XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSRAM
Qualcomm Cloud AI 100 平台和开发套件
• DM.2e @ 15W • DM.2 @ 25W • PCIe/HHHL @ 75W • AI 核心 (AIC) - 最多 16 个核心 • 精度 – INT8、INT16、FP16、FP32 • 片上 SRAM – 最多 144 MB • 4x64 LPDDR4x (2.1GHz) 带内联 ECC
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
欧洲核子研究中心 n_TOF 散裂源近场站的中子电子辐照
摘要 — 我们通过蒙特卡罗模拟、特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 和射电光致发光 (RPL) 剂量计研究了 CERN 中子飞行时间 (n_TOF) 设施 NEAR 站的中子场，目的是为电子辐照提供中子。模拟了 NEAR 几个测试位置的电子测试相关粒子通量和典型量，并将其与 CERN 高能加速器混合场设施 (CHARM) 的粒子通量和典型量进行比较，突出了相似点和不同点。在参考位置测试了基于单粒子翻转 (SEU) 和单粒子闩锁 (SEL) 计数的 SRAM 探测器（每个探测器具有不同的能量响应）和 RPL 剂量计，并将结果与 FLUKA 模拟进行了对比。最后，将 NEAR 的中子谱与最著名的散裂源和典型的感兴趣环境（用于加速器和大气应用）的中子谱进行比较，显示了该设施用于电子辐照的潜力。
硬件加速器设计具有太阳粒子事件预测的有监督的机器学习
摘要 - 在太阳粒子事件（SPE）的几个小时或几天内，宇宙辐射的强度可能在五个数量级上有所不同，从而增加了多个数量级的空间应用中单事件Upsets（SEU）的概率（SEU）。因此，至关重要的是要尽早检测SEU速率变化，以确保及时激活辐射硬化措施。在本文中，提出了用于预测IN-FIRKIT SEU变化的硬件加速器，以预测SPE。嵌入的片上SRAM用作实时粒子检测器。专用硬件加速器实现了监督的机器学习模型，以预测SRAM SEUS提前一个小时，每小时在SPE和正常条件下对SEU变化进行细粒度的小时跟踪。整个设计旨在用于在空间应用中采用的高度可靠和自适应的多处理系统。因此，目标系统可以在高辐射水平发作之前驱动适当的辐射硬化机制。
军事和航空航天产品概述
自 1980 年成立以来，IDT 一直是军事和航空航天市场的专业产品供应商。我们拥有广泛的产品组合，包括高速 SRAM、多端口存储器、FIFO、高性能逻辑、VME 桥、嵌入式主机桥 (EHB)、RapidIO ® 交换机和 PCI-e 至 RapidIO ® 桥，可用于军事和航空航天应用。
军事和航空航天产品概述
自 1980 年成立以来，IDT 一直是军事和航空航天市场产品的专门供应商。我们拥有广泛的产品组合，包括高速 SRAM、多端口存储器、FIFO、高性能逻辑、VME 桥、嵌入式主机桥 (EHB)、RapidIO ® 交换机和 PCI-e 至 RapidIO ® 桥，可用于军事和航空航天应用。
军事和航空航天产品概述
自 1980 年成立以来，IDT 一直是军事和航空航天市场产品的专门供应商。我们拥有广泛的产品组合，包括高速 SRAM、多端口存储器、FIFO、高性能逻辑、VME 桥、嵌入式主机桥 (EHB)、RapidIO ® 交换机和 PCI-e 至 RapidIO ® 桥，可用于军事和航空航天应用。
EEE5322-4310 - VLSI 电路与技术 1
本课程重点介绍现代数字电路的分析和设计。从数字角度介绍和描述硅技术和晶体管，并推导和评估各种电路的性能。将设计和分析 CMOS 数字电路。学生将使用商业软件 Cadance 进行为期一学期的团队 SRAM 芯片设计项目。项目将涵盖制造变化等高级主题。