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引用：Arteev DS、Sakharov AV、Nikolaev AE、Zavarin EE、Tsatsulnikov AF，基于 2DEG 的多层 AlGaN/GaN 异质结构，具有较低的 sh
由于 III-N 材料体系的独特性质，AlGaN/GaN 基异质结构可用于制造高电流 (> 1 A/mm [1, 2]) 和高功率 (> 40 W/mm [1]) 的高电子迁移率晶体管和肖特基势垒二极管等器件。此类结构中二维电子气 (2DEG) 浓度的典型值为 N s = 1.0–1.3·10 13 cm -2，电子迁移率 μ ~ 2000 cm 2 V -1 s -1 。通过增加势垒层中的 Al 摩尔分数进一步增加浓度会受到应变弛豫的阻碍 [3]。此外，当 2DEG 密度增加时，2DEG 迁移率通常会大幅下降 [4]，因此电导率保持不变甚至变得更低。使用具有多个 2DEG 的多通道设计的结构可能是实现更高电导率的替代方法 [5, 6]。有关 GaN 多通道功率器件的进展、优点和缺点的更多详细信息，请参阅最近的评论文章 [6]。这种设计能够在不降低迁移率的情况下增加总电子浓度。然而，强的内部极化电场会导致导带能量分布发生显著改变，因此一些无意掺杂的结构的通道可能会完全耗尽，总电导率会明显低于预期。另一方面，向势垒层引入过多的掺杂剂可能会导致寄生传导通道的形成。因此，需要优化设计。在本文中，我们研究了单通道和三通道 AlGaN/AlN/GaN 异质结构的设计对其电学性能的影响。
巴林致力于加强与萨哈关系
巴林铝业公司 (Alba) 是全球最大的单一基地铝冶炼厂，该公司昨天举行了一场特别庆祝活动，向 15 名本国员工颁发了 2024 年“年度励志员工”奖。值得注意的是，获奖者中有七人是女性，反映了 Alba 对性别多样性和包容性的承诺。活动在 Oasis Hall 举行，由 Alba 首席执行官 Ali Al Baqali 主持，他为获奖者的杰出贡献表示敬意。获奖者是根据严格的评估程序选出的，该程序考虑了各种标准，包括对安全卓越的奉献精神、通过辅导和志愿服务计划培养学习文化，以及通过强大的团队合作和友爱精神营造积极和支持的工作环境。这项年度表彰活动由 Alba 首席执行官于 2020 年发起，迄今为止已表彰了总共 42 名杰出的本国员工，表彰了他们的杰出贡献和对卓越的承诺