基于RF-squids的Josephson行动波参数放大器的实验表征利用共振相位匹配方案 / Fasolo,L。;阿伦斯(Ahrens),f。; Avallone,G。;男爵,c。 Borghesi,M。; Callegaro,L。; Carapella,G。;加载,A。P。; Carusotto,i。 Cian,A。; D'Elia,A。; Gioacchino,D。 Falferi,p。; Faverzani,M。; Ferri,E。; Filatrella,G。;猫,c。 Giubertoni,d。; Granata,V。; Guarcello,c。 Labranca,d。;狮子座,a。; Ligi,c。; Livreri,P。; Maccarrone,G。; Mantegazzini,f。; Margesin,b。 Maruccio,G。; Mezzena,r。 Montediro,A。G。; Moretti,R。 nucciotti,a。; Oberto,L。; Origo,L。; Pagano,s。; Piedjou,A。S。; Piersanti,L。; Rettaroli,A。; Rizzato,S。; Tocci,s。; Vante,A。; Zannoni,M。; Giachero,A。; Enrico和..- in:IEEE超导性的IEEE交易。- ISSN 1051-8223。-34:3(2024),p。 1101406。[10.1109/tasc。 2024.3359163]
超导电子设备的发展需要仔细表征化妆电子电路的组件。超导弱环节是大多数超导电子组件的构建块,其特征是高度非线性的电流到相位关系(CPRS),通常不完全知道。最近的研究发现,约瑟夫森二极管效应(JDE)可能与嵌入超导干涉仪中的弱环节的弱环节的高谐波含量有关。这使JDE成为探索单谐波CPR以外的弱环节的谐波内容的天然工具。在这项研究中,我们介绍了双环超导量子干扰装置(DL-squid)的理论模型和实验特征,该设备嵌入了全金属超导型金属 - 金属 - 超导 - 超导体连接。由于三个弱连接的超电流的干扰,该设备在并联的三个弱环上的干扰而表现出JDE,并且可以通过两个磁通量调节该功能,这些磁通量充当实验旋钮。我们根据干涉仪臂的相对重量以及有关通量可调性和温度的实验表征进行了对设备的理论研究。
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s ummary瞬态电磁(TEM)方法主要用于探索小于几百米的深度的金属沉积物。为了将TEM应用于诸如地热或油储层等更深的目标,我们已经开发了一个具有3轴高温超导超导量子干扰装置(HTS-SQUID)磁性传感器的TEM系统,具有针对外部磁场的高耐用性以及高灵敏度。已经证明,该系统与接地线激发源和3D反转分析相结合,在地热区域中从几十米到3000-4000m的深度提供了高分辨率的电阻率映射,并在Water/CO 2中注入了CO 2存储或矿化。关键字:tem,squid,3D反转,地热,CO 2存储
2理论4 2.1超导量子干扰装置。。。。。。。。。。。。。。。4 2.1.1超导性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 2.1.2通量量化。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 2.1.3约瑟夫森(Josephson)和约瑟夫森(Josephson)交界处。。。。。。。。。。。。。。。9 2.1.4约瑟夫森交界处的电压状态。。。。。。。。。。。。。。。。11 2.1.5磁场中的约瑟夫森连接。。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>14 2.1.6 DC平台。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>16 2.2噪声热集。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>18 2.1,1热噪声。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>19 2.2.2噪声温度计。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。。。。。。。。。21
半导体中的电子自旋是最先进的量子比特实现方式之一,也是利用工业工艺制造的可扩展量子计算机的潜在基础 [1–3]。一台有用的计算机必须纠正计算过程中不可避免地出现的错误,这需要很高的单次量子比特读出保真度 [4]。用于错误检测的全表面码要求在计算机的每个时钟周期内读出大约一半的物理量子比特 [5]。直到最近,自旋量子比特装置中的单次读出只能通过自旋到电荷的转换来实现,由附近的单电子晶体管 (SET) 或量子点接触 (QPC) 电荷传感器检测 [6–9]。然而,如果使用色散读出,硬件会更简单、更小,这利用了双量子点中单重态和三重态自旋态之间的电极化率差异 [10–13]。可以通过与量子点电极之一粘合的射频 (RF) 谐振器监测由此产生的两个量子比特状态之间的电容差异。量子点中的电荷跃迁也会发生类似的色散偏移,这样反射信号有助于调整到所需的电子占据 [14–16]。色散读出的优势在于它不需要单独的电荷传感器,但即使在自旋衰减时间较长的系统中,电容灵敏度通常也不足以进行单次量子比特读出 [17–23]。最近,已经在基于双量子点的系统中展示了色散单次读出 [24–28],但为了提高读出保真度,仍然需要更高的灵敏度。
半导体中的电子自旋是最先进的量子比特实现方式之一,也是利用工业工艺制造的可扩展量子计算机的潜在基础 [1–3]。一台有用的计算机必须纠正计算过程中不可避免地出现的错误,这需要很高的单次量子比特读出保真度 [4]。用于错误检测的全表面码要求在计算机的每个时钟周期内读出大约一半的物理量子比特 [5]。直到最近,自旋量子比特装置中的单次读出只能通过自旋到电荷的转换来实现,由附近的单电子晶体管 (SET) 或量子点接触 (QPC) 电荷传感器检测 [6–9]。然而,如果使用色散读出,硬件会更简单、更小,这利用了双量子点中单重态和三重态自旋态之间的电极化率差异 [10–13]。可以通过与量子点电极之一粘合的射频 (RF) 谐振器监测由此产生的两个量子比特状态之间的电容差异。量子点中的电荷跃迁也会发生类似的色散偏移,这样反射信号有助于调整到所需的电子占据 [14–16]。色散读出的优势在于它不需要单独的电荷传感器,但即使在自旋衰减时间较长的系统中,电容灵敏度通常也不足以进行单次量子比特读出 [17–23]。最近,已经在基于双量子点的系统中展示了色散单次读出 [24–28],但为了提高读出保真度,仍然需要更高的灵敏度。
摘要。鱿鱼(超导量子干扰设备)是能够检测和测量具有前所未有灵敏度的各种物理参数的宏观量子设备。基于纳米布里奇弱环节的鱿鱼显示出对量子信息和量子传感应用(例如单个自旋检测)的越来越多的希望。焦点束蚀刻的纳米三旋翼具有可以增强纳米Quid设备性能的性能,但通常在其非迟发性工作温度范围内受到限制。在这里,我们将使用GA,XE或NE ION离子束源制成的单个弱环或纳米Quid中的纤维膜纳米三旋翼的测量值。根据温度,偏置电流,磁场和微波功率的函数,根据一系列超导性模型进行测量和建模,以改善对相关纳米架参数的理解。我们进一步提出了扩展设备的非滞后工作温度范围的技术。
PTB 在 SQUID 开发方面发挥着全球领先作用。这些超导量子干涉装置是用于高精度测量磁通量极小变化的传感器。PTB 的 SQUID 用于各种类型的测量。尽管它们已在生物磁实验中使用了二十年,例如用于检测人类心脏或大脑的非常微弱的磁场,但它们仍不断参与新的计量发展。SQUID 可用作各种配置中的灵敏电流传感器或完整的集成磁感应计。PTB 不仅提供 SQUID 芯片本身,还提供电子设备和计量技术,以便在相应的低温装置和实验外围设备中实现传感器。两个国际合作项目也采用了同样的方法。带有2个Tes光子计数器的探测器模块和带有2个电流传感器的sQuiD传感器芯片
5 实用直流 SQUID:配置和性能 171 5.1 简介 172 5.2 直流 SQUID 基本设计 175 5.2.1 非耦合 SQUID 175 5.2.2 耦合 SQUID 177 5.3 磁强计 186 5.3.1 概述 186 5.3.2 用于高空间分辨率的磁强计 187 5.3.3 用于高场分辨率的磁强计 188 5.4 梯度计 193 5.4.1 概述 193 5.4.2 薄膜平面梯度计 195 5.4.3 线绕轴向梯度计 198 5.5 1/ f 噪声和在环境场中的操作 200 5.5.1 关于 1/ f 噪声的一般说明 200 5.5.2 临界电流波动 200 5.5.3 热激活涡旋运动 201 5.5.4 涡旋的产生 203 5.5.5 降低涡旋运动产生的 1/ f 噪声 205 5.5.5.1 概述 205 5.5.5.2 涡旋钉扎 205 5.5.5.3 窄线宽器件结构 206 5.5.5.4 通量坝 207 5.6 其他性能下降效应 208 5.6.1 磁滞 208 5.6.2 射频干扰 209 5.6.3 温度波动和漂移 210