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90nm高端CMOS技术
90nm 系列包括低功耗 CS100A-LL、高性能 CS100 和通用 CS100A-G，让客户能够灵活地选择合适的技术来区分其产品。CS100 的 HV（高 Vth 晶体管）比 CS100A-G 具有更高的性能和更低的功耗。I/O 范围为 1.8V 至 3.3V，SRAM 存储器单元尺寸小于 1.0µm 2 。
Kinetis K28F MCU 子系列 - NXP 半导体
Kinetis K28F MCU 子系列高性能 ARM® Cortex®-M4 MCU，带有 2 MB 闪存、1 MB SRAM、2 个 USB 控制器（高速和全速）、SDRAM 控制器、QuadSPI 接口和带内核电压旁路的电源管理控制器。 K28F 扩展了 Kinetis Micontroller 产品组合，使其具有大容量嵌入式存储器、高级外部存储器接口、性能和外设集成，同时保持了与以前 Kinetis 器件的高水平软件兼容性：• 扩展的存储器资源包括总共 2 MB 的可编程闪存和 1 MB 的嵌入式 SRAM，可用于支持数据记录和带显示屏的丰富人机界面的应用需求• 带内核电压旁路的电源管理控制器允许使用外部 PMIC，从而最大程度地提高系统的电源效率• K28F 利用 SDRAM 控制器和 QuadSPI 接口实现存储器扩展，从而从外部串行 NOR 闪存进行就地执行 (XIP)• USB 高速和无晶振全速控制器均集成了 PHY，以降低 BOM 成本• 集成的智能外设（如低功耗 UART 和定时器）以极低功耗模式运行，以优化系统的电池寿命
SR100A - 100 毫米高级过程记录仪 - accutech.ae
过程和配置数据可以以电子方式存储在容量高达 4 Mb 的可移动 PCMCIA SRAM 存储卡上。存储在存储卡中的数据通过外部读卡器或内置 PCMCIA 插槽传输到 PC。存储的信息以 DOS 格式文件保存，可使用 DOS 或 Windows 文件管理命令直接传输到 PC 磁盘或从 PC 磁盘传输。
通过微型神经网络实现移动存储中节省空间的 FTL
摘要 我们提出了 RQFTL，一种用于移动存储控制器的基于需求的 FTL，与最先进的技术相比，它可以提高有效的逻辑到物理 (L2P) 地址转换缓存容量。RQFTL 以压缩形式存储大部分 L2P 缓存，并采用一种名为 RQRMI 的学习数据结构，该结构利用微型神经网络快速找到缓存中的正确转换条目。RQFTL 使用神经网络推理进行缓存查找，并快速重新训练神经网络以有效处理 L2P 缓存更新。它经过专门优化，可实现对分散读取访问的高覆盖率，使其适用于移动游戏等流行的读取倾斜工作负载。我们根据 Google Pixel 6a 手机上收集的流行现代移动应用程序（包括游戏、视频编辑和社交网络应用程序）的长达数小时的真实 I/O 跟踪来评估 RQFTL。我们表明，在这些工作负载中，RQFTL 的表现优于所有最先进的 FTL，与 DFTL 相比，其有效 L2P 缓存容量提高了一个数量级以上，比最近的 LeaFTL 提高了 5 倍。因此，在相同的 SRAM 容量下，它与 DFTL 和 LeaFTL 相比分别实现了 65% 和 25% 的低失效率，并且允许将控制器的总 SRAM 容量减少到 LeaFTL 的三分之一左右。
SAMD21RT 销售表
SAMD21RT 是一款基于 32 位 Arm ® Cortex ® -M0+ 处理器的低功耗、耐辐射微控制器 (MCU)。它具有 128 KB 闪存和 16 KB SRAM，以及集成的模拟功能，采用小型 64 引脚封装。SAMD21RT 的最大工作频率为 48 MHz，达到 2.46 CoreMarks ® /MHz。该系列中的所有设备都包括智能灵活的外设、用于外设间信号传输的事件系统，并支持电容式触摸按钮、滑块和滚轮用户界面。
将形式化验证应用于基于 FPGA 的航空航天应用的早期评估：方法和经验
摘要 — 基于 SRAM 的现场可编程门阵列 (FP-GA) 已在航空航天应用中使用了十多年。遗憾的是，这些设备的一个显著缺点是它们对辐射效应的敏感性，这会导致存储器元件中的位翻转和半导体中的电离诱发故障，通常称为单粒子翻转 (SEU)。对基于 SRAM FPGA 的安全关键应用进行早期可靠性分析将使设计人员能够开发出符合设计要求（例如 DO-254 标准）的更可靠、更强大的设计。我们提出了一种基于概率模型检查的方法来分析此类设计的可靠性和可执行性，以指导设计决策。概率模型检查是一种众所周知的形式验证技术，其主要优点是分析详尽，从而可以对时间逻辑查询给出数值精确的答案，这与离散事件模拟形成鲜明对比。在所提出的方法中，从系统的高级描述开始，从提取的控制数据流图 (CDFG) 构建马尔可夫 (奖励) 模型。然后使用 PRISM 模型检查器工具自动验证各种可靠性和可执行性相关属性。
BF7512AMXX CN-MCU-数据手册-V1.0
工作电压(V) 2.5~5.5 2.5~5.5 2.5~5.5 内核 1T 8051 1T 8051 1T 8051 工作频率 12M 12M 12M FLASH 16K 16K 16K SRAM 256+512 256+512 256+512 类EEPROM 2*512Bytes 2*512Bytes 2*512Bytes GPIO 14 18 26 KEY 14 18 26 ADC 14 18 26 Timer 3 3 3 PWM 2 2 3 INT 2 3 3 IIC 1 1 1 UART 2 2 2 LED 串行 6*7 7*8 8*8 封装 SOP16 SOP20/TSSOP20/QFN20 SOP28/TSSOP28
OpenIPMC项目
●I2C / SPI硬件外围设备的数量→4 /6●GPIOS / UART / USART的数量→最多168/4 / 4 /4●免费工具链→STM32Cubeide●可用性●评估委员会→评估委员会→nucleo-H745ZI-Q（COSS 23 CHF） STM32F103C8T6（例如“蓝色药丸”板）●未来升级的性能范围→480 MHz皮层M7+240 MHz Cortex-M4●大SRAM/FLASH记忆→1024 KIB/2048 KIB●制造商的预期可靠性→制造商的预期可靠性→MCUS是MCUS的领导者。
seeed-studio-xiao series-som-datasheet.pdf
Item Value CPU Dual-core ARM Cortex M0+ processor up to 133MHz Flash Memory 2MB SRAM 264KB Digital I/O Pins 11 Analog I/O Pins 4 PWM Pins 11 I2C interface 1 SPI interface 1 UART interface 1 Power supply and downloading interface Type-C Power 3.3V/5V DC Dimensions 20×17.5×3.5mm Programming Language Arduino/Circuitppython/Micropython