XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSbD
建模与仿真 综合采购-物流合成环境，用于总价值评估
如今，M&S 在政府系统采购中的重要性日益凸显，但在设计过程中正确使用 M&S 所带来的潜在成本降低仍然远远低于实际部署成本。为什么国防部采购部门尚未实现这些大幅的成本降低？答案在于以下三个问题领域：工具无法互操作，即使没有决策要求，人员也参与其中，数字产品和流程模型没有标准。SBD 通过利用新兴标准和商业力量实现互操作性，通过部署协作软件环境基础设施，通过创建产品和流程模型的事实标准，为这些问题提供了解决方案。
用于总价值评估的综合采购-物流合成环境
如今，M&S 在政府系统采购中的重要性日益凸显，但在设计过程中正确使用 M&S 所带来的潜在成本降低仍然远远低于实际部署成本。为什么国防部采购部门尚未实现这些大幅的成本降低？答案在于以下三个问题领域：工具无法互操作，即使没有决策要求，人员也参与其中，数字产品和流程模型没有标准。SBD 通过利用新兴标准和商业力量实现互操作性，通过部署协作软件环境基础设施，通过创建产品和流程模型的事实标准，为这些问题提供了解决方案。
建模与模拟综合采购-物流综合环境总价值评估
如今，模型与仿真在政府系统采购中的重要性日益凸显，但在设计过程中正确使用模型与仿真可能带来的成本降低仍然远远低于实际部署。为什么国防部采购部门尚未实现这些大幅的成本降低？答案在于以下三个问题领域：工具无法互操作，即使没有决策要求，人员也参与其中，数字产品和流程模型尚无标准。SBD 通过利用新兴标准和商业力量实现互操作性、部署协作软件环境基础设施以及创建产品和流程模型的事实标准，为这些问题提供了解决方案。
4H-SiC 合并 PIN 肖特基二极管，带浮动背对...
4H-SiC功率器件具有独特的高压、高频、高温特性，有着巨大的应用潜力。[1 – 3 ] 4H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）由于其单极导电模式，广泛应用于高频领域。然而，较大的漏电流限制了它的击穿性能和高压应用。[4 – 6 ] 4H-SiC P–I–N二极管由于其双极导电模式，广泛应用于大功率场合。[7 – 9 ] 然而，较差的反向恢复特性限制了它在高频领域的应用。4H-SiC合并P–I–N肖特基（MPS）二极管是一种很有前途的器件，它将肖特基和PN结集成在一个芯片上，实现了优异的击穿性能和快速的反向恢复特性。[10 – 14 ]
信息管理人工智能 - 下载
“大数据研究”系列 (SBD) 快速、高质量地发表大数据各个领域的新发展和进展。旨在涵盖大数据在工程、计算机科学、物理学、经济学和生命科学领域的理论、研究、开发和应用。该系列的书籍涉及对来自传感器或其他物理仪器以及模拟、众包、社交网络或其他互联网交易（如电子邮件或视频点击流等）的最新数字源生成的大型、复杂和/或分布式数据集的分析和理解。该系列包含大数据方面的专著、讲义和编辑卷，涵盖计算智能领域，包括神经网络、进化计算、软计算、模糊系统，以及人工智能、数据挖掘、现代统计学和运筹学以及自组织系统。对于贡献者和读者来说，特别有价值的是较短的出版时间和全球范围的发行，这使得研究成果能够得到广泛而快速的传播。
硅碳化物schottky屏障二极管 - 应用注释
图3.1显示了Gen-3 SIC SBD的原理结构，这是Sanan半导体提供的最新一代SIC二极管。该设备结合了一个金属半导体连接，称为Schottky屏障，而不是表征标准SI二极管的传统P-N结。shottky屏障是在肖特基金属和轻微掺杂的N型外延之间形成的。基板的特征是高度掺杂的N型SIC晶圆，可提供机械稳定性。当应用正向电压时，电子是多数电载体，导致单极电流。此外，由于活动区域中存在几个P+岛，该设备在电涌操作过程中作为PN二极管行为，并产生额外的电流流动。此设计可防止高电压下降，这将带来二极管的破坏。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
Han Liu Alexander Gegov Mihaela Cocea
系列“大数据研究”（SBD）以高质量和高质量的各个领域发表了新的发展和进步。的目的是涵盖大数据的理论，研究，发展和应用，这些理论，计算机科学，物理，经济学和生命科学领域都嵌入。该系列的书籍是指对来自传感器或其他物理仪器的最新数字来源产生的大型，复杂和/或分布式数据集的分析和理解，以及模拟，人群采购，社交网络或其他互联网交易，例如电子邮件或视频点击流等。该系列包含涵盖计算智能领域的大数据中的专着，讲义和编辑卷。神经网络，进化计算，软计算，模糊系统以及人工智能，数据挖掘，现代统计和操作研究以及自组织系统。是简短的出版时间范围和全球范围的分布，这可以使研究成果的广泛和快速传播。