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摘要。使用扫描隧道显微镜（STM）模板的氢终止硅的掺杂剂前体分子的附着，已用于将电子设备覆盖具有次纳米计精度的电子设备，通常用于量子物理学实验。这个过程，我们称之为原子精度高级制造（APAM），在固体溶解度极限之外掺入硅，并产生电气和光学特性，这些特性也可能对微电子和等离子化的应用也有用。但是，扫描的探针光刻缺少开发更复杂的应用所需的吞吐量。在这里，我们演示并表征了APAM设备工作流程，在该工作流程中，原子层的扫描探针光刻已被光刻所取代。紫外线激光显示出在纳秒时间尺度上氢化所需的温度高于温度的局部和控制的硅，这是一种抗性不足和过度暴露的过程。stm图像表明狭窄的能量密度范围，其中表面既受嘲笑又未受损。对光热加热和随后的氢脱附动力学进行建模表明，在我们的模式过程中达到的sil iCON表面温度超过了温度填充实验中氢去除氢所需的表面温度。与STM相比，发现通过依次的光灭绝区域进行磷的范德Pauw结构，然后将其暴露于磷酸的区域，然后将其暴露于磷酸。©作者。[doi：10.1117/1.jmm.20.1.014901]最后，还证明了可以同时执行的光含量和前体暴露步骤，这是使APAM在超高真空外启用APAM的潜在途径。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分配或复制此工作需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。
维度CRCL3
透射电子显微镜（TEM）实验已使用Tecnai G2 TF30茎系统进行，将Crcl 3 akes转移到200个网格var网格上。低分辨率和高分辨率（原子）TEM图像是在明亮的ELD条件下获取的。差异模式以差异模式获取。元素分析已在扫描TEM模式下使用EDX光谱法（牛津X-Max检测器）进行，并使用CLI虫 - Lorimer方法对数据进行了定量分析。在室温（RT）的UHV室中，使用扫描隧道显微镜（STM）Omicron VT-STM系统，使用电化学片段的W TIPPARITRECHEM-OMICRON VT-STM系统在UHV腔室中对空气暴露CRCL 3的测量进行了测量。30隧道电流 - 电压（i - V）曲线以恒定电流模式（在偏置电压o e o {2 V时）获取。X射线光发射光谱（XPS）和紫外光发射光谱（UPS）实验
电荷密度波在Kagome Magnet Fege中的不稳定性
抽象的kagome金属显示出由于几何挫败感，扁平带，多体效应和非平凡拓扑而引起的竞争量子阶段。最近，在FEGE的抗铁磁阶段深处发现了一种新型的电荷密度波（CDW），这引起了由于与磁性密切的关系而引起的强烈关注。在这里，通过扫描隧道显微镜（STM），我们发现FeGE中的2×2 CDW非常脆弱，并且很容易被破坏到最初的1×1相中。发现小√3×√3CDW水坑与在生长样品中的2×2 CDW并存，并且也可以在CDW中断的中间过程中诱导，最终将转变为最初的1×1相。此外，在中断过程中，异国情调的中间CDW状态和独立的CDW核出现了。我们的第一原则计算在CDW波矢量周围的大动量区域中发现平面光学声子模式的平等软化，对应于具有近距离能量的众多竞争CDW。这可能导致CDW基态的强烈不稳定，负责STM观测。我们的发现提供了更多新颖的实验方面，以了解FEGE中的CDW，并建议类似Fege的Kagome金属是研究竞争CDW不稳定性物理学的理想平台。
性能规格 - ASSIST-QuickSearch
美国质量协会 (ASQ) ASQ-Z1.4 — 按属性检验的程序、抽样和表格（国防部采用）。（可从 www.asq.org 获取此文件的副本。）ASTM INTERNATIONAL ASTM A1008/ - 钢材、板材、冷轧、ASTM A1008M 碳、结构、高强度低合金、具有改进的成形性要求硬度、溶液硬化和可烘烤硬化的高强度低合金的标准规范（DoD 采用） ASTM B152/B152M - 铜板、带、板和轧制棒的标准规范（DoD 采用） ASTM B633 - 钢铁上锌电镀层的标准规范（DoD 采用） ASTM D471 - 橡胶性能的标准测试方法 - 液体的影响（DoD 采用） ASTM F15 - 铁-镍-钴密封合金的标准规范 ASTM F1249 - 水蒸气透过率的标准测试方法使用调制红外传感器通过塑料薄膜和薄片（这些文件的副本可从 www.astm.org 获得。）静电放电协会 (ESD) ANSI/ESD STM 11.11 - 平面材料的表面电阻测量 - 保护静电放电敏感物品的标准测试方法 ANSI/ESD STM 11.31 - 评估静电放电屏蔽材料的性能 - 袋子，标准测试方法（这些文件的副本可从 www.esda.org 获得。）
循环经济的基于生物的和可生物降解的聚合物材料
1警察科学技术研究所，ICTP-CSIC，西班牙马德里28006鹿的胡安街； （V.O.-C。）; （V.S.）; （F.M.-G。）; gems@ictp.csic.es（G.R.C。）2大学材料技术研究所（IUTM），瓦尔E NCIA政策大学（UPV）。政治与政治与马德里工业工程师工业工程师和环境环境学院 ）; m.arriete@upm.es（M.P.A.） 材料，阿根廷；研究研究（CONICET），布宜诺斯艾利斯C1425FQB，阿根廷材料技术专家（IM），尼斯·瓦尔·纳西亚大学（UPV），带有Indiz和Coal 1，03801 Alcoy的西班牙Alcoy的FERR（UPV）； （J.S.-T。）; crip。 ）; （M.D.S.） 8 STM组， *通信： ）; （LP）<。2大学材料技术研究所（IUTM），瓦尔E NCIA政策大学（UPV）。政治与政治与马德里工业工程师工业工程师和环境环境学院）; m.arriete@upm.es（M.P.A.）材料，阿根廷；研究研究（CONICET），布宜诺斯艾利斯C1425FQB，阿根廷材料技术专家（IM），尼斯·瓦尔·纳西亚大学（UPV），带有Indiz和Coal 1，03801 Alcoy的西班牙Alcoy的FERR（UPV）； （J.S.-T。）; crip。）; （M.D.S.）8 STM组， *通信：）; （LP）<。
欧盟空间交通管理方法
空间监视与跟踪 (SST) 是欧盟 STM 的运营支柱，对于保护太空基础设施、设施和服务至关重要。得益于欧盟 SST 联盟内成员国提供的 SST 能力，欧盟已经具备了 SST 能力。已有 268 颗欧洲卫星受到碰撞风险保护。来自 23 个欧盟成员国的 135 多个公共和私人组织正在受益于欧盟 SST 能力。
职位类型：研究所的博士名称：...
简短描述：二维（2D）材料，例如石墨烯，过渡金属二甲植物（TMD）或分子纳米片，呈现出新型的纳米材料类别，它们在纳米科学和纳米技术中具有大量实现，范围从纳米电机到纳米元素，到纳米动物学技术。在该研究领域的挑战性目标之一是对2D材料在纳米级规模上的增长机制和结构的理解，这将是该博士学位项目的重点。博士候选人将使用现代表面科学技术（如X射线和UV光电光谱（XPS/UPS），真空原子力量和基于真空的原子力和扫描隧道显微镜（AFM/STM）（AFM/STM），低能量电子散射（Low Electron diffraction（Leed Electra）（Leed Electraction（Leed diffraction）），使用现代表面科学技术（AFM/UPS），X射线和紫外线光电光谱（XPS/UPS），使用现代表面科学技术（XPS/UPS）。他/她的工作将被大力纳入我们研究小组的主要研究活动中，以及最近建立的合作研究中心TRR234的活动中，“ Cataleight：层次结构材料中的光驱动分子催化”以及最大的欧盟项目“石墨烯旗舰”。
电流引起的一维扩散...
或者，可以将掺杂剂沉积到GNR上，15,16，但鲜为人知的是如何通过GNR产生吸附的掺杂剂。在这里，我们证明，在抑制热差异的浴温度下，高电流会驱动掺杂原子来划分。有趣的是，差异是与GNR共同的，从而使GNR独特的模型系统用于研究一个维度的原子差异。特定的GNR顶部的原子，其本身被吸附在AU（111）上（111）。我们将大型电流注入GNR中，STM尖端与GNR接触，在与靶向的CO原子的各种距离处。因此，驱动ad-artoms的驱动范围，我们发现几乎所有的co原子都依赖于GNR，并沿着肋骨进行了差异。我们分析了电流引起的侧向位移的统计分布，显示出与热驱动过程相似的非方向跳跃。我们预计系统可以是
基于醌的单分子开关作为分子电子学的构建块
虽然半导体电路的小型化仍在继续，但它已不再遵循摩尔定律，摩尔定律预测每 18 个月单位面积晶体管数量将翻一番。这种小型化必须在可预见的未来达到其物理极限。克服这一障碍的一种可能途径是使用分子电子学，其中单个分子将充当电子设备的构建块，例如晶体管或存储元件。张 1 最近的一篇评论文章展示了一个活跃的研究领域。Schaub 等人 2,3 报道了一种可控开关，由沉积在 Cu-(110) 表面上的偶氮苯分子组成。如果施加大于 0.3 V 的电压，则可以产生两种对称性相关的互变异构体中的一种，具体取决于扫描隧道显微镜 (STM) 尖端的位置。较小的电压允许在不改变分子的情况下确定其当前的互变异构状态。翻译成计算语言，这构成了一个可以写入和读取的存储元件。不幸的是，STM 尖端需要移动到分子上方的正确位置，这使得操作无法以可能与当前微电子器件相媲美的频率进行。另一个问题是，电导率的变化只与表面垂直的方向有关，因为支撑金属会使任何平行于表面的电压短路。为了制造出可用于电子设备的分子，必须具备三个先决条件：双稳态、