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Sb2S3 薄膜的晶粒工程可实现具有高开路电压的高效平面太阳能电池
Sb 2 S 3 是一种很有前途的环保半导体，可用于高性能太阳能电池。但是，与许多其他多晶材料一样，Sb 2 S 3 受到非辐射复合和晶界 (GB) 载流子散射的限制。这项工作表明，通过在 Sb 2 S 3 沉积的前体溶液中加入适量的 Ce 3 +，Sb 2 S 3 薄膜中的 GB 密度可以显著从 1068 ± 40 nm μ m − 2 降低到 327 ± 23 nm μ m − 2。通过对结构、形貌和光电特性的广泛表征，并辅以计算，我们发现一个关键因素是在 CdS/Sb 2 S 3 界面处形成一层超薄 Ce 2 S 3 层，这可以降低界面能并增加 Sb 2 S 3 和基底之间的粘附功，以促进 Sb 2 S 3 的异质成核，并促进横向晶粒生长。通过减少晶界和/或 CdS/Sb 2 S 3 异质界面的非辐射复合，以及改善异质结处的载流子传输特性，这项工作实现了高性能 Sb 2 S 3 太阳能电池，其功率转换效率达到 7.66%。开路电压 (V OC ) 达到了惊人的 796 mV，这是迄今为止报道的 Sb 2 S 3 太阳能电池的最高值。这项工作提供了一种同时调节 Sb 2 S 3 吸收膜的成核和生长的策略，以提高设备性能。
光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3
摘要：用于集成光子和自由空间平台的下一代光相变为变化技术的开发取决于可以在大量大量且光学损失低的情况下反复切换的材料的可用性。近年来，由于在光谱的近红外透明度和接近硅接近的高折射指数中，由于良好的光学透明度，基于基于锑的硫化硫化硫化材料SB 2 SE 3 SE 3 SE 3被确定为许多应用。SB 2 SE 3的结晶温度左右允许使用光学或电气控制信号在中等能量下实现切换，同时为非挥发性存储提供足够的数据保留时间。在这里，我们研究了与光学应用相关的一系列膜厚度的SB 2 SE 3膜光学切换的参数空间。通过识别最佳的切换条件，我们证明了在20 kHz的可逆切换速率下最多可忍受10个循环。我们的工作表明，固有膜参数与泵送条件的组合对于在光相变化应用中实现高耐力尤为重要。
搜索定义QUBO问题AES Sbox的有效方程系统
摘要解决QUBO问题的时间复杂性主要取决于概率中逻辑变量的数量。本文主要集中于找到一个方程系统，该方程式唯一地定义了AES密码的Sbox，并允许我们在QUBO形式中获得代数攻击AES密码的QUBO形式中最小的已知优化问题。为了有效地执行该任务，已经提出了一种使用线性反馈移位寄存器搜索有效方程式的新方法。使用已确定的效率系统将AES密码转换为QUBO问题。与我们先前的结果相比，此方法使我们能够将AES-128的目标Qubo问题减少近500个逻辑变量，并允许我们使用量子退火速度快四倍地执行代数攻击。
卤化物驱动的 InSb 胶体量子点合成控制可实现短波红外光电探测器
在 III-V 族胶体量子点 (CQD) 半导体中，与许多光敏材料候选物相比，InSb 有望获得更广泛的红外波长范围。然而，实现必要的尺寸、尺寸分散性和光学特性一直具有挑战性。本文研究了与 InSb CQD 相关的合成挑战，发现锑前体的不受控制的还原会阻碍 CQD 的控制生长。为了克服这个问题，开发了一种将非自燃前体与卤化锌添加剂相结合的合成策略。实验和计算研究表明，卤化锌添加剂会减缓锑前体的还原，从而促进尺寸更均匀的 CQD 的生长。还发现卤化物的选择可以额外控制这种效应的强度。所得 CQD 在 1.26-0.98 eV 的光谱范围内表现出明确的激子跃迁，同时具有强光致发光。通过实施合成后配体交换，实现了胶体稳定油墨，从而能够制造高质量的 CQD 薄膜。首次演示了 InSb CQD 光电探测器，在 1200 nm 处达到 75% 的外部量子效率 (QE)，据了解，这是无重金属红外 CQD 设备中报告的最高短波红外 (SWIR) QE。
卤化物驱动的INSB胶体量子点的合成控制使短波红外光电视
与许多候选光感应材料相比，INSB在III-V家族的胶体量子点（CQD）半导体中有望进入更广泛的红外波长。但是，实现必要的尺寸，尺寸差异和光学特性一直具有挑战性。在这里研究了与INSB CQD相关的合成挑战，发现不受控制的锑前体的减少会阻碍CQD的受控生长。为了克服这一点，开发了一种将非流传性前体与锌卤化物添加剂相结合的合成策略。实验和计算研究表明，锌卤化物添加剂减速了锑前体的还原，从而促进了更均匀尺寸的CQD的生长。还发现，卤化物的选择提供了对这种效果强度的额外控制。所得的CQD在光谱范围为1.26–0.98 eV的光谱范围内表现出良好的激发型转变，以及强发光。通过实施结合后配体交换，可以实现胶体稳定的墨水，从而实现了能够制造高质量CQD纤维的胶水。在1200 nm处提出了INSB CQD光电遗传学的第一个演示，在1200 nm处达到75％的外部量子效率（QE），这是最高的短波红外线（SWIR）QE在重型无金属质红外CQD基于CQD基于CQD的基于CQD的设备中所报道的。
安全和可持续设计（SSbD）：
在此阶段，安全且可持续的设计可以定义为化学品上市前的方法，该方法侧重于提供功能（或服务），同时避免可能对人类健康或环境有害的数量和化学特性，特别是可能具有（生态）毒性、持久性、生物累积性或流动性的化学品组。应从生命周期的角度，通过最大限度地减少化学品对环境的影响，特别是对气候变化、资源利用、生态系统和生物多样性的影响，来确保整体可持续性。
通过椭圆偏振光谱法现场监测 Sb 离子注入单晶 Ge 过程中的无序和空腔演变
Tivadar Lohner 1 、Attila Németh 2 、Zsolt Zolnai 1 、Benjamin Kalas 1 、Alekszej Romanenko 1 、Nguyen Quoc Khánh 1 、Edit Szilágyi 2 、Endre Kótai 2 、Emil Agócs 1 、Zsolt Tóth 3 、Judit Budai 4,5 、Péter Petrik 1,* 、Miklós Fried 1,6 、István Bársony 1 和 † József Gyulai 1
覆盖层对基于 Sb2S3 的可重构材料的影响...
封盖层对于保护非挥发性光子技术中使用的相变材料 (PCM) 至关重要。这项工作展示了 (ZnS) 0.8 -(SiO 2 ) 0.2 封盖如何从根本上影响 Sb 2 S 3 和掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 集成光子器件的性能。我们发现至少需要 30 nm 的封盖材料来保护材料免受硫损失。然而，添加这个封盖会以不同的方式影响这两种 PCM 的结晶温度。Sb 2 S 3 和掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 的结晶温度分别升高和降低，这归因于界面能差异。制造并测量了封盖和未封盖的掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 微环谐振器 (MRR) 器件，以了解封盖如何影响器件性能。令人惊讶的是，对于封盖的 PCM，MRR 的谐振频率在结晶时表现出更大的红移。这种效应是由于封盖增加了与 PCM 层的模式重叠。因此，封盖可用于提供更大的单位长度光学相移，从而减少这些可编程设备的总占用空间。总的来说，我们得出结论，PCM 上的封盖不仅可用于稳定 PCM 层，还可用于调整 PCM 结晶温度并减少设备占用空间。此外，封盖层可用于增强光物质与 PCM 元件的相互作用。
补充材料“超过常规Pauli限制超过高压CESB 2”
在主手稿中显示的所有高压临界场数据均在沿晶体学C方向上应用的磁场采用，这是针对CESB 2的低压结构定义的。为了检查不同方向的上临界临界场B C 2的各向异性，B C 2（t）也已用压迫层中的压力池安装在压迫层中的侧面确定，以便将finf垂直于c -direction c -direction the -eLD施加到c- dection cypenticular。在34处的超导转变上，在A-B平面中占用的磁场的影响。2 kbar如图1。图1说明了初始斜率b'C2≃30t k - 1，类似于以34的近距离压力在C沿C沿C确定的初始斜率。9 kbar。此外，按临界场上的平面内部超过Pauli限制B Pauli = 0。42 t，但略小于c轴临界场，达到约1。5 t左右。 13 K与C轴关键领域相比，该场在34处。 9 kbar超过1。 5 t左右。 16 K（图 主纸中的3F）。 至少在这种压力下，对于p> p c，反应响应的各向异性似乎是较小的，但是对更大范围的压力进行了进一步的研究，并探索各向异性方向的各向异性正在进行中。5 t左右。13 K与C轴关键领域相比，该场在34处。9 kbar超过1。5 t左右。 16 K（图 主纸中的3F）。 至少在这种压力下，对于p> p c，反应响应的各向异性似乎是较小的，但是对更大范围的压力进行了进一步的研究，并探索各向异性方向的各向异性正在进行中。5 t左右。16 K（图主纸中的3F）。 至少在这种压力下，对于p> p c，反应响应的各向异性似乎是较小的，但是对更大范围的压力进行了进一步的研究，并探索各向异性方向的各向异性正在进行中。主纸中的3F）。至少在这种压力下，对于p> p c，反应响应的各向异性似乎是较小的，但是对更大范围的压力进行了进一步的研究，并探索各向异性方向的各向异性正在进行中。
应变速率对Sn-9Zn-xAg-ySb拉伸行为的影响
1) 在研究范围内，抗拉强度和屈服强度随应变速率增加而增加。2) 屈服强度的变化趋势与抗拉强度非常相似。3) 延展性随应变速率增加而降低。4) 应变敏感性m对于Sn-9Zn-0.2Ag-0.6Sb为0.0831，对于Sn-9Zn-0.2Ag-0.8Sb为0.1455，对于Sn-9Zn-0.6Ag-0.2Sb为0.1274，对于Sn-9Zn-0.8Ag-0.2Sb为0.1346。5) 所有m值都小于0.3，因此本文研究的无铅焊料均不会出现超塑性行为。6) 需要进一步研究这些焊料合金在不同温度和应变速率下的拉伸性能，以更详细地了解热力学硬化响应。