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个人（完成后）附件 F：服务投诉 F
投诉时间表 1.如果您想提出服务投诉，通常必须在事件发生之日起三个月内提出投诉（如果该事件是单一事件）；最新事件发生之日（如果该事件发生在一段时间内）；或特殊类型程序 (STT)（如果适用）结束之日 - 有关 STT 流程的进一步指导，请参阅程序文件第 2 章第 2.6.1 和 2.6.2 款。支持和建议 2.在提交服务投诉之前，您可能需要咨询您的助理官员 (AO)，以帮助您填写此表格。这可能是军官、准尉、高级士官或公务员，相关单一服务秘书处中央受理小组 (CAT) 可以为您任命或安排任命，或者您可以自己联系某人。有关 AO 的角色和职责的更多详细信息，请参阅程序文件第 8 章。3.如果适用于您的投诉情况，您应该向部门多元化和包容性顾问 (D&I (A)) 寻求建议 - 有关 D&I(A) 角色的详细信息，请参阅 JSP 763 第 2 部分附件 C - 国防部行为和非正式投诉解决政策。在整个服务投诉过程中，您还可以获得一系列独立帮助，这些帮助可以在程序文件的附件 Q 中找到。如何填写服务投诉表 4.建议您通过我的投诉应用程序提交投诉声明（可通过国防网关上的 SCIO 门户访问）。如果这不合适，您可以使用附件 F 表格以书面形式提交服务投诉，并将其发送给您的单个服务秘书处中央受理团队 (CAT)。这些团队的详细信息以及应将您的服务投诉表发送给谁，您可以在附件 Q 中找到，或者如果您不确定向谁投诉，请咨询您所在部门的人力资源团队。5.如果您的投诉涉及许多类似或相关事件（例如涉及同一个人），您应该提交一份服务投诉表。否则，每个投诉都应使用单独的表格进行。6.在陈述您的投诉时，请尽可能清楚地提供您声称自己受到不公正对待的事实和情况（参见第 3 节）。您必须列出：a.每起事件的日期、时间和地点。如果您不记得所投诉事件的日期，请说明。如果您应该按照日期顺序执行此操作，从最早到最近，然后编号。b. 事件本身，或者，如果有多个事件，则为每个事件编号。
SOT-MRAM 动力学的微磁建模
自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器 (SOT-MRAM) 器件由于其非易失性、低功耗、高切换速度和耐久性而成为传统存储器的一种颇具吸引力的替代品 [1]。这些器件由磁隧道结 (MTJ) 和 SOT 重金属 (HM) 层组成。在 HM 层上施加电流会产生作用于 MTJ 中铁磁 (FM) 自由层 (FL) 的体自旋扭矩和界面自旋扭矩，这种扭矩源于 HM 层中存在的强自旋轨道耦合，从而可以操纵 FL 磁化。SOT 的对称性为设计具有垂直磁化方向的 SOT-MRAM 单元带来了挑战，以实现适合存储器应用的密度。已经提出并展示了几种解决方案，其中一些需要外部磁场、额外的对称性破坏层或 SOT 与自旋转移扭矩 (STT) 的组合 [1,2]。为了克服工程挑战并加速 SOT-MRAM 设备的开发和采用，需要能够快速准确地探索这些设备设计空间的软件。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
Esmethadone-HCl（Rel-1017）：有希望的快速抗抑郁剂
已成功地用于有效操纵磁化，从而导致了最近的商业STT磁性记忆解决方案。[1]自旋 - 轨道扭矩（SOT），该扭矩（SOT）使用高自旋霍尔效应（SHA）材料中的平面电荷电流产生的平面自旋电流，可以实现对磁磁性的更节能的操纵，并且正在达到商业兼容。[2–4]到目前为止，已经研究了各种高自旋 - 轨道耦合（SOC）材料，包括重金属，拓扑绝缘子（TIS），[5-7]以及最近的拓扑半学（TSMS），[8-11]，[8-11] J S | / | J C | ，将其在转换电荷电流密度j c转换为旋转电流密度j s的效率的度量。此外，还研究了高HIM和FM材料层之间的界面工程，以最大程度地跨越界面，以最大化自旋透射式T int。[12–19]有效SOT Spintronic设备的主要挑战是最大化SOT效率，ξ=θSh·t int。[20]
全范德华异质结构中的自旋轨道扭矩切换
已成功用于有效操控磁化，从而产生了最近的基于 STT 的商业化磁存储器解决方案。 [1] 自旋轨道扭矩 (SOT) 利用高自旋霍尔效应 (SHE) 材料中的平面电荷电流产生的平面外自旋电流，可以实现更节能的磁化操控，并且正在达到商业成熟度。 [2–4] 到目前为止，已经研究了各种高自旋轨道耦合 (SOC) 材料，包括重金属、拓扑绝缘体 (TI) [5–7] 以及最近的拓扑半金属 (TSM) [8–11]，以最大化它们的自旋霍尔角 θ SH = | J s | / | J c |，这是它们将电荷电流密度 J c 转换为自旋电流密度 J s 的效率的量度。此外，已经研究了高 SHE 和 FM 材料层之间的界面工程，以最大化跨界面的自旋透明度 T int。 [12–19] 高效 SOT 自旋电子器件的关键挑战是最大化 SOT 效率，ξ= θ SH · T int。[20]
通过界面工程提高手性畴壁电流诱导运动的效率
随着体积自旋转移矩 (STT) [11,12] 和自旋轨道矩 (SOT) [13–16] 机制的进步，电流诱导畴壁 (DW) 运动 (CIDWM) 已从平面磁性 [8] 演变为合成反铁磁 (SAF) [9,10] 赛道。在铁磁体/重金属 (HM) 界面处存在破缺的反演对称性时，自旋轨道耦合产生手性自旋矩，[17] 驱动 Néel 畴壁运动，具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的薄膜，由铁磁体/HM 界面处的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用 (DMI) 稳定，[18] 可以沿电流方向以高速移动 [12,15,19]，既可以沿直线赛道，也可以沿曲线赛道移动。 [20] 据报道，SAF 赛道中存在一种更高效的 DW 运动，该赛道由两个垂直磁化的铁磁子赛道组成，它们通过超薄钌层反铁磁耦合。[10] SAF 结构中的巨大交换耦合扭矩 (ECT) 提供了一种额外的主导驱动机制，允许将 DW 传播速度提高到 ≈ 1000 ms − 1 以上。[10,21] 稀土-过渡金属合金中的 ECT 在亚铁磁合金的角动量补偿温度下进一步最大化。[22,23] 最近，在某些磁绝缘体中也发现了高效的 CIDWM。[24]
双旋转磁性隧道接线设备的微磁建模
自旋转移扭矩磁盘磁盘随机访问存储器（STT-MRAM）已成为一种有希望的非挥发记忆技术，与闪存相比，可提供可扩展性，高耐力和更快的操作[1，2]。它与SRAM竞争的能力有可能彻底改变未来信息存储。MRAM电池的核心是由COFEB磁参考层（RL），MGO隧道屏障（TB）和COFEB游离磁性层（FL）组成的磁性隧道连接（MTJ）。具有垂直磁化的FL和RL（PMTJ）的设备可实现大量的足迹，并为高密度MRAM溶液打开了路径。一直在不断努力提高STT-MRAM设备的切换性能，目的是实现子纳秒（子NS）切换时间。虽然自旋 - 轨道扭矩（SOT）设备显示了子NS开关性能，但与STT设备的两端结构相比，从技术的角度来看，它们的三端设备结构并不理想[3]。在PMTJ设备中掺入钼（MO）已显示出胜过常规TA的PMTJ，而TA则用垂直磁各向异性（PMA），热耐受性和开关性能作为COFEB电极的缓冲/帽/帽[4]。双磁隧道连接（DMTJ），具有额外RL和第二个TB的MTJ，已被研究为常规MTJ设备的有效替代方案，最多两倍的开关效率提高了开关效率[5，6]。但是，结构导致TMR值较低，到期
铁磁体-金属界面处的瞬态自旋注入效率
为了理解自旋流的基本限制并优化自旋注入过程，了解飞秒自旋注入的效率及其背后的微观机制是必不可少的。通过光诱导自旋流来操控磁化已经被证实，即超快退磁[3,6,7,9]以及小角度进动的激发，即GHz和THz自旋波。[12–14]尤其是，通过亚皮秒激光驱动的自旋流可以诱导自旋转移矩（STT），[14]而在重金属-铁磁体界面已经证明了通过圆偏振泵浦脉冲产生的光学自旋矩。[15,16]我们旨在通过结合时间分辨实验和从头算理论来产生微观见解，从而展示确定和提高自旋注入效率的方法，使未来的超快自旋电子学应用成为可能。至关重要的是，非平衡自旋注入集中在低于 100 fs 的脉冲中，从而产生具有高峰值强度的瞬态自旋电流。由于非平衡自旋注入是由光激发引起的，并且由自旋相关的电荷电流组成，因此不仅涉及费米能级附近的状态，还涉及其周围几个 eV 宽的能量区域中的状态，这些能量区域由泵浦激光脉冲的光子能量给出。这将非平衡自旋注入与在平衡条件下电驱动的磁振子自旋电流区分开来。[17–19]
PH-xxx 课程名称：自旋电子技术简介
主题代码：PH-xxx 课程名称：自旋电子技术简介 LTP：3-0-0 学分：3 主题领域：OEC 大纲：磁学基础知识：磁学类型、自旋轨道相互作用、偶极相互作用、交换相互作用、磁各向异性 自旋相关传输：异常霍尔效应、各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR)、隧道磁阻 (TMR)、自旋阀 (SV)、磁隧道结 (MTJ)、磁场传感器（硬盘读取头、生物传感器） 磁化动力学：自旋转移扭矩 (STT)、自旋霍尔效应 (SHE)、自旋轨道扭矩 (SOT)、轨道霍尔效应 (OHE)、磁化切换、磁性 skyrmions 自旋电子器件：磁阻随机存取存储器 (MRAM) 技术 - STT-MRAM、SOT-MRAM、自旋扭矩和自旋霍尔纳米振荡器（STNO 和 SHNO）、自旋量热器、赛道存储器基于自旋的计算：纳米磁逻辑、自旋逻辑、基于振荡器的神经形态计算、自旋波计算。科目代码：PH-xxx 课程名称：太空探索 LTP：3-0-0 学分：3 学科领域：OEC 大纲：不同国家太空探索的历史、对太空技术的需求、对空间科学知识的需求、近地空间的等离子体、大气中的波、其他行星的大气/电离层、空间测量：主动和被动遥感和现场测量、轨道：开普勒行星运动定律、轨道类型、霍曼转移轨道、卫星通信和导航、空间技术的应用。
![传送号24-07]武器销售通知](/simg/g:\will\search\icon\source\3\30c2cb7c22680a4ee1e16f50267f7864c900e2a6.png)
传送号24-07]武器销售通知
非 MDE：还包括可认证地面控制站；TPE-331-10-GD 发动机；M299 地狱火导弹发射器；KIV-77 加密贴花和其他敌我识别 (IFF) 设备；KOR-24A 小型战术终端 (STT)；AN/SSQ-62F、AN/SSQ-53G 和 AN/SSQ-36 声纳浮标；ADU-891/E 适配器组测试仪；通用弹药内置测试 (BIT) 重新编程设备 (CMBRE)；GBU-39B/B 战术训练弹、武器装载机组教练机和仪表可靠性评估车辆；便携式飞行前/飞行后设备 (P3E)；CCM-700A 加密设备；KY-100M 窄带/宽带终端；KI-133 加密单元； AN/PYQ-10 简易钥匙装载机；自动识别系统 (AIS) 应答器；ROVER 6Si 和 TNR2x 收发器；MR6000 超高频 (UHF) 和甚高频 (VHF) 无线电；Selex SeaSpray 有源电子扫描阵列 (AESA) 监视雷达；HISAR-300 雷达；SNC 4500 自动电子监视措施 (ESM) 系统；SAGE 750 ESM 系统；Due Regard 雷达 (DRR)；MX-20 电光红外 (EO-IR) 激光目标指示器 (LTD)；Ku 波段 SATCOM GAASI 可移动地面站 (GATES)；C 波段视距 (LOS) 地面数据终端；AN/DPX-7 IFF 应答器；紧凑型多波段数据链 (CMDL)；初始备件和维修零件、消耗品、配件以及维修和退货支持；安全通信、精确导航和加密设备；弹药支持和支持设备；测试和集成支持和设备；机密和非机密软件交付和支持；机密和非机密出版物和技术文档；人员