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RB551SH-30 肖特基势垒二极管
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大面积β-Ga2O3肖特基势垒二极管及其...
在过去的十几年中，β-Ga 2 O 3 器件特别是肖特基势垒二极管（SBD）发展迅速，性能得到显著提高，目前已接近SiC和GaN的性能[7−12]。目前大面积器件的研究主要集中在与边缘终端的结合[13−16]，用于大电流应用的基线器件或称无终端SBD很少研究。我们最近的工作表明，通过界面工程可以大大提高小面积SBD的性能[11]，这为大面积器件的发展带来了机会。具有无终端的高性能SBD或许更能体现Ga 2 O 3 SBD的应用潜力。总之，Ga 2 O 3 SBD的应用更为成熟，其应用潜力有待进一步论证。
功率肖特基二极管的 SEE 测试
PIST 失败 STPS20100 (QPL) 75% 80% 100% STPS1045 (QPL) 100% STPS6045 (QPL) 100% 75% STPS40100 (QPL) 70%* 75% 100% STPS3045 (NEW) < 50%** 50% 78% 78% 100% STPS20200 (NEW) 50% 75% 75% 100% STPS61170C (NEW) 40% 50% 76% 44% 59% STPS40H100 (NEW) 50% 65% 80% 75% 100% *2 部件通过 75% **未经测试
接受的手稿 - UCL Discovery重新访问（PD，PT，AU）/Tio2（P25）Schottky连接
1 paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心paris-saclay，CNRS，Laboratoire de physique des solides，91405 Orsay，法国2号法国2化学工程系，科学系，格拉纳达大学，格拉纳达大学，西班牙格拉纳达大学3 Harwellxps，Harwellxps，Harwellxps，研究中心
MBRD2045S 肖特基势垒整流器
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肖特基轻掺杂 P-中的捕获效应研究……
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应，并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时，平带电压的变化可以忽略不计，这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异，这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外，提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法，除了传统常开型高电子迁移率晶体管（HEMT）中发现的浅陷阱态[陷阱激活能（ET）约为0.334–0.338 eV]之外，在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态（ET约为0.467–0.485 eV）。观察到随着辐照剂量的增加，浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外，深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低，但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌，该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
基于石墨烯/基于SOI的自动schottky屏障光电二极管阵列
我们已经在基于绝缘体（SOI）的Schottky屏障光电二极管阵列（PDA）上制造了四元素的石墨烯/硅，并研究了其光电设备性能。在我们的设备设计中，单层石墨烯被用作SOI基板上N型SI通道的光刻定义的线性阵列上的常见电极。通过波长解析的光电流光谱测量显示，在自动操作模式下，PDA结构中的每个元素均显示出最大的光谱响应性约为0.1 A/W。时间依赖的光电流光谱测量值分别具有1.36和1.27 L S的升高时间和秋季时间，显示出出色的光电流可逆性。阵列中的每个元素的平均特定检测率约为1.3 10 12琼斯，而从代码上则是0.14 pw/hz 1/2的小噪声等效功率。预计此处提供的研究将在高增值石墨烯/基于SI的PDA设备应用方面提供令人兴奋的机会。
基于Gan Schottky二极管对的频率三重频率的演示和建模
基于Gan Schottky屏障二极管（SBD），使用反行二极管对（APDP）的频率三副制作者以3.6 GHz的输出频率进行了建模和建模。此外，明确研究并比较了两种连接方案，即APDP系列APDP和Shunt APDP三倍器。与分流APDP三倍器相比，系列APDP三重序列的输出功率更高-0.14 dbm，最小转化率较小26.9 dB。提出了两种类型三级游戏的精确紧凑型模型，以验证三倍体的产生功率和性能的产生。在紧凑的模型中，从i - v特征和宽带小信号s参数中提取了SBD的非线性香料参数和二极管对的寄生参数。三元器的输入和输出网络被取消安装，以确保谐波模拟的准确性。APDP作为频率三倍器的出色性能和相应的模型为设计RF乘数提供了一种实用的选择。
