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Sagar Gujjunoori博士
•会议联合主席，国际人工智能趋势和模式认可，于2022年3月10日举行。•IEEE SS12国际项目竞赛与制造商Fair主席委员会主席•召集人，IEEE SS12和MAKER FAIR 2017（国家级项目竞赛）•召集人，设计思维思维研讨会2016年，2016年在Vardhaman Engineering College，2016年12月24日在Vardhaman Engineering College举行。• Convener, Community Outreach Proposal Exhibit 2016, held at Vardhaman College of Engineering • Technical Program Committee member for 6th IEEE International Advance Computing Conference (IACC 2016) • Attended International IEEE Sponsored “ EPICS in IEEE Workshop ” in April 2015 at KCT Coimbatore • Participated in IUCEE-EPICS workshop held at MLRIT Hyderabad, during 6th - 9 th July, 2016.•W orkshop的助教“为期两周的ISTE教学/学习计算机编程的教学/学习计算机编程的教师”，该教师是由IIT Bombay进行的，由IIT Bombay进行的，2010年6月28日至7月10日•参加了2009年12月21日，Hyderabad的“云计算”研讨会，参加了“云计算”研讨会。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
与...
a School of Mathematical Sciences, Faculty of Science and Engineering, University of Nottingham Malaysia, Jalan Broga, Semenyih, 43500, Selangor, Malaysia b Cancer Research Malaysia, 1 Jalan SS12/1A, Subang Jaya, 47500, Selangor, Malaysia c Centre for Cancer Genetic Epidemiology, Department of Public Health and Primary Care, University of Cambridge, CB1 8RN，剑桥，英国D癌症遗传学服务，新加坡国家癌症中心，新加坡E系，Yong Loo Lin医学院，新加坡国立大学和国立大学卫生系统，新加坡公共卫生学院，新加坡国立大学和新加坡大学健康系统，新加坡Genome Instercation of Singape and Singapore of Singapore of Singapore of Singapore of Singapore and Singapore and Singapore of Singapore and Singapore and Singapore（SING） Biopolis Street，基因组，＃02-01，新加坡，138672，新加坡H H癌症遗传流行病学中心，坎布里奇大学肿瘤学系，2麦草堤道，CB1 8RN，坎布里奇，英国I欧洲分子生物学实验室，欧洲生物学学院欧洲分子生物学学院，良好的基因组，库尔斯，校园，校园。吉隆坡的贾兰大学，马来西亚K遗传医学单位，马来亚大学医学中心，吉隆坡，马来西亚L仪馆，L L L姆普尔，马来西亚妇产科，马来亚大学马来亚大学医学院，马来西亚大学，马来西亚大学，吉隆坡，马来西亚大学MALAYSIA MALAYSIA M MALAYSIA MERVERY CENTRAL，NITY CONICATE HOSSICAL，NINTARY CENICAL和NATRANG NACHAPORE，SINGAPORE NENTAPORE NEDAPORE NENTAPORE NEDAPORE NEDAPORE。 SS12/1A，Subang Jaya，47500，马来西亚O大学O大学MALAYA癌症研究所，50603，吉隆坡，马来西亚P Lee Kong Chian医学院，Nanyang Technology University，新加坡，新加坡，新加坡，新加坡