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BHEL 太阳能业务部 (SBD)!!!
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ISD SBD沉默报告-PDF -NET
2/22/2025 3:35 PM免责声明：此报告中显示的数据不是实时数据。数据进行一次刷新，每半小时，小时，每30分钟，新显示器将在刷新发生后约5-7分钟发布。
大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
招标ZNB02273-00000-00-HOD-GEN-24- ...
2。税收合规要求2.1竞标者必须确保遵守其税收义务。2.2投标人必须提交SARS发出的唯一个人身份证号（PIN），以使国家机构能够验证纳税人的资料和税收状态。2.3税收合规状态申请（TCS）PIN可以通过SARS网站www.sars.gov.za进行电子归档。 2.4投标人还可以将印刷的TCS证书与投标一起提交。 2.5在涉及财团 /合资 /分包商的投标中；各方必须提交单独的TCS证书 / PIN / CSD编号。 2.6如果没有可用的TC，但在中央供应商数据库（CSD）上注册了投标人，则必须提供CSD号。 2.7不得从国家服务的人那里考虑投标，董事是国家服务人员的公司或与国家服务的成员关闭公司的关闭公司。” 3。 COMPLIANCE AND RETURNABLES: THE FOLLOWING RETURNABLE DOCUMENTS MUST RETURNED WITH THE QUOTATION DOCUMENT 3.1 SBD 1 INVITATION TO QUOTE (SBD1 PART A) 3.2 SBD 1 – TERMS AND CONDITIONS FOR BIDDING (SBD1 PART B) 3.3 SBD 3 – OFFICIAL BRIEFING SESSION/SITE INSPECTION CERTIFICATE 3.4 SBD 3.3 – PRICING SCHEDULE – PROFESSIONAL SERVICES 3.5 SBD 4 - DECLARATION OF INTEREST FORM 3.6 SBD 6.1 - PREFERENCE POINTS根据优先采购条例2022；2.3税收合规状态申请（TCS）PIN可以通过SARS网站www.sars.gov.za进行电子归档。2.4投标人还可以将印刷的TCS证书与投标一起提交。2.5在涉及财团 /合资 /分包商的投标中；各方必须提交单独的TCS证书 / PIN / CSD编号。2.6如果没有可用的TC，但在中央供应商数据库（CSD）上注册了投标人，则必须提供CSD号。2.7不得从国家服务的人那里考虑投标，董事是国家服务人员的公司或与国家服务的成员关闭公司的关闭公司。” 3。COMPLIANCE AND RETURNABLES: THE FOLLOWING RETURNABLE DOCUMENTS MUST RETURNED WITH THE QUOTATION DOCUMENT 3.1 SBD 1 INVITATION TO QUOTE (SBD1 PART A) 3.2 SBD 1 – TERMS AND CONDITIONS FOR BIDDING (SBD1 PART B) 3.3 SBD 3 – OFFICIAL BRIEFING SESSION/SITE INSPECTION CERTIFICATE 3.4 SBD 3.3 – PRICING SCHEDULE – PROFESSIONAL SERVICES 3.5 SBD 4 - DECLARATION OF INTEREST FORM 3.6 SBD 6.1 - PREFERENCE POINTS根据优先采购条例2022；
数字孪生应用于安全设计的实施...
摘要。数字孪生 (DT) 是未来工厂和工业 4.0 框架部署最有前途的支持技术之一。DT 可以标记为固有安全设计 (SbD) 策略，可应用于流程生命周期的不同阶段。欧盟资助的 ASINA 项目旨在促进连贯、适用且科学合理的 SbD 纳米实践。特别是在纳米制造领域，ASINA 打算提供应用于过程的创新 SbD 解决方案 (P-SbD)。在此背景下，ASINA 将研究使用 DT 作为颠覆性数字技术来预防、预测和控制纳米形式的空气排放和工人暴露。本文介绍了纳米工艺 SbD 领域的 DT 概念，并概述了 ASINA-DT 的初步架构，该架构将由 ASINA 在一个工业场景中开发和实施。
封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
征求建议书 (RFP) 量子的规定...
• 附件 A – 标准招标文件 (SBD) 1 表格 • 附件 B – 技术规范 • 附件 C – 技术评估矩阵/评分标准 • 附件 D – 定价表 • 附件 E – 提案表格和可退还文件清单 • 附件 F – RFP 熟悉证书 • 附件 G – 优先点授予表格 • 附件 H – 标准招标文件 (SBD) 4 表格 • 附件 I – RFP 声明和违反法律表格 • 附件 J – 相互保密协议
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
β-GA2O3的设备拓扑热管理...
超宽的带隙半导体β加氧化物（β -GA 2 O 3）使电子设备的低传导损失和高功率有望。但是，由于β -GA 2 O 3的天然较差的导热率，其功率设备具有严重的自加热效果。为了克服这个问题，我们强调了使用TCAD模拟和实验的设备结构对β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的峰值温度的影响。在TCAD中模拟了SBD拓扑，包括β -GA 2 O 3的晶体取向，Schottky金属，阳极面积和厚度的工作功能，表明β -GA -GA 2 O 3的厚度在降低二极管峰值温度方面起着关键作用。因此，我们制造了具有三个不同厚度外延层和五个不同厚度底物的β -GA 2 O 3 SBD。使用红外热成像摄像头测量二极管的表面温度。实验结果与模拟结果一致。因此，我们的结果为高功率β -GA -GA 2 O 3二极管提供了新的热管理策略。