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RB551SH-30 肖特基势垒二极管
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硅Schottky整流器Die
免责声明：1-本文给出的信息，包括规格和维度，可能会更改，而无需事先通知以改善产品特征。在订购之前，建议购买者与SMC-最新版本的数据表销售部联系SMC -Sangdest最微电子（NANJING）CO.2-如果需要极高的可靠性（例如在核电控制，航空航天和航空，交通设备，医疗设备和安全设备中使用），则应通过使用具有确保安全性或用户的故障安全预防或其他安排的半导体设备来确保安全性。3-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对根据数据表的操作期间因事故或任何其他原因造成的任何损害均承担责任。SMC-最微电子（NANJING）CO.，LTD对任何知识产权索赔或由于数据表中所述的信息，产品或电路的应用而可能导致的任何其他问题承担任何责任。4-在任何情况下，SMC-最倾斜的微电子（NANJING）Co.，Ltd对半导体设备中的任何故障或在超过绝对最大额定值的值时造成的任何次要损害均承担责任。出口这些产品（技术）时，必须根据相关法规采取必要的程序。5-数据表的任何专利或其他权利均未授予任何第三方或SMC的权利 - 最佳微电子（NANJING）Co.，Ltd。6- 6-数据表（s）不可能在任何形式或部分中以明确的书面形式复制或重复，或者不得以任何形式的零件复制或重复。 Ltd. 7-数据中描述的产品（技术）不得向其申请目的的任何一方提供限制国际和平与安全的任何一方，也不应由其直接购买者或任何第三方应用于该目的。
功率肖特基二极管的 SEE 测试
PIST 失败 STPS20100 (QPL) 75% 80% 100% STPS1045 (QPL) 100% STPS6045 (QPL) 100% 75% STPS40100 (QPL) 70%* 75% 100% STPS3045 (NEW) < 50%** 50% 78% 78% 100% STPS20200 (NEW) 50% 75% 75% 100% STPS61170C (NEW) 40% 50% 76% 44% 59% STPS40H100 (NEW) 50% 65% 80% 75% 100% *2 部件通过 75% **未经测试
β-GA2O3 Schottky的可靠电性能...
大小（2×2 mm 2）β -GA -GA 2 O 3 Schottky屏障二极管（SBD）的电气和陷阱特性已有50至350 K报道。理想因素（n）从1.34降低到几乎统一，随着温度从50 K上升到350 K，表明近乎理想的肖特基特征。低温温度（100 k）处的泄漏电流被显着抑制，表明在低温下的状态堵塞性能出色。载体浓度（N S）和Schottky屏障高度（φB）的温度依赖性弱依赖于β -GA -GA 2 O 3 SBD的稳定电特性。应力电流密度 - 电压（J-V）和即时测量结果揭示了在恶劣的低温条件下可靠的动态性能。通过深层瞬态光谱法（电子陷阱）与低频噪声光谱中的动态性能不稳定性和Lorentzian驼峰有关，在低频噪声光谱中被揭示了β-GA-GA 2 O 3 Epilayer。这项研究揭示了在极端温度环境中利用大型β -GA -GA 2 O 3 SBD的巨大潜力。
SS22A THRU SS220A SCHOTTKY RECTIFIER
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h-BN 封装中的超低肖特基势垒...
图 1：(a) 具有铁磁触点的 h-BN 封装单层 WSe 2 隧道器件示意图 (b) 器件的光学显微镜图像。矩形部分（红色）表示封装结构；定义触点之前的封装样品的光学图像。(c) (顶部) 单层 WSe 2 相对于直接接触材料铂的能级图；(底部) 在有限偏压和超阈值栅极电压下的正向偏压条件下的漏源电流示意图。请注意，在我们的器件中，多数电荷载流子是空穴。围绕铁磁触点弯曲的能带未缩放。(d) 4.7K 下单层 WSe 2 的光致发光 (PL) 光谱仪（X o 表示中性激子峰）；（插图）同一单层 WSe 2 的室温 PL 光谱显示单层中集体激发的单个特征峰在 1.67 eV 处。
量子阱肖特基二极管参数
本文的主要贡献是对不同的提取方法进行了比较研究，并在很大的温度范围内进行了测试（从极低的温度 100 K 到室温 300 K）。更准确地说，已经开发了四种技术来解决这个问题，例如 Cheung [ 1 ]、PSO、ABC 和 DE。关于所使用的启发式技术，PSO 算法最初模仿生物的社会行为和运动，例如一群鸟或一群鱼。同时，ABC 算法模拟了自然界中蜜蜂的觅食行为。而最后一种算法，即 DE，是一种基于种群的算法，旨在解决实际的优化问题。该算法需要四个主要步骤，例如初始化、突变、重组和选择。有关这些算法的更多详细信息，请参阅参考文献 [ 5、11、12 ]。