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动力系统和车身电子设备的智能电源技术
众所周知，电子技术正在缓慢但渐进地侵入汽车环境的每个部分（图 1）；它首先进入汽车收音机，然后逐渐扩展，现在存在于汽车的所有子系统中。对于那些喜欢“历史”方法的人来说，汽车电子的发展被分为三个主要部分，每个部分又细分为不同的阶段，与当时通用电子技术的最新水平相关。今天，在 90 年代初，我们正处于智能电源阶段，这正是我们打算在这里简要讨论的（见图 2）。首先，我们将看一些定义：智能电源或智能电源表示那些集成电路系列，它们既包括逻辑控制电路，也包括能够向通用负载提供大量功率的组件。从数字上看，如果电路能够向负载提供超过 0.5A 的电流，或能够承受超过 50V 的电压，或能够向负载提供至少 1W 的功率，则可以将其视为智能电源。多年来，意法半导体开发了各种技术，可以实现智能电源电路（图 3）。对这些技术进行分类的最简单方法是参考工艺类型，可以是纯双极型或混合型，即在单个硅片上同时包括 MOS 结构（控制和功率）和双极结构。另一种方法（图 4）是检查电流流过功率部分的方式；水平方向，电流通过上表面进入和流出，或垂直方向，电流通过上表面进入并通过下表面流出；对于这种下部连接，使用封装的连接杆代替导线。选择哪一种技术取决于各种因素（图 5），但尽可能简化标准，我们可以说，垂直技术可以保证给定面积的较低电阻，但它们的局限性在于每个电路只能包含一个功率器件（或多个，但集电极或漏极必须短路）；而
耐久性下降后的 1T-NOR 闪存
a 意法半导体，法国鲁塞 b 艾克斯-马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国 摘要 在本文中，我们对 100 万次编程/擦除 (P/E) 操作后的 1T-NOR 闪存电气特性进行了 TCAD 模拟。由于 TCAD 模拟，提出了空间缺陷分布来解释耐久性下降的原因。工艺模拟基于意法半导体生产的 90 nm 节点嵌入式非易失性存储器技术 (eNVM)。编程和擦除期间使用热载流子注入 (HCI) 和高级隧道模型，而闪存性能下降则通过位于 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 内部的缺陷来考虑。获得的循环前后编程窗口以及消耗电流的结果与实验结果高度一致。此外，在此框架内，可以正确重现 100 万次循环后无应力闪存侧的 IV 特性，如文献中先前报道的那样。 1. 引言电荷存储浮栅存储器Flash-EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）或简称Flash，可以说是迄今为止市场上最成功的非易失性存储器之一，每年仍有数十亿个单元被处理，预计到2028年，复合年增长率（CGAR）将达到14.4% [1]。它的可靠性（主要包括耐用性和数据保留率）在过去几十年中得到了广泛的研究[2-4]。在本文中，我们使用技术计算机辅助设计（TCAD）来模拟100万次循环后的1T-NOR闪存编程窗口关闭。TCAD是一种基于物理的数值建模方法，用于精确模拟微电子器件的制造工艺和电气特性，该工具已成功用于器件性能优化和可靠性提高[5,6,7]。与[8]类似，Flash耐用性是通过缺陷建模的；然而，在本文中，我们采用了 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 体氧化物中的非均匀缺陷分布以及不同类型的缺陷。这种方法与 [4] 中报道的实验结果一致。
2020年授予美国专利的前300个组织
51 TCL CORPORATION 880 -30% 52 INFINEON TECHNOLOGIES AG 834 -12% 53 HEWLETT PACKARD ENTERPRISE 831 1% 54 GENERAL MOTORS COMPANY 802 -40% 55 WESTERN DIGITAL CORPORATION 788 6% 56 ORACLE CORPORATION 783 -11% 57 HALLIBURTON COMPANY 778 -24% 58 NOKIA CORPORATION 757 -20% 59 KIOXIA HOLDINGS公司756 4％60 Capital One FinancialCorp。74720％20％61 Sumitomo Electric Industries 740 2％62 Applied Materials，Inc。7380％63 SAP SE 737 9％64 Alibaba Group Holding Limited 721 150％65 SoftBank GroupCorp。72014％66％66兄弟工业，LTD，LTD。 713 -8% 67 VERIZON COMMUNICATIONS INC. 712 11% 68 BAYER AG 706 -9% 69 UNIVERSITY OF CALIFORNIA 687 -2% 70 SAUDI ARABIAN OIL COMPANY 683 30% 71 3M COMPANY 668 -1% 72 PORSCHE AUTOMOBIL HOLDING SE 658 5% 73 NXP SEMICONDUCTORS N.V. 649 0% 74 STMICROELECTRONICS 646 -14% 75 OLYMPUS CORPORATION 643 -9% 76 SAFRAN S.A. 641 13% 77 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY 640 18% 78 FANUC CORPORATION 634 -5% 79 SCHLUMBERGER LIMITED 633 -27% 80 LENOVO GROUP LIMITED 630 0% 81 TENCENT HOLDINGS LTD 623 38% 82 BOSTON SCIENTIFIC CORPORATION 605 -1% 83 KONICA MINOLTA, INC. 587 -13% 84 JAPAN DISPLAY INC. 580 -15% 85 TDK CORPORATION 578 12% 86 BAKER HUGHES COMPANY 572 -3% 87 MUBADALA INVESTMENT COMPANY 571 -30% 88 BBK ELECTRONICS CORPORATION 564 54% 89 AIRBUS SE 560 -11% 90 SEMICONDUCTOR ENERGY LAB 556 -20% 91 ROLLS-ROYCE GROUP PLC 553 -9％92 Commscope Inc.550 -1％93 Mitsubishi重型产业有限公司。 530 9％94 Salesforce.com，Inc。52545％95 BASF SE 517 -16％96 ETRI 499 -15％97 Tokyo Electron Limited 498 21％98大陆AG 495 5％99 Adobe Inc.490 2％100 2％100 Corning Incorporated 488 -15％488 -15％
2022 年获得美国专利的前 300 家组织
50 日本电报电话公司 815 89% 52 应用材料株式会社 793 5% 53 腾讯控股有限公司 789 24% 54 VMWARE, INC. 762 -18% 55 甲骨文公司 759 10% 56 霍尼韦尔国际公司 750 -20% 57 通用汽车公司 734 -3% 58 西部数据公司 733 -4% 59 CAPITAL ONE FINANCIAL 708 1% 60 诺基亚公司 694 0% 61 理光公司676 -13% 61 VERIZON COMMUNICATIONS INC. 676 -3% 63 BROTHER INDUSTRIES, LTD. 659 10% 64 英飞凌科技股份公司 657 -4% 65 SAP SE 656 4% 66 夏普株式会社 653 -24% 67 富士通有限公司 652 -18% 68 SALESFORCE.COM, INC. 634 7% 69 保时捷汽车控股 SE 633 -8% 70 联想集团有限公司 632 10% 71 铠侠控股株式会社 625 -7% 72 康普公司 624 30% 73 百度公司 618 43% 74 住友电气工业公司 611 -13% 75 美国银行公司 608 19% 76 TDK CORPORATION 594 11% 77 意法半导体 587 -4% 78 加州大学 570 -15% 79 软银集团公司 565 -3% 79 东京电子有限公司 565 21% 81 赛峰集团 560 2% 82 空中客车公司 523 12% 83 三菱重工业株式会社522 -2% 84 惠普企业 511 -4% 85 3M 公司 508 -11% 85 拜耳股份公司 508 4% 87 小米公司 503 33% 88 波士顿科学公司 494 -7% 89 康宁公司 483 13% 90 卡特彼勒公司 482 1% 91 恩智浦半导体公司 471 -2% 92 劳斯莱斯控股公司 464 -13% 93 大陆汽车集团 459 1% 94 德国电信股份公司 457 10% 94 三星电机 457 -5% 96 迪尔公司 452 4% 97 史赛克公司 444 -8% 98 先进微设备公司 438 -2% 99 斯奈普公司 437 24% 100 宝洁公司 433 -20%
2021 年获得美国专利的前 300 家组织
51 TCL集团 837 -5% 52 京瓷株式会社 831 -15% 53 富士通有限公司 795 -27% 54 步步高电子株式会社 792 40% 55 先进新技术 790 22% 56 理光株式会社774 -17% 57 西部数据公司 760 -4% 58 通用汽车公司 759 -5% 59 应用材料公司 756 2% 60 威瑞森通信公司 712 0% 61 保时捷汽车控股公司 708 8% 62 住友电气工业公司 707 -4% 63 第一资本金融公司 699 -6% 64 诺基亚公司 697 -8% 65 英飞凌技术股份公司 688 -18% 66 铠侠控股公司 672 -11% 67 加州大学 671 -2% 68腾讯控股有限公司 639 3% 69 SAP SE 633 -14% 70 甲骨文公司 617 -21% 71 意法半导体 606 -6% 72 兄弟工业株式会社 599 -16% 73 SALESFORCE.COM, INC. 594 13% 74 3M 公司 581 -13% 75 联想集团有限公司 573 -9% 76 软银集团有限公司 561 -22% 77 赛峰集团 549 -14% 78 宝洁公司 540 -16% 79 惠普企业 537 -35% 80 三菱重工业株式会社534 1% 81 TDK 株式会社 531 -8% 82 奥林巴斯株式会社 523 -19% 83 波士顿科学公司 518 -14% 84 拜耳股份公司 517 -27% 85 劳斯莱斯控股有限公司 515 -7% 86 美国银行公司 513 16% 87 ADOBE INC. 489 0% 88 巴斯夫 SE 488 -6% 89 半导体能源实验室 483 -13% 90 康普公司 482 -12% 90 恩智浦半导体公司 482 -26% 92 三星电机 481 1% 93卡特彼勒公司 479 19% 94 罗氏控股公司 476 4% 95 史赛克公司 475 20% 96 东京电子有限公司 467 -6% 97 空中客车公司 465 -17% 98 大陆集团 453 -8% 99 百度公司 443 14% 100 斯伦贝谢有限公司 435 -31%
2023 年获得美国专利的前 300 家组织
51 哈里伯顿公司 739 -24% 52 京瓷株式会社 717 -12% 53 英飞凌科技股份公司 716 7% 54 腾讯控股有限公司 702 -11% 55 惠普公司 691 -50% 56 意法半导体 689 17% 57 铠侠控股株式会社 687 10% 58 T-MOBILE / 德国电信股份公司 680 7% 59 西部数据公司 674 -8% 60 SNAP 公司 658 51% 61 诺基亚公司 651 -6% 61 荷兰皇家飞利浦公司 651 -21% 63 SALESFORCE.COM, INC. 646 1% 64 美国银行公司 644 6% 65 康普公司 638 2% 66 兄弟工业株式会社 637 -3% 67 百度公司 626 1% 68 TDK 株式会社 604 -4% 69 理光公司576 -15% 70 ADEIA INC. 554 27% 71 东京电子有限公司 551 -2% 72 美国电话电报公司 547 -35% 73 加州大学 546 -4% 74 康宁公司 544 13% 75 威瑞森通信公司 540 -2% 76 富国银行 537 32% 77 联想集团有限公司 530 -16% 78 康卡斯特公司 529 28% 79 保时捷汽车控股 SE 521 -20% 79 日本显示器公司 521 35% 79 富士通有限公司 521 -20% 82史赛克公司 520 15% 83 SAP SE 519 -21% 84 OPPO 移动通信 516 -32% 85 TCL 集团 515 -54% 86 空中客车公司 512 -3% 87 贝克顿·迪金森公司 511 22% 88 先进微设备公司 508 9% 89 惠普企业 503 -3% 90 赛峰公司 502 -10% 90 三星电机 502 10% 92 卡特彼勒公司 500 4% 93 夏普公司 498 -24% 94 迪尔公司 497 9% 95 英伟达公司 494 77% 96 波士顿科学公司 491 -1% 97 宝洁公司 489 13% 98 Adobe Inc. 481 15% 99 半导体能源实验室 475 16% 100 耐克公司 464 20%
行业洞察力：半导体部门报告
在€Mn Exp中。5Y EBITDA Company Name EV LTM Sales EPS Growth Margin EV/Sales EV/EBITDA Advanced Micro Devices, Inc. 199.392 20.890 31% 14% 8,5x 48,0x Ambarella, Inc. 2.100 244 20% -47% 9,8x NM Arm Holdings plc 60.070 2.681 39% 12% 20,1x 50,7x Analog Devices, Inc. 93.873 11.618 10% 51% 10,1x 22,0x Broadcom Inc. 418.715 33.817 15% 57% 9,0x 15,0x Impinj, Inc. 2.285 296 NM -5% 8,0x 168,4x Infineon Technologies AG 49.639 16.309 7% 35% 2,9x 8,5x Intel Corporation 199.554 49.946 2％16％3,6x 12,3x晶格半导体CORPORATIO 8.115 702 14％35％11,9x 28,2X Mediatek Inc. 42.251 12.099 9％20％20％20％2,5X 11,6X Microchip Technology Incormate Microchip Technology Incormate Incormate Incormate Incormate 50.222 8.451 1％1％49％7,44 x 17,4X 17,4X。 591 -9% 11% 3,4x 32,7x NVIDIA Corporation 1.065.238 42.362 39% 49% 13,1x 26,5x NXP Semiconductors N.V. 59.830 12.439 12% 37% 4,8x 11,8x ON Semiconductor Corporation 32.837 7.878 9% 39% 4,4x 11,6x Qorvo, Inc. 10.857 2.958 31% 12% 3,0x 12,1x QUALCOMM Incorporated 145.412 33.613 11% 29% 4,1x 11,4x Realtek Semiconductor Corp. 5.511 2.770 3% 10% 1,8x 14,2x Renesas Electronics Corporation 29.476 9.478 14% 32% 3,1x 7,7x Semtech Corporation 2.404 796 15% 1% 3,2x 20,8x Silicon Laboratories Inc. 3.287 900 NM 13% 6,7x 292,2x Skyworks Solutions, Inc. 16.602 4.509 -2% 33% 4,0x 10,6x STMicroelectronics N.V. 38.135 16.466 4% 38% 2,3x 6,8x Synaptics Incorporated 4.111 1.082 9％14％4,2X 23,8X Texas Instruments Incorporated 137.348 137.348 17.112 2％49％8,6X 18,3X U-Blox Holding AG 681 677 NM 21％21％1,1X 5,7X 5,7X平均12％24％6,2X 24,224,7X 24,7X中位数10％25％25％25％4,4,4,4,0,0x
ETMOS：外延过渡金属二硫属化物到宽带隙六方半导体上，用于先进
ETMOS 项目旨在通过分子束外延 (MBE) 和脉冲激光沉积 (PLD) 开发电子级过渡金属二硫属化物 (TMD) 的大面积生长。根据最近关于在六方晶体衬底上生长的 MoS2 外延质量的报告和初步结果，我们将推动这些材料在宽带隙 (WBG) 六方半导体 (SiC、GaN、AlN、AlGaN 合金) 和绝缘蓝宝石上的外延层生长。五个合作伙伴在薄膜生长 (CNRS、SAS)、高级特性和模拟 (CNR、HAS、U-Pa)、加工和电子设备原型 (CNR) 方面拥有互补的技能。将在不同衬底 (Si、蓝宝石、SiC、块状 GaN) 上生长 WBG 半导体模板/薄膜，以完全控制起始材料的特性并制备外延就绪表面，从而实现高质量和均匀的 TMD MBE 和 PLD 生长。沉积范围将从单层 (1L) 到几层 (最多 5) MoS2 和 WSe2，并在直径最大为 100 毫米的晶片上控制亚单层厚度。将开发 MBE 或 PLD 期间的 TMD 替代掺杂，重点是 MoS2 的 p+ 掺杂，这对设备应用具有战略意义。除了生长设施外，ETMOS 联盟还拥有整套形态、结构、化学、光学和电扫描探针表征，有助于在每个生长步骤中实现高质量。将通过专门设计的测试设备研究 TMD 的电性能 (掺杂、迁移率、电阻率等) 以及跨 TMD/WBG 异质结的电流传输。实验将通过生长模拟和 WBG 上 TMD 电子能带结构的从头计算来补充。将制定多尺度表征协议，以将我们的外延 TMD 与使用相同或互补沉积方法的其他小组的结果进行对比。最后，将制造利用 TMDs/WBG 异质结特性的器件原型，包括：(i) 基于 p+-MoS2 与 n-GaN 或 n-SiC 原子突变异质结的带间隧穿二极管和晶体管；(ii) MoS2/GaN 和 MoS2/SiC UV 光电二极管；(iii) 具有 Al(Ga)N/GaN 发射极和 1L TMD 基极的热电子晶体管。开发的材料/工艺的目标是在项目结束时达到 TRL=5。由于 ETMOS 合作伙伴与 SiC 和 GaN 领域的领先工业企业（STMicroelectronics、TopGaN、Lumilog）保持着持续合作，因此来自行业的代表将成为 ETMOS 顾问委员会的成员，为工艺与生产环境的兼容性提供指导。我们的 TMDs 生长活动与常用的 CVD 方法高度互补。我们预计与石墨烯旗舰项目第 1 和第 3 部门的团队将产生强大的协同作用，从而促进欧洲在 TMD 和设备应用大面积增长方面的能力。
高速门级同步全加器设计
摘要：加法是数字计算机系统的基础。本文介绍了三种基于标准单元库元素的新型门级全加器设计：一种设计涉及 XNOR 和多路复用器门 (XNM)，另一种设计利用 XNOR、AND、反相器、多路复用器和复合门 (XNAIMC)，第三种设计结合了 XOR、AND 和复合门 (XAC)。已与许多其他现有的门级全加器实现进行了比较。基于对 32 位进位纹波加法器实现的广泛模拟；针对高速（低 V t ）65nm STMicroelectronics CMOS 工艺的三个工艺、电压和温度 (PVT) 角，发现基于 XAC 的全加器与所有门级同类产品相比都具有延迟效率，甚至与库中可用的全加器单元相比也是如此。发现基于 XNM 的全加器具有面积效率，而基于 XNAIMC 的全加器在速度和面积方面与其他两种加法器相比略有折衷。I. 简介二进制全加器通常位于微处理器和数字信号处理器数据路径的关键路径中，因为它们是几乎所有算术运算的基础。它是用于许多基本运算（如乘法、除法和缓存或内存访问的地址计算）的核心模块，通常存在于算术逻辑单元和浮点单元中。因此，它们的速度优化对于高性能应用具有巨大的潜力。1 位全加器模块基本上由三个输入位（例如 a、b 和 cin）组成并产生两个输出（例如 sum 和 cout），其中' sum'指两个输入位'a'和'b'的总和，cin 是从前一级到这一级的进位输入。此阶段的溢出进位输出标记为“ cout ”。文献 [1] – [10] 中提出了许多用于全加器功能的高效全定制晶体管级解决方案，优化了速度、功率和面积等部分或所有设计指标。在本文中，我们的主要重点是使用标准单元库 [11] 中现成的现成组件实现高性能全加器功能。因此，我们的方法是半定制的，而不是全定制的。本文主要关注逻辑级全加器的新颖设计，并从性能和面积角度重点介绍了与许多其他现有门级解决方案的比较。从这项工作中得出的推论可用于进一步改进晶体管级的全加器设计。除此之外，本文还旨在提供教学价值的附加值。本文的其余部分组织如下。第 2 节介绍了 1 位二进制全加器的各种现有门级实现。第 3 节提到了三种新提出的全加器设计。第 4 节详细介绍了模拟机制和获得的结果。最后，我们在下一节中总结。
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日期 时间 开始时间 结束时间 轨道 会议室 会议主席 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A1. 混合和熔融键合 1 Veranda I Yong-Fen Hsieh 博士，MA-Tek 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A2. 晶圆处理和特性 Veranda II Suresh Singaram 博士，Evactec 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A3. 新兴技术 Veranda III Kanaya Haruichi 教授，九州大学 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 A4. 先进封装 1 RiverFront I Wang Yu-Po 博士，硅品精密工业有限公司 2024 年 12 月 5 日上午 09:00 上午 10:30 TSV 和晶圆级封装 1 RiverFront II Albert Lan，应用材料公司 12/05/2024 09:00 AM 10:30 AM A6。热管理和表征 1 RiverFront III Fusinobu Kazuyoshi 教授，东京工业大学 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B1.混合和熔接 2 Veranda I James Papanu 博士，Tokyo Electron Limited 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B2.互连技术 1 Veranda II 杨成博士，JCET 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B3.热界面材料 Veranda III Senthil Kumar，贺利氏 12/05/2024 10:45 AM 11:45 AM B4。先进封装 2 RiverFront I Torseten Wipiejewski 博士，华为 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B5. 装配和制造技术 1 RiverFront II Jing-En Luan，意法半导体新加坡 2024/12/05 10:45 AM 11:45 AM B6. 热管理和特性 2 RiverFront III Hardik Kabaria，Vinci4D 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C1. 电气模拟和特性 1 Veranda I Masahiro Aoyagi 教授，熊本大学 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM C2. 无线和天线封装设计 Veranda II Chia Chu Lai，矽品精密工业有限公司 2024/12/05 13:00 PM 2:00 PM材料与加工 1 Veranda III Takenori Fujiwara，东丽 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C4. 机械模拟与特性 1 RiverFront I Che Faxing 博士，美光 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C5. TSV 和晶圆级封装 2 RiverFront II Chew Soon Aik，imec 2024 年 12 月 5 日下午 1:00 下午 2:00 C6. 热管理和特性 3 RiverFront III Winston Zhang 博士，Novark Technologies 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D1. 电气模拟与特性 2 Veranda I Mihai Dragos Rotaru，IME 新加坡 2024 年 12 月 5 日下午 3:00 下午 4:20 D2.互连技术 2 Veranda II Seungbae Park 教授，宾汉姆顿大学 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D3. 材料与加工 2 Veranda III SS Kang，贺利氏新加坡 12/05/2024 3:00 PM 4:20 PM D4. 机械模拟与特性 2 RiverFront I Chiang Kuo Ning 教授，国立清华大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E1. 装配与制造技术 2 Veranda I Mark Shaw，意法半导体 意大利 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E2. 晶圆处理与特性 2 Veranda II Toh Chin Hock 博士，苹果 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM材料与加工 3 Veranda III 金成东教授，首尔国立科技大学 2024 年 12 月 6 日上午 9:00 上午 10:20 E4。机械仿真和特性 3 RiverFront I Sasi Kumar Tippabhotla，IME，新加坡 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E5. 质量、可靠性和故障分析 1 RiverFront II Jeff Suhling 教授，奥本大学 12/06/2024 09:00 AM 10:20 AM E6. 硅中介层和加工 RiverFront III Prayudi Lianto 博士，应用材料公司 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F1. 汽车和功率器件封装 Veranda I Tang Gongyue 博士，IME 新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F2.质量、可靠性和故障分析 2 Veranda II Xue Ming，英飞凌 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F3. 材料与加工 4 Veranda III Alvin Lee 博士，Brewer Science 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F4. 先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟与特性 3 RiverFront II Bruce Kim 教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6.热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2. 晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料和加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4.智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，应用材料 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G5. TSV 和晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 2024 年 12 月 6 日下午 12:55 下午 02:15 G6. 嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Dr Masahisa Fujino，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 下午 3:30 H3.材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片与封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H6. 基板上的倒装芯片与扇出 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真和特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research先进光电子学 RiverFront I Vasarla Nagendra Sekhar，IME，新加坡 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F5. 电气模拟和特性 3 RiverFront II 布鲁斯金教授，纽约城市大学 12/06/2024 10:35 AM 11:55 AM F6. 热管理和特性 4 RiverFront III Refai-Ahmed Gamal 博士，AMD 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G1. 键合和脱键合工艺 Veranda I Viorel Dragoi 博士，EV Group 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G2.晶圆处理和特性 3 Veranda II Clifford Sandstrom，Deca Technologies 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G3. 材料与加工 5 Veranda III DDr Alvin Lee，Brewer Science 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G4. 智能制造、设备与工具协同设计 RiverFront I Dangayach Sachin，Applied Materials 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G5. TSV 与晶圆级封装 3 RiverFront II Vempati Srinivasa Rao，IME 12/06/2024 12:55 PM 02:15 PM G6.嵌入式和扇出型封装 RiverFront III Masahisa Fujino 博士，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H2. 质量、可靠性和故障分析 3 Veranda II David Gani，意法半导体 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H3. 材料与加工 6 Veranda III Hemanth Kumar Cheemalamarri，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H4. 机械仿真与特性 4 RiverFront I Rathin Mandal，IME 新加坡 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30 H5 高级芯片和封装设计 ReverFront II Kelly Brian 博士，AMD 2024 年 12 月 6 日下午 2:30 3:30基板上的倒装芯片和扇出型 RiverFront III Lee Chee Ping，Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research下午 30:00 H5 先进芯片和封装设计 ReverFront II Dr Kelly Brian, AMD 12/06/2024 下午 2:30 下午 3:30 H6. 基板上的倒装芯片和扇出 RiverFront III Lee Chee Ping, Lam Research