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空间敏感表面的污染研究
david.cheung@entegris.com，http://www.ecp-entegris.com 关键词：清洁度、包装材料、颗粒、分子污染、调节、暴露。摘要。敏感元件的颗粒和分子清洁度是航天工业以及其他许多工业领域的优先事项。为了在储存和运输过程中保持表面清洁，对包装有严格的要求：保护敏感设备免受外部环境的影响，并且不交叉污染组件。本研究侧重于调节方法的优化，以便根据设备对颗粒和/或分子污染的敏感性提出一些包装材料选择的建议。已经建立了一种方法，包括各种柔性和刚性包装材料中基板样品的暴露模式，以及相关测量协议的开发。在颗粒和分子污染方面，可以对测试的包装材料进行基准测试：这将有助于用户为其专用应用选择最合适的材料。
此消息为 UNCLAS RTTUZYUW RUCBCLF0001 0361359-UUUU--RHMCSUU。 ZNR UUUUU R 051859Z 2 月 18 日 FM COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA TO ALFLTFORCOM INFO CNO 华盛顿特区 COMPACFLT PEARL HARBOR HI COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA COMNAVSEASYSCOM 华盛顿特区 CHINFO 华盛顿特区 NEXCOM NORFOLK VA DLA FT BELVOIR VA COMNAVSUPSYSCOM MECHANICSBURG PA BT UNCLAS 传递给办公室代码：COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA/N41// COMPACFLT PEARL HARBOR HI/N4// COMNAVAIRLANT NORFOLK VA/N41// COMNAVSURFLANT NORFOLK VA/N41// COMSUBLANT NORFOLK VA/N41// COMNAVAIRPAC SAN DIEGO CA/N41// COMNAVSURFPAC 圣地亚哥 CA/N41// COMSUBPAC 珍珠港 HI/N41// COMNAVSEASYSCOM 华盛顿特区/SEA05// SECINFO/U/-// MSGID/GENADMIN,USMTF,2008/COMUSFLTFORCOM 诺福克 VA// SUBJ/介绍改进型阻燃变体工作服及穿着方式公布更正副本// REF/A/MSGID:GENADMIN/COMUSFLTFORCOM/191900ZJAN2017// AMPN/REF A 是 COMUSFLTFORCOM 批准改进型阻燃变体 (IFRV) 工作服消息。 POC/JENNIFER BIBY/LCDR/单位：USFF N412/姓名：NORFOLK，VA/电话：757-836-3787 DSN 836/电子邮箱：JENNIFER.BIBY@NAVY.MIL// GENTEXT/备注/1. 这是由美国舰队部队 (USFF) N41 和太平洋舰队 (CPF) N4 协调的消息，宣布改进型阻燃变体 (IFRV) 连体服的推出和穿着方式。2. 背景。最初的 FRV 于 2013 年迅速引入舰队，旨在取代以前缺乏阻燃性的水上制服。鉴于这些安全
此消息为 UNCLAS RTTUZYUW RUCBCLF0001 0361359-UUUU--RHMCSUU。ZNR UUUUU R 051859Z 2 月 18 日 FM COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA TO ALFLTFORCOM INFO CNO 华盛顿特区 COMPACFLT PEARL HARBOR HI COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA COMNAVSEASYSCOM 华盛顿特区 CHINFO 华盛顿特区 NEXCOM NORFOLK VA DLA FT BELVOIR VA COMNAVSUPSYSCOM MECHANICSBURG PA BT UNCLAS 传递给办公室代码：COMUSFLTFORCOM NORFOLK VA/N41// COMPACFLT PEARL HARBOR HI/N4// COMNAVAIRLANT NORFOLK VA/N41// COMNAVSURFLANT NORFOLK VA/N41// COMSUBLANT NORFOLK VA/N41// COMNAVAIRPAC SAN圣地亚哥 CA/N41// COMNAVSURFPAC 圣地亚哥 CA/N41// COMSUBPAC 珍珠港 HI/N41// COMNAVSEASYSCOM 华盛顿特区/SEA05// SECINFO/U/-// MSGID/GENADMIN,USMTF,2008/COMUSFLTFORCOM 诺福克 VA// SUBJ/介绍改进型阻燃变体工作服及穿着方式公布更正副本// REF/A/MSGID:GENADMIN/COMUSFLTFORCOM/191900ZJAN2017// AMPN/REF A 是 COMUSFLTFORCOM 批准改进型阻燃变体 (IFRV) 工作服消息。POC/JENNIFER BIBY/LCDR/UNIT:USFF N412/NAME: NORFOLK, VA/TEL: 757-836-3787 DSN 836/EMAIL: JENNIFER.BIBY@NAVY.MIL// GENTEXT/REMARKS/1.这是由美国舰队部队 (USFF) N41 和太平洋舰队 (CPF) N4 协调的消息，宣布改进型阻燃变体 (IFRV) 工作服的推出和穿着方式。2.背景。最初的 FRV 于 2013 年迅速引入舰队，旨在取代之前缺乏阻燃性的水上制服。鉴于这些安全问题，分发速度是部署计划的主要驱动因素。认识到整个舰队对 FRV 的舒适性和耐用性存在严重不满，USFF 和海军服装和纺织品研究机构 (NCTRF) 于 2015 年开始开发改进版本 (IFRV)。经过广泛的磨损测试和研究阶段，USFF、IAW REF (A) 授权 IFRV 连体服作为批准的舰队组织服装，以取代传统的阻燃变体 (FRV) 连体服。
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免责声明：1-本文给出的信息，包括规格和维度，可能会更改，而无需事先通知以改善产品特征。在订购之前，建议购买者与SMC-最新版本的数据表销售部联系SMC -Sangdest最微电子（NANJING）CO.2-如果需要极高的可靠性（例如在核电控制，航空航天和航空，交通设备，医疗设备和安全设备中使用），则应通过使用具有确保安全性或用户的故障安全预防或其他安排的半导体设备来确保安全性。3-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对根据数据表的操作期间因事故或任何其他原因造成的任何损害均承担责任。SMC-最微电子（NANJING）CO.，LTD对任何知识产权索赔或由于数据表中所述的信息，产品或电路的应用而可能导致的任何其他问题承担任何责任。4-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对半导体设备中的任何故障或在超过绝对最大额定值的值时造成的任何次要损害均承担责任。出口这些产品（技术）时，必须根据相关法规采取必要的程序。5-数据表的任何专利或其他权利均未授予任何第三方或SMC的权利 - 最佳微电子（NANJING）Co.，Ltd。6- 6-数据表（s）不可能在任何形式或部分中以明确的书面形式复制或重复，或者不得以任何形式的零件复制或重复。 Ltd. 7-数据中描述的产品（技术）不得向其申请目的的任何一方提供限制国际和平与安全的任何一方，也不应由其直接购买者或任何第三方应用于该目的。
焊料成分，PCB表面饰面和焊接关节体积的影响降低冲击可靠性
抽象跌落冲击可靠性测试是在电路板上进行的，该电路板与包括SAC305（SN3.0AG0.5CU）在内的几种不同的无铅焊料合金组装。AG含量的焊料组成范围从0％到3.0％按重量。还包括具有各种二级合金元件的合金。所有滴测试板都组装在一起，以使焊料糊状成分与BGA焊球合金的焊料组成相匹配，以生产已知成分的均匀焊接接头。使用替代测试板设计（不是JEDEC标准）进行此下降测试评估。测试板包含一个位于中央的Cabga 256包装（17x17毫米车身，1毫米螺距）。板设计的板设计了焊接定义的垫子，以最大程度地降低层压材料中垫板的碎屑破坏模式的发生。使用BGA或LGA互连将测试套件焊接到下降板上，以探索焊接量的效果。下降冲击事件的特征是在滴度表上进行加速监测，并在安装的测试板上的应变计测量值。
BAT54WS表面坐骑Schottky屏障二极管
免责声明：1-本文给出的信息，包括规格和维度，可能会更改，而无需事先通知以改善产品特征。在订购之前，建议购买者与SMC-最新版本的数据表销售部联系SMC -Sangdest最微电子（NANJING）CO.2-如果需要极高的可靠性（例如在核电控制，航空航天和航空，交通设备，医疗设备和安全设备中使用），则应通过使用具有确保安全性或用户的故障安全预防或其他安排的半导体设备来确保安全性。3-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对根据数据表的操作期间因事故或任何其他原因造成的任何损害均承担责任。SMC-最微电子（NANJING）CO.，LTD对任何知识产权索赔或由于数据表中所述的信息，产品或电路的应用而可能导致的任何其他问题承担任何责任。4-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对半导体设备中的任何故障或在超过绝对最大额定值的值时造成的任何次要损害均承担责任。出口这些产品（技术）时，必须根据相关法规采取必要的程序。5-数据表的任何专利或其他权利均未授予任何第三方或SMC的权利 - 最佳微电子（NANJING）Co.，Ltd。6- 6-数据表（s）不可能在任何形式或部分中以明确的书面形式复制或重复，或者不得以任何形式的零件复制或重复。 Ltd. 7-数据中描述的产品（技术）不得向其申请目的的任何一方提供限制国际和平与安全的任何一方，也不应由其直接购买者或任何第三方应用于该目的。
MBR0520L 表面贴装肖特基势垒二极管特性：• 低开启电压 • 快速开关 • PN 结保护环瞬态和 ESD 保护
免责声明：1- 为改进产品特性，本文档提供的信息（包括规格和尺寸）如有变更，恕不另行通知。订购前，建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司销售部，获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下（例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备），应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下，SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子（南京）有限公司书面许可，不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品（技术）不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方，其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品（技术）时，应根据相关法律法规办理必要的手续。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
地面移动指导手册和...
作为协助各国实施 SMGC 系统的第一步，国际民航组织于 1979 年在题为“地面活动引导和控制系统”的第 148 号通函中发布了有关此类系统设计和运行的指导。随后，对各附件和《空中航行服务程序 - 空中和空中交通服务规则》（PANS-RAC）（Doc 4444）中的 SMGC 规范进行了详细审查，并制定了改进建议。这些草案建议和第 148 号通函中有关 SMGC 系统设计和运行的指导被记录在案，以供在蒙特利尔召开的一次全球会议（AGA 分部会议（1981））审查。经过深入审查，该会议制定了改进规范的建议，并确定了需要进一步研究的问题。此外，会议建议将第 148 号通函中的材料用于改进 SMGC 系统。