XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSS12
BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响
TBSS123 N 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。