* Fateme Mahdikhany和Sean Driskill是这项工作的同等贡献者,并被指定为第一作者。通讯作者:John Schaibley,Johnschaibley@arizona.edu
议长命令点名:阿博特·约翰逊·安德拉德·乔丹·艾尔斯沃思·朱迪·贝尔德·卡里克霍夫·巴雷特·金·巴特尔斯·克林克·巴特利特·劳尔·M·鲍尔·莱德贝特·贝宁·雷曼·博德斯·林道尔·博伊·卢卡斯·坎贝尔·莱内斯·卡博·曼宁·卡什·梅·切里·梅菲尔德·Q·克莱尔·麦圭尔·克里斯韦尔·麦克纳马拉·卡尔普·梅尔泽·戴维斯·D·米勒·德莱尼·K·米勒·德文·莫德·Q·德沃拉克·Q·莫里斯·恩格尔曼·莫里森·埃林顿·莫斯利·弗莱明·Q·内格勒·弗莱·奥布莱恩·加西亚·威尔伯恩·奥尔特霍夫·根达·帕克·吉亚·昆塔·帕特森·古德里奇·佩恩·戈尔·普法夫·格林·K·皮尔斯·哈格德·M·皮尔斯·霍尔·波特·汉密尔顿·普雷斯科特·哈里斯·普雷塞尔·哈彻·普赖尔·哈特菲尔德·罗雷·希顿·沙克尔福德·霍斯特特勒·Q·斯莱格·杰克逊·斯马尔茨·杰特·V·史密斯
“量子材料”的概念在各种科学和技术纪律中获得了突出的重要性,在这些纪律中,它们的量子现象(例如,纠缠,叠加,叠加,隧道和自旋轨道相互作用)推进了科学和技术的新兴领域,例如量子计算(Nielsen和Chuang,Chuang,Chuang,2000),Teleport(teleport)(teleport and teleport)(bennet and and and and and and and and et n.193),Eth。 2002年; Pirandola等,2020),感应(Degen等,2017),以及包括自旋奥梁型(Manchon等,2015),升温器(Bauer等人,2012年)的新型电子设备(Manchon等,2015) Schaibley等人,2016年),为新的全球商业市场提供了有效的驱动力。积极研究量子材料的科学家面临着各种挑战,这些挑战位于物理,材料科学和工程学的先锋方面。如果没有在世界各地工作的才华横溢的研究人员社区,包括诺贝尔奖获奖者到入门水平的学生,这些进步将是不可能的。该研究主题旨在强调那些处于这一重要领域最前沿的科学家。二氧化硅 - 硅硅质无定形界面(A -SIO 2 /Si)是硅设备的关键组成部分。Liu等。 报告第一原则计算,该计算检查应力对A -SIO 2 /Si(111)界面上P B缺陷的深度活化反应的影响,并且在A-SIO 2 /Si(100)界面上的P B1缺陷。 借助第一原则计算,Zhang等。 Liu等。Liu等。报告第一原则计算,该计算检查应力对A -SIO 2 /Si(111)界面上P B缺陷的深度活化反应的影响,并且在A-SIO 2 /Si(100)界面上的P B1缺陷。借助第一原则计算,Zhang等。Liu等。Liu等。他们的调查对工程实践很重要,因为它有助于促进对真实设备中性能变性的理解。提供了急需的理论基础,描述了-SIO 2 /Si中H 2 O和界面缺陷的相互作用(100)。量子材料的领域已扩大,以涵盖二维(2D)材料系统和相关的异质结构,其相互作用和基本反应性受范德华力支配。此外,由于潜在的信息处理和存储领域的潜在用途,越来越多的科学家将注意力引导到2D磁性材料。构建了Crgete 3 /Nio异质结模型,并在第一原则计算的帮助下研究了Crgete 3 /Nio界面的电气和磁性。可以通过将拓扑的基本定理和拓扑概念纳入声子的研究来开发,类似于拓扑电子领域所证明的。借助第一原则计算,李提出了