全球电气变电站将在未来十年内进行大规模升级,以使网格在未来的可再生能源系统中可管理。能量过渡正在推动与可再生能源和新型能源消耗(例如EV和热泵)相互联系的微电网的创建。这就是为什么智能产品和数据对于满足向智能电网行业过渡的需求至关重要的原因。凭借我们的预付款,默森(Mersen)通过量身定制的解决方案为分配系统运营商提供支持,以增强低压网络维护,安全性和能源节省,自动化,更快的功率修复,负载和来源管理的灵活性。
取决于应用程序,Henkel具有多种热接口材料(TIM)解决方案,可通过有效的热管理支持改善高功率密度线路卡的系统级性能和可靠性。在大型,高性能的第1层/第2层开关ASIC,FPGA和GPU设备中,使用垫,膜,液体和凝胶培养基中的一系列配方提供有效,有效的热量消散。对于不需要较大散热器附件的IC设备,Henkel的低模量,高电导率Bergquist GapPad®提供出色的可比性和低应力热性能。作为常规热润滑脂的替代方法,斜孔相变的tims允许在糊剂施加的公式中具有类似的易于易于应用和柔韧性,在特定温度下会变成液体。但是,斜孔相变的tims不会遭受“抽水”的损失,并且随着时间的推移通常会经历润滑脂,因此降低了热性能。
表 4. 1: 基特加区地理站位参数 ...................................................................................................... 22 表 4. 2: 日负荷评估 .......................................................................................................................... 24
功率。• 包括 24 端口数据中心型号,适用于城域部署。• 提供四个双模(GbE/10GbE)小型可插拔收发器(SFP/SFP+)上行链路端口和两个 40GbE QSFP+ 端口。• 上行链路端口可配置为虚拟机箱接口,并通过标准 10GbE/40GbE 光纤接口连接(40GbE 上行链路端口默认预配置为虚拟机箱端口)。• 提供全面的第 2 层功能,包括 RIP 和静态路由。• 紧凑的 13.8 英寸深 1 U 外形支持灵活的部署选项。• 易于管理的解决方案包括集中式软件升级。• 支持与所有其他瞻博网络固定配置瞻博网络 EX 系列以太网交换机使用的相同的一致的模块化瞻博网络 Junos 操作系统控制平面功能实现。 • 通过增强功能许可证(需要可选许可证)支持第 3 层(OSPF v2、IGMP v1/v2/v3、PIM、VRRP、BFD、虚拟路由器)。 • 支持 IPv6 管理,包括邻居发现、无状态自动配置、telnet、SSH、DNS、系统日志、NTP、ping、traceroute、ACL、CoS 静态路由和 RIPng。 • 通过增强功能许可证支持 IPv6 路由功能(OSPFv3、单播虚拟路由器支持、VRRPv6、PIM、MLDv1/v2)。 • 通过可选高级功能许可证支持边界网关协议 (BGP)、多协议 BGP (MBGP) 和中间系统到中间系统 (IS-IS)。 • 提供节能以太网 (EEE) 功能。
摘要。横梁开关是多阶段互连网络中的基本组件。因此,进行了这项研究是为了研究具有两个多路复用器的横杆开关的性能。使用量子点蜂窝自动机(QCA)技术和QCA Designer软件模拟了所提供的横梁开关,并根据细胞数,占用面积,时钟数和能量消耗进行了研究和优化。使用提供的横梁开关,基线网络的设计是在单元格和占用区域方面是最佳的。此外,研究并模拟了输入状态的数量,以验证基线网络的准确性。所提出的横梁开关使用62个QCA单元,开关的占用区域等于0.06µm 2,其潜伏期等于4个时钟区域,这比其他设计更有效。在本文中,使用呈现的横梁开关,基线网络由1713个单元格设计,占领面积为2.89µm 2。
最近,在各种单层和多层材料中观察到非易失性切换。除了内存应用外,由于与其他新兴技术相比,该区域的缩放比例很高,因此电阻开关对于模拟RF开关也有望[1]。我们的RF开关是金属 - 绝缘子 - 金属结构,该结构由由2D材料隔开的金属电极制成的垂直连接组成。先前的研究表明,此RF开关适用于5/6G应用[1-2]。设备嵌入了共面波导中以进行RF测量。直流测量结果表明,直到施加设置电压(MOS 2设备为〜2V),该开关处于高电阻状态,这将设备置于低电阻状态。该状态一直存在,直到应用负偏差将切换重置为其高电阻状态为止。我们使用涵盖频率范围0.25-320GHz的S参数表征来提取设备的小型电路。从s-参数中,我们推导了RF开关的两个主要功能:插入损失(由于设备带有开关状态为ON状态的设备引起的功率损失)和隔离(在OFF状态下跨开关跨开关的功率衰减)。该设备是非挥发性的,状态保留量超过3个月[2]。在这项工作中,我们专注于HBN和MOS 2制造的RF开关的非线性研究。作为IV表征显示的,RF开关在足够高的偏置上是非线性的。测得的IIP3值与基于简单非线性电阻模型的模拟获得的IIP3值一致。为了量化这种非线性性,我们通过设备应用了一个具有2个音调(F 1 = 2.365GHz和F 2 = 2.415GHz)的信号,我们在F 1和F 2处测量输出功率,我们还测量了交流频率下的功率(此处f int = 2f 2 -f 2 -f 1)。从测量的数据中,我们可以追踪每个频率与输入功率的功率,并提取输入三阶截距点(IIP3),HBN设备超过46dBm,MOS 2设备为20DBM。