IRT1:氧化物 - 氧化物界面研究人员:Ravi(负责人)、Williams、Wang、Kourkoutis、Schlom 为了创建能够在室温下电控制磁性的界面材料,我们将共同理论化、合成和表征两种有前景的磁电系统。这两个系统都涉及含铁氧化物之间的界面,因为所有已知的室温(或更高温度)磁电体或磁电多铁性材料都是含铁的氧化物。 IRT 2:氧化物-金属有机框架界面研究人员:Li(负责人)、Ingram、Kourkoutis、Muller、Tandabany、Salman 将二维层状材料精确组装成复杂的异质结构在材料化学中具有科学兴趣和技术意义。范德华异质结构体现了这一概念,并人工横向或垂直堆叠两种原子薄的层状材料,为设计混合界面和功能设备铺平了新途径。这两种二维材料之间的有机-无机界面可能会产生不寻常的磁性。 IRT 3:氧化物 - 聚合物界面研究人员:Khan(负责人)、Williams、Wang、Schlom、Kourkoutis、Muller 聚合物和结晶固体之间的界面在一系列技术应用中发挥着重要作用。在 IRT-3 中,我们将研究具有独特导电性能的聚合物复合材料,这些复合材料通过模板化组装导电铁电聚合物制成,这些聚合物来自无机铁电氧化物提供的有序极化 15 图案。出版物
通过石墨烯进行远程外延相互作用的实验证据 Celesta S. Chang 1,2,† 、Ki Seok Kim 1,2,† 、Bo-In Park 1,2,† 、Joonghoon Choi 3,4,† 、Hyunseok Kim 1 、Junsek Jeong 1 、Matthew Barone 5 、Nicholas Parker 5 、Sangho Lee 1 、Kuangye Lu 1 、Junmin Suh 1 、Jekyung Kim 1 、Doyoon Lee 1 、Ne Myo Han 1 、Mingi Moon 6 、Yun Seog Lee 6 、Dong-Hwan Kim 7,8 、Darrell G. Schlom 5,*、Young Joon Hong 3,4,*、和 Jeehwan Kim 1,2,6,9,* 1 麻省理工学院机械工程系,美国马萨诸塞州剑桥 02139,2 麻省理工学院电子研究实验室,美国马萨诸塞州剑桥 02139 3 世宗大学纳米技术与先进材料工程系,首尔 05006,韩国 4 GRI-TPC 国际研究中心和世宗大学纳米技术与先进材料工程系,首尔 05006,韩国 5 康奈尔大学材料科学与工程系,纽约州伊萨卡,14850,美国 6 首尔国立大学机械工程系,首尔,韩国 7 成均馆大学(SKKU)化学工程学院,水原 16419,韩国 8 成均馆大学(SKKU)生物医学融合研究所(BICS),水原 16419,韩国 9 麻省理工学院材料科学与工程系,马萨诸塞州剑桥 02139,美国 † 这些作者的贡献相同。 * 通讯至 jeehwan@mit.edu、yjhong@sejong.ac.kr、schlom@cornell.edu ORCID ID:Celesta S. Chang (0000-0001-7623-950X)、Ki Seok Kim (0000-0002-7958-4058)、Bo-In Park (0000-0002-9084-3516)、崔仲勋 (0000-0002-2810-2784)、郑俊石 (0000-0003-2450-0248)、金贤锡 (0000-0003-3091-8413)、李尚浩(0000-0003-4164-1827),路匡业(0000-0002-2992-5723)、Jun Min Suh(0000-0001-8506-0739)、Do Yoon Lee(0000-0003-4355- 8146)、Ne Myo Han(0000-0001-9389-7141)、Yun Seog Lee(0000-0002-2289-109X)、Dong-Hwan Kim(0000-0002-2753-0955)、Darrell Schlom(0000-0003-2493-6113)、Young Joon Hong(0000- 0002-1831-8004)、Jeehwan Kim(0000-0002-1547-0967)摘要远程外延的概念利用衬底的衰减电位二维范德华层覆盖在基底表面,这使得吸附原子能够进行远程相互作用,从而遵循基底的原子排列。然而,必须仔细定义生长模式,因为二维材料中的缺陷可以允许从基底直接外延,这可能会进一步诱导横向过度生长形成外延层。在这里,我们展示了一种只能在远程外延中观察到的独特趋势,与其他基于二维的外延方法不同。我们在图案化石墨烯上生长 BaTiO 3,以显示一个反例,其中基于针孔的外延无法形成连续的外延层。通过观察在没有单个针孔的石墨烯上生长的纳米级成核位点,我们在原子尺度上直观地证实了远程相互作用。从宏观上看,GaN微晶阵列的密度变化取决于衬底的离子性和石墨烯层数,这也证实了远程外延机制。