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Каталог ПЛИС BMTI от компании Макро Групп
тестирования、упаковки и анализа отказов、производственной линией специализированных компонентов。 Данный институт принял сертификацию системы качества GJB9001B-2009, с е рт и ф и к а ц и ю п р о и з вод с т ве н н ой л и н и и и во е н ой крупномасштабной интегральной схемы, сертификацию производственной линии военного стандарта для Ниода 和 триода, сертификацию системы безопасности и здоровья, сертификацию системы защиты окружающей среды。 Данный институт является основным в области космической микроэлектроники техники, фокусирован на производстве монолитных интегральных схемы, микросистем и модулей, разработки полупроводниковых дискретных устройств,普罗克提罗夫尼奇микропроцессоров (CPU)、систем на чипе (SoC)、программируемых логических интегральных схем (FPGA)、устройств памяти (SRAM/PROM)、 аналого- цифровых/цифро-аналоговых преобразователей (ADC/DAC)、схем магистрали、интерфейсов 和 схем привода、схем логики, радиочастотных и ASIC 芯片、ASIC 芯片、ASIC 芯片下一页
Fingerprinting Quantum Computer Equipment - Chuanqi Xu
随着量子计算机在现实世界中的部署日益增多，人们越来越需要能够对其设备进行指纹识别和跟踪。这项研究提出，超导量子比特量子计算机中使用的低温设备可以利用廉价的基于 SRAM 的 PUF 作为指纹。这项研究首次在低温条件下对 SRAM PUF 进行安全性评估，使用液氮将存储器快速冻结到接近 -195℃（-320°F 或 77K）的温度。这项研究表明，SRAM PUF 在低温条件下可以变得更加稳定。因此，SRAM PUF 的一个可能的新应用是识别和跟踪量子计算机低温硬件。对量子计算机设备进行指纹识别的其他方法也是可能的，例如基于量子比特的频率。对量子计算机进行指纹识别的能力一方面有利于跟踪设备，但另一方面也有害，因为能够访问指纹的攻击者可以识别特定的机器。了解量子计算机指纹识别的优点和危险，并安全地部署指纹识别机制，对于保护这些新兴的计算平台是必要的。
Makro Grupp 的 PLIS BMTI 目录
测试、封装和故障分析，专用组件的生产线。该院已通过GJB9001B-2009质量体系认证、军工大规模集成电路生产线认证电路图、军工标准二极管、三极管生产线认证、健康安全体系认证、环境保护体系认证。该研究所是航天微电子技术领域的主要机构，专注于单片集成电路、微系统和模块的生产，半导体分立器件的开发，微处理器（CPU）的设计，片上系统（ SoC）、现场可编程逻辑集成电路（FPGA）、存储器件（SRAM/PROM）、模数/数模转换器（ADC/DAC）、总线电路、接口及驱动电路、逻辑电路、RF和微波电路、电源管理芯片、专用集成电路（ASIC）、分立器件、导航芯片组、二极管\u0442riodes
动态三元含量 - 可调的内存确实是...
摘要 - 内部内容可寻址内存（TCAM）一直是缓存，路由器等的关键组件，其中密度，速度，功率效率和可靠性是主要的设计目标。使用了非胆汁记忆（NVM）设备，具有常规的低维能力，但基于SRAM的TCAM设计，但也很密集，但较差，但可靠性较差或更高的功率TCAM设计。同时，还提出了一些使用动态记忆的TCAM设计。尽管动态设计TCAM比CMOS SRAM TCAM更密集，并且比NVM TCAM更可靠，但传统的逐行刷新操作在正常的TCAM活动的干扰瓶颈上升起。因此，本文提出了使用纳米电机力学（NEM）继电器设备的自定义低功率动态TCAM，该中继设备利用一声刷新来解决内存刷新问题。通过使用拟议的新细胞结构来利用独特的NEM继电器特性，提出的TCAM占据了仅3个晶体管的小占地面积（通过后端过程中的两个NEM继电器在顶部集成了两个NEM继电器），这显着超过了基于SRAM-SRAM-SRAM-SRAM-基于SRAM的TCAM的密度。此外，评估表明，拟议的TCAM分别超过了SRAM，RRAM和FEFET TCAM，将写入能效分别提高了2.31倍，131倍和13.5倍。 SRAM，RRAM和FEFET TCAMS分别提高了搜索能量固定产品的12.7倍，1.30倍和2.83倍。
NBTI 对 6T 读写操作影响的分析...
负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是 CMOS 器件中的一个重要可靠性问题，它会影响基于 CMOS 的电路的性能。因此，了解不同缺陷机制和关于应力和恢复时间的广泛操作条件对电路性能的影响对于产生可靠且可接受的设计裕度至关重要。在这项工作中，分析了使用 16 nm FinFET 技术设计的 6T SRAM 单元电路上的 NBTI 效应。研究了 NBTI 可靠性问题对传输延迟和功耗在读写操作中的影响。研究了基于不同缺陷机制、应力时间和工作温度条件的 6T SRAM 性能。使用由 N it 和 N it 与 N ot 结合引起的缺陷计算出的阈值电压偏移之间约有 74 mV 的差异。发现读取延迟不受应力时间的影响，而写入延迟在 10 年的应力时间内略有改善。使用 N it 模拟的 6T SRAM 单元的写入延迟在运行 10 年后比使用 N it 与 N ot 组合进行模拟时提高了 0.4%。在 125°C 下，运行 10 年后读取操作的功耗高于写入操作，分别为 4.09 µW 和 0.443 µW`。观察到 6T SRAM 单元的性能取决于缺陷机制的类别、静态和动态模拟条件以及工作温度。
Makro Group 的 BMTI FPGA 目录
测试、封装及故障分析、专用元器件生产线。该院已通过GJB9001B-2009质量体系认证、军工大规模集成电路生产线认证、军用标准二极管、三极管生产线认证、安全健康体系认证、环境保护体系认证。该研究所是航天微电子技术领域的主要研究所，专注于单片集成电路、微系统及模块生产，半导体分立器件开发，微处理器（CPU）、片上系统（SoC）、现场可编程逻辑集成电路（FPGA）、存储器件（SRAM/PROM）、模数/数模转换器（ADC/DAC）、总线电路、接口及驱动电路、逻辑电路、射频及微波电路、电源管理芯片、专用集成电路（ASIC）、分立器件、导航芯片组、二极管\三极管的设计
Makro Group 的 BMTI FPGA 目录
测试、封装及故障分析、专用元器件生产线。该院已通过GJB9001B-2009质量体系认证、军工大规模集成电路生产线认证、军用标准二极管、三极管生产线认证、安全健康体系认证、环境保护体系认证。该研究所是航天微电子技术领域的主要研究所，专注于单片集成电路、微系统及模块生产，半导体分立器件开发，微处理器（CPU）、片上系统（SoC）、现场可编程逻辑集成电路（FPGA）、存储器件（SRAM/PROM）、模数/数模转换器（ADC/DAC）、总线电路、接口及驱动电路、逻辑电路、射频及微波电路、电源管理芯片、专用集成电路（ASIC）、分立器件、导航芯片组、二极管\三极管的设计
辐射硬化的RADFET读数系统的设计
摘要 - 在辐射环境（例如空间）中，吸收剂量和剂量率的测量是一项常见的任务。这是用称为辐射剂量计的专用仪器来完成的。在空间任务中最常用的辐射剂量计中是基于辐射敏感的场效应晶体管（RADFET）的。 在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。 在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。 使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。。在本文中，我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念，以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片（MPSOC）进行的。使用嵌入式静态随机访问存储器（SRAM）对粒子通量的集成框架控制器（SRAM）实现了自主选择操作和耐故障模式，从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。
基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
新颖8T1R非...
摘要 - 静态随机记忆（SRAMS）是芯片行业不可或缺的一部分，由于其高性能和与CMOS技术的兼容性，占据了可观的记忆市场。传统的SRAM没有能力在电源后保留数据，从而阻止了它们在非易失性应用中的使用。本文提出了一种基于电阻RAM（RRAM）技术的新型非易失性SRAM（NVSRAM）设备。在单元格和内存阵列级别提出了SRAM与所提出的NVSRAM性能之间的比较。比较涵盖了几个指标，例如能源消耗，面积和静态噪声余量（SNM）。此外，这项工作提出了对RRAM变异性以及CMOS子系统变异性对NVSRAM性能的影响的深入分析。提出的结构表明，尽管有RRAM的可变性，但在稳定性和可靠性方面表现出了强大的NVSRAM性能。