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哈耶克与施密特论经济的“非政治化”
建议引用：Nentiedt，Daniel (2022)：哈耶克和施密特论经济的“去政治化”，CHOPE 工作论文，第 2022-15 号，杜克大学政治经济史中心 (CHOPE)，北卡罗来纳州达勒姆，https://doi.org/10.2139/ssrn.4314135
采用施密特触发器进行电路设计以提高可靠性
电子设备的尺寸正在接近原子大小，这迫使人们制定新的指导方针来应对 22 纳米以下设计的挑战。随着芯片制造深入纳米领域，工艺变异缓解和辐射硬度成为相关的可靠性要求。受工艺变异影响的集成电路可能无法满足某些性能或功率标准，从而导致参数产量损失并需要重新设计几个步骤 [1]。传统上，软错误 (SE) 是由来自太空或地面辐射的高能粒子与硅之间的相互作用引起的 [2]。然而，技术缩放引入了电荷共享现象和脉冲猝灭 [3]。此外，工艺变异会改变线性能量传输 (LET)，从而引发软错误。其后果是暂时的数据丢失，甚至在地面层面也会导致系统行为出现严重故障。
SN74LVC1G17-Q1 单施密特触发缓冲器数据表...
使用多位逻辑器件时，输入绝不能浮动。在许多情况下，数字逻辑器件的功能或部分功能是未使用的，例如，当仅使用三输入与门的两个输入或仅使用 4 个缓冲门中的 3 个时。此类输入端不应保持未连接状态，因为外部连接处的未定义电压会导致未定义的操作状态。以下指定的规则在任何情况下都必须遵守。数字逻辑器件的所有未使用的输入必须连接到高或低偏置以防止它们浮动。应应用于任何特定未使用输入的逻辑电平取决于器件的功能。通常，它们将绑定到 Gnd 或 Vcc，以更有意义或更方便为准。
CD40106B CMOS 六路施密特触发反相器数据表 (Rev. F)
(1) 超出绝对最大额定值所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些只是应力额定值，并不意味着器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
高性能辐射硬化NMOS仅基于Schmitt触发闩锁设计
基于缩放晶体管的抽象CMOS电路通常比采用大面积对应物的电路更容易受到辐射环境中能量颗粒引起的软误差的影响。在本文中，在Schmitt触发器上构建了一个软误差闩锁，它完全用NMOS晶体管实现，并提出了额外的电压助推器（我们称为NST-VB）。为了评估电路的辐射弹性，我们通过分析各种闩锁内部敏感节点的临界电荷来识别最敏感的节点。我们还检查了必需闩锁的线性能量传递（LET），并观察到NST-VB闩锁具有0：386mevcm 2 = mg的提高LET，与0：231mevcm 2 = mg和0：365mevcm 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg 2 = mg，分别为latch and latch and st latch。在过程变化分析中，我们进一步检查了5K蒙特卡洛模拟，以分析设备可变性对我们的设计的影响，并观察到所提出的NST-VB闩锁具有1：96关于ST LATCH的可变性较小的关键电压。此外，NST-VB闩锁的逻辑闪烁概率为48.32％，而ST闩锁的逻辑概率为53.04％。此外，与其他考虑的闩锁相比，计算并评估了拟议闩锁有效性的功率延迟面积比（QPAR）的关键电荷。