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基于域壁运动的缩放自旋逻辑设备的全电控制
摘要 - 基于域墙（DW）运动的旋转逻辑设备提供了灵活的体系结构，以存储和携带逻辑信息在电路中。在此设备概念中，信息以多个磁性隧道连接（MTJ）共享的磁道磁态进行编码，并通过DW运动处理。在这里，我们证明可以使用新型的MTJ堆栈来实现这种基于纳米级DW的逻辑设备的全电动控制。除了各向同性的场驱动运动外，我们还显示了由电流驱动的DWS的方向运动，这是逻辑操作的关键要求。使用DW运动对逻辑门的完整电气控制。我们的设备在全晶片的IMEC的300毫米CMOS Fab中制造，这清除了大规模集成的路径。因此，此概念证明为逻辑和神经形态应用提供了高性能和低功率DW设备的潜在解决方案。
TTM Technologies，Inc。将于2025年2月5日进行第四季度和2024财政年度电话会议开发一种新的治疗转移性实体瘤的方法转型交易创建了一个多域，规模和盈利的空间和国防技术公司
该演讲是由Redwire Corporation（“ Redwire”，“ RDW”，“ Company”，“ We”，“我们”，“我们”和“我们的”）编写的，与拟议的业务结合与Edge Automenty Intermediate Holdings，LLC（“ Edge”）及其相关交易（“提出的商业组合”，“交易”，“或“组合”）。其他信息以及在何处找到与本文所述的拟议业务组合有关的确定协议以及交易的材料条款的摘要，将在当前关于8-K或附表14A的报告中提供，将向证券交易委员会提交（“ SEC”）。Redwire将向SEC提交有关Redwire股东特别会议的代理声明（“代理声明”）。敦促股东仔细阅读代理声明，并在可用时将其全部提交给SEC的任何其他相关文件，因为他们将包含有关Redwire，Edge自治，交易和相关事项的重要信息。股东将能够通过SEC在www.sec .gov上维护的网站上免费获得代理声明和SEC提交的其他文件的免费副本。此外，投资者和股东将能够获取Redwirespace.com上Redwire网站投资者关系部分向SEC提交的SEC的其他文件的免费副本。
基于磁隧道结换能器的缩放多数逻辑合成自旋电子电路的基准测试
摘要 — 自旋电子逻辑器件最终将用于混合 CMOS-自旋电子系统，该系统通过传感器在磁场和电域之间进行信号相互转换。这强调了传感器在影响此类混合系统整体性能方面的重要作用。本文探讨了以下问题：基于磁隧道结 (MTJ) 传感器的自旋电子电路能否胜过其最先进的 CMOS 同类电路？为此，我们使用 EPFL（洛桑联邦理工学院）组合基准集，在 7 nm CMOS 和基于 MTJ 传感器的自旋电子技术中合成它们，并在能量延迟积 (EDP) 方面比较这两种实现方法。为了充分利用这些技术的潜力，CMOS 和自旋电子实现分别建立在标准布尔门和多数门之上。对于自旋电子电路，我们假设域转换（电/磁到磁/电）是通过 MTJ 执行的，计算是通过基于域壁 (DW) 的多数门完成的，并考虑了两种 EDP 估计方案：(i) 统一基准测试，忽略电路的内部结构，仅将域传感器的功率和延迟贡献纳入计算，以及 (ii) 多数-反相器-图基准测试，还嵌入了电路结构、相关关键路径延迟和 DW 传播的能量消耗。我们的结果表明，对于统一情况，自旋电子路线更适合实现具有少量输入和输出的复杂电路。另一方面，当也通过多数和反相器综合考虑电路结构时，我们的分析清楚地表明，为了匹配并最终超越 CMOS 性能，MTJ 传感器的效率必须提高 3-4 个数量级
用于表观遗传学研究的 FFPE 肿瘤样本的规模化制备
图 4. Charles River Laboratories 共享了小鼠模型患者来源的异种移植瘤 (PDX) 的 FFPE 卷轴。来自 2 名患者样本的 PDX 肿瘤被嵌入 1 至 7 年的石蜡块中。使用 Qiagen AllPrep DNA/RNA FFPE 试剂盒从核材料中提取 gDNA，并通过 Agilent TapeStation 评估 DNA 完整性评分 (DIN)。K562 对照 A (未固定) gDNA 由 Qiagen AllPrep DNA/RNA FFPE 试剂盒提取，K562 对照 B (未固定) gDNA 由 Zymo Quick-DNA/RNA 纯化试剂盒提取，以提供来自 2 个 DNA 提取试剂盒的高质量样本示例。顶部代表性图像：明场碎片。底部代表性图像核标记：碘化丙啶。
逆变器的逆变器溶液用于公用电量的光伏发电厂
光伏能源一直在不断扩展，它将继续作为最流行的可再生能源源，从最近对实用程序扩展的存储系统进行质量和先进的智能功能，从而增加了功率电网（1）的稳定性和弹性。光伏逆变器中采用的技术是有效的，并且非常稳定。在大多数国家 /地区也进行了产品认证，与网格法规结合使用，为行业带来了一个通用和统一的技术和质量基础，这使得降级者和公司更容易构建新项目并继续增长（2）。本文重点介绍了对大型实用性缩放光伏植物中使用的主要技术的综述，该技术在cir拓扑，冷却，系统集成和系统托图方面。特别关注在不同国家遇到的不同气候的解决方案。本评论以第2节中的电路拓扑讨论开始。在这里，中性点的配置与三级二极管夹具的拓扑结合（3）。单阶段光伏应用中的三个级别拓扑具有很高的效率和可靠性（4），并在行业中广泛使用。此拓扑与热管冷却一起用于室外逆变器，并在第3节中给出了细节。在系统实现方面，有两个主要流都广泛使用。室外额定逆变器安装在室内或容器中的室内逆变器上。在第4节和第5节中对此进行了处理，其中给出并讨论了主要两种解决方案。每种类型的选择在很大程度上取决于本地环境条件和本地reg-
缩放膜的基于有机的混合流量电池的性能评估
随着《巴黎协议》的实施，碳中立性已成为公共部门和私营部门的全球目标[1，2]。越来越多的国家加强了他们的承诺，并设定了雄心勃勃的目标，以减少温室气体排放和促进可再生能源的可持续发展[3-5]。尤其是，可再生能源的部署（即风力和太阳能）在减少化石燃料的消耗方面有效，但由于其间歇性和不可预测的天性而导致挥发性发电[6，7]。除了存储过量的电力外，储能系统是一项有前途的技术，可提高网格对负载升级和功率稳定的弹性[8，9]。在各种储能技术（例如机械和热的）中，电化学能源存储系统（即电池）由于其操作和地理功能而广泛用于广泛的应用[10，11]。氧化还原电池已成为一种有前途的技术，用于以网格量表（即高达MW量表）存储能量，从而为长期应用提供了出色的功能，安全性，安全性和可扩展性[12]。而不是像大多数电池一样将能量存储在电极中，而是将其全部或部分能量存储在通过细胞/堆栈再循环并存储在单独的储层中的液体电解质中[13]。存储容量为
超大规模 MRAM 单元中的自旋和电荷漂移扩散
设计先进的单位形状各向异性 MRAM 单元需要准确评估具有细长自由层和参考层的磁隧道结 (MTJ) 中的自旋电流和扭矩。为此，我们通过在隧道屏障界面处引入适当的自旋电流边界条件，并采用局部依赖于电荷电流磁化矢量之间角度的电导率，将成功用于纳米级金属自旋阀的分析方法扩展到 MTJ。从而准确地再现了作用于自由层的扭矩的实验测量电压和角度依赖性。超大规模 MRAM 单元的开关行为与最近对形状各向异性 MTJ 的实验一致。使用我们的扩展方法对于准确捕捉 Slonczewski 和 Zhang-Li 扭矩贡献对包含多个 MgO 屏障的复合自由层中的纹理磁化作用的相互作用绝对必不可少。
使用原子层沉积制造的氧化二晶型晶体管
在过去的几十年中，互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核（CMOS）技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应（SCE）的免疫力（尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中）的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度（EOT）缩放的高κ /金属门技术，以及超薄体，鳍和堆叠的纳米片通道晶体管；在3 nm技术节点1之外，半导体工业（遵循FIN场效应晶体管技术）目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流，至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而，常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度，而INGAAS的性能降低了10 nm。二维（2D）半导体是一种替代通道材料，与传统的半导管相比，单层厚度和单层厚度较高，在单层厚度上具有更高的迁移率。但是，2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外，这些材料很难浓缩，并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体，尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物（Igzo） - 用于平面晶体管（TFTS）中的半导体通道材料（用于平面式式施用应用程序12）。但是，尽管是高批量制造的成熟技术，但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1，并且在质量生产中使用时，它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而，对于单一三维（3D）整合应用14-21的CMOS后端（BEOL）中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。