适当的对策。 1. 简介 一种很有前途的非易失性存储器，称为自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM)，它将快速写入操作与高密度和显着的耐久性（高达 1013 次循环）相结合 [1,2]。磁隧道结 (MTJ) 由 CoFeB/MgO/CoFeB 堆栈组成，其中 MgO 层用作隧道阻挡层。通过强制自旋极化电流通过设备，可以将单元从反平行 (AP) 状态编程为平行 (P) 状态和反之亦然。自旋电流的横向分量被自由层吸收，导致 CoFeB 铁磁材料磁化发生扭矩诱导反转，即自旋转移力矩 (STT) 效应 [3,4]，详见 [5]。磁化方向是 MTJ 中数据编码的形式，其读/写延迟由反转的随机性、器件尺寸和流过各层的电流控制 [6]。MTJ 的一个重要特性是隧道磁阻比 (TMR)，定义为 (R AP - RP )/RP ，其中 R AP 和 RP 分别是 AP 和 P 状态的电阻 [7]。本研究的目的是调查红外激光攻击如何影响读取和编程阶段的 STT-MRAM 行为。此外，我们还旨在了解激光攻击的物理贡献，这可能是