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航空应用的高可靠性12T SRAM辐射型电池
摘要：在航空航天高辐射环境中使用的静态随机记忆（SRAM）细胞已经非常容易受到单事件效应的影响（请参阅）。因此，使用辐射硬化设计（RHBD）概念提出了一个用于软误差恢复的12T SRAM硬化电路（RHB-12T单元）。为了验证RHB-12T的性能，由28 nm CMOS过程模拟了所提出的细胞，并将其与其他硬化的细胞（Quatro-10t，We-Quatro-12t，Rhm-12t，Rhm-12t，Rhd-12t，Rhd-12t和RSP-14T进行比较）。仿真结果表明，RHB-12T单元不仅可以从其敏感节点引起的单事件障碍中恢复，而且还可以从由其存储节点对引起的单事件多节点误击中。所提出的单元格与Quatro-10t /We-Quatro-12t /rsp-14t和1.31×/1.11.11×/1.18×/1.37×更短的写入延迟相比，比We-Quatro-12t sspsssss Spsssssss Spssss Spsssss Spssss Spssss Spssss Spsssss Spssss Spsssss Spsssss Spsssss Spssss Spsssss较短。它还显示出比Quatro-10t /Rhm-12t /Rhd-12t和1.12×/1.04×/1.09×比RHM-12T /RHM-12T /RHD-12T /RSP-14T更高的1.35×/1.11×/1.04×读取稳定性和更高的读取稳定性。所有这些改进都是以稍大的面积和功耗的成本来实现的。
64位SRAM内存阵列的设计和性能评估
高能电荷颗粒。电子孔对。电场将这些电子孔对分开，然后在敏感节点上收集。由于电荷积累而产生了短的电压脉冲。[5]。高密度记忆以及电子设备在生物应用中至关重要。低电压下运行记忆的主要基本原理是在尽可能少的能量的同时最大化电池寿命。正常6T SRAM单元的读取过程噪声免疫很小。随着电源电压的降低，噪声免疫力显着降低。结果，标准6T SRAM无法在低电源电压下操作。已知脱钩的7T和8T SRAM细胞的利用是通过将存储节点与位线分离出来，从而增强了读取操作过程中的噪声免疫。但是，值得注意的是，这些细胞具有相当大的泄漏功率。即使数百万个SRAM细胞可能保持在“待机状态”状态，记忆的功耗呈指数增长。[6] [7] [8] [9] [10]。嵌入式内存配置已通过现代VLSI（非常大规模的集成）系统增强。在处理RAM时，将DRAM（动态随机访问存储器）和SRAM（静态随机访问存储器）之间的区分至关重要。“静态”一词是指所有组件始终耦合到VDD或VSS的电路，从而消除了浮动节点问题，并允许仅使用电容器和单个晶体管构建DRAM单元。7T SRAM“随机”一词表示可以在需要时访问数据，并在可以存储的任何地方访问。访问需要内存搜索和位存储。每个单元存储一点点。[11] [12] [13]。SRAM单元是由晶体管和闩锁建造的。电容器都用于存储数据和检索数据，但是充电和排放它们的过程需要大量精力和时间。此益处是SRAM细胞广泛使用SOC的主要原因。[14] [15] [16] [17]，其中它们是设计和实施的重要组成部分。响应于当前SOC技术的功耗降低和更高生产率的需求增加，已经创建了多种SRAM细胞设计，每种SRAM细胞设计都经过优化，以表现出色。这导致可以存储在给定数量的空间中的记忆量显着增加。
Gen 3空间级串行双QSPI P-SRAM™开发套件用户指南AK30x208LATCCSOC
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SRA 公司战略 2023-26
律师监管局是英格兰和威尔士最大的法律服务监管机构，覆盖了约 90% 的受监管市场。我们监管英格兰和威尔士的约 220,000 名律师和约 9,500 家律师事务所。我们为公众利益而工作，保护消费者，制定和执行高专业标准。我们确保有资格成为律师的人符合要求的标准，并评估、批准和监督我们监管的公司，以确保它们适合提供法律服务。如果出现问题，我们会采取行动——在最严重的情况下，我们可以关闭一家公司，并将律师和公司提交独立法庭以阻止他们执业。我们还通过确保我们监管的公司拥有适当的保险水平，并向因律师不诚实等原因而损失金钱的人提供补偿来保护公众。我们在所做的一切中都考虑到《2007 年法律服务法》中规定的监管目标，以及我们的公共部门平等责任义务和我们的监督监管机构设定的要求。我们正在努力创建一个开放、现代、包容和竞争的法律市场，提供更实惠、更便捷的服务。这包括改善有关法律服务的信息，帮助人们做出更明智的选择，并支持法律技术等创新，使人们更容易获得法律服务。
航天级并行持久性 SRAM 存储器
图 1：部件编号订购选项 ................................................................................................................................ 5 图 2：器件引脚排列 ................................................................................................................................ 7 图 3：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 9 图 4：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 10 图 5：功能框图 ...................................................................................................................................... 11 图 6：上电行为 ...................................................................................................................................... 12 图 7：写操作 ...................................................................................................................................... 17 图 8：写操作（E# 控制） ................................................................................................................ 18 图 9：总线周转操作 ................................................................................................................................ 19 图 10：读操作 ........................................................................................................................................ 20 图 11：4 字异步页面模式与传统异步模式的比较 ...................................................................................... 21 图 12：页面模式功能框图 ................................................................................................................ 22 图13：异步页读操作 ...................................................................................................................... 22 图 14：异步页写操作 ...................................................................................................................... 23 图 15：页写到单次写时序图 .............................................................................................................. 23 表 1：技术比较 ...................................................................................................................................... 4 表 2：有效组合列表 ................................................................................................................................ 6 表 3：信号描述 ...................................................................................................................................... 7 表 4：上电/断电时序和电压 ................................................................................................................ 13 表 5：器件初始化时序和电压 ................................................................................................................ 14 表 6：建议工作条件 ........................................................................................................................ 14 表 7：引脚电容 ........................................................................................................................................................................................................................ 14 表 8：直流特性 ...................................................................................................................................... 15 表 9：磁抗扰度特性 .............................................................................................................................. 15 表 10：交流测试条件 ............................................................................................................................. 15 表 11：绝对最大额定值 ...................................................................................................................... 16 表 12：写操作（W# 控制） ............................................................................................................. 17 表 13：写操作（E# 控制） ............................................................................................................. 18 表 14：写操作 ................................................................................................................................ 19 表 15：读操作 ................................................................................................................................ 20 表 16：页面模式交流时序 ................................................................................................................ 24 表 16：耐用性和数据保留 ................................................................................................................ 24 表 17：热阻规格 .......................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25
ams OSRAM 2022 年年度报告
半导体部门贡献了全年收入的 66%。汽车半导体业务取得了稳健的业绩，尤其是在全年供应链持续波动以及 2022 年下半年汽车供应链库存调整显著的情况下。在管理不利的市场动态的同时，我们确认了作为汽车 LED 照明全球领导者的地位，并扩大了未来应用的设计渠道。我们的消费者业务实现了符合调整后预期的全年业绩，这反映了全年市场发展不太乐观，即中国和 Android 市场需求复苏不足。总体而言，去年我们强调了作为领先消费 OEM 光学解决方案主要供应商的地位，适用于显示管理和摄像头增强传感等应用。最后，工业和医疗半导体业务去年整体表现良好，因为工业市场在一年中的大部分时间提供了有吸引力的需求支持。
ams OSRAM 2022 年年度报告
半导体部门贡献了全年收入的 66%。汽车半导体业务取得了稳健的业绩，尤其是在全年供应链持续波动以及 2022 年下半年汽车供应链库存调整显著的情况下。在管理不利的市场动态的同时，我们确认了作为汽车 LED 照明全球领导者的地位，并扩大了未来应用的设计渠道。我们的消费者业务实现了符合调整后预期的全年业绩，这反映了全年市场发展不太乐观，即中国和 Android 市场需求复苏不足。总体而言，去年我们强调了作为领先消费 OEM 光学解决方案主要供应商的地位，适用于显示管理和摄像头增强传感等应用。最后，工业和医疗半导体业务去年整体表现良好，因为工业市场在一年中的大部分时间提供了有吸引力的需求支持。