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在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
在选定的环境气体下，金修饰石墨烯-Si 肖特基势垒二极管中的低频噪声
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行，以及在黄光照射 (592 nm) 期间进行，接近测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时（在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化，而当添加氯仿时（在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比，在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比，AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论，所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
在自由的基板上生长的gan epilayer的Ni Schottky屏障的当前运输
[5] K.J. Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。 电子设备64，（2017）779。 [6] Y. Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。 8，不。 5，pp。 575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。 SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。[5] K.J.Chhen，O.Häberlen，A。Flee，Sweep Linen Tsai，T。Ueda，Y。Uemoto，Y。Wu，Ieet Trans。电子设备64，（2017）779。[6] Y.Sun，X Age，Yeng，J Lu，X Tian，K Wei，H Wu，W.Wang，X。Franumer和G. Zhang，Electronics，vol。8，不。5，pp。575，（2019）[7] j。 Y. Zhang，M。Sun，D。Piedra。SCI。 半座。 Process。，78，75-84，（2018）。 Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。 物理。 Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。Process。，78，75-84，（2018）。Y. Zhang。 Sun，M。Liu，D。Piedra。物理。Lett。 110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。110，193506（2017）。 F. Roccafort，F。Giannazzo，A SCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。110，193506（2017）。F. Roccafort，F。Giannazzo，ASCI。 半座。 过程。 94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。SCI。半座。过程。94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。 郑，Pr。佩里。 8，pp。 74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。94，164（2019）[10] K. Fu，H。Fu，H。Huang，T.-H。杨，C.-y。郑，Pr。佩里。8，pp。74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。 物理。 Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。74-83，2020 [11] L. Sang，B。Ren。物理。Lett。 111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Lett。111，12102（2017）。 [12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda， 电子。 dev。 69，4206（2022）。 G. Giannazzo，F。Giannazza， 固体状态A，215）（2018年），1700613。 [14] P.V. Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。111，12102（2017）。[12] St. Li，B。Ercan，C。Director，H。Icda，电子。dev。69，4206（2022）。G. Giannazzo，F。Giannazza，固体状态A，215）（2018年），1700613。[14] P.V.Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。Ray，C。Raynaud，C。Sound，A.J.E。no，H。Morel，L.V。Phung，T.H。 非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。Phung，T.H。非政府组织，P.D。 Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。 J. 128，（2022）1055。 [15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。 ng，K。Ranjan。 物理。 展开。 13，074001（2020）。 [16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。 He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。 SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。非政府组织，P.D。Mierry，E。FrayersH. Maher，J。Tasselli，K。Sub-Morease，Y。Cordier，D。Plannon，Microelectron。J.128，（2022）1055。[15] A.Sanduplata，S。Alummaran，G.I。ng，K。Ranjan。物理。展开。13，074001（2020）。[16] Z. Shi，X。Xiang，H。Zhang，Q.。He，G。Jian，K。Zho，X。Zho，Xing，G。Xu，Smicond。SCI。 树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。树。 37（2022）065010。 [17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。 电子。 dev。 69，1938（2022）。 [18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。 iRet，t。 Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。 [19] T.H. ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G. 谴责，F。Roccafort，物理。 状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。 冲浪。 SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。树。37（2022）065010。[17] X. Liu，F。Lin，F。Li，Y。Ship，H.C。 Kuo，IEEE Trans。电子。dev。69，1938（2022）。[18] V. Maurya，J。Buckley，D。Alquier，H。Haas，M.R。iRet，t。Calsounis，M。Charles，N。Rohat，C。Snails，V。[19] T.H.ngo，R。Country，E。Frays，H。Cauveau，St.Hengoon，B。Damilano，F。Ford，B。Beaumont，J.P。G. G. Greco，Franco，P。Grzanka，M。Leszczynski，C。Youth，G.G. G.G.谴责，F。Roccafort，物理。状态实体A，212（2015）1091-1098 [21] G. Greco，F。Iucolano，C。Bongs，F。Giannazzo，M。Krysko，M。Leszzynski，F。Roccafort，Appl。冲浪。SCI。 314（2014）546–551。 https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。SCI。314（2014）546–551。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。 SCI。 SCI。https://doi.org/10.1016/j.apsusc。SCI。 SCI。SCI。SCI。SCI。F. Roccafort，F。Giannazzo，A半座。过程。94（2019）164–170。 https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. Tung，Mater。 Eng。，R。35.1（2001）。 JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。 物理。 70，7403（1991）。 [25] R. F. F. SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。94（2019）164–170。https://doi.org/10.1016/j.mssp。 [23] R. T. Tung，Mater。 Eng。，R。35.1（2001）。 JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。 物理。 70，7403（1991）。 [25] R. F. F. SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。https://doi.org/10.1016/j.mssp。[23] R. T. Tung，Mater。Eng。，R。35.1（2001）。JP [24] J. P. Sun，R。M。R. Pinto和W. R. Graham，J。Apple。物理。70，7403（1991）。[25] R. F. F.SCI。 树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。SCI。树。 B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。 物理。 93，9137（2003）。 F. Roccafort，G。Greco，P。 冲浪。 SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。树。B 15,1221（1997）[26] F. Roccaforte，F。Via，V。Raineri，R。Pierobon和E. Zanoni，J。Appl。物理。93，9137（2003）。F. Roccafort，G。Greco，P。冲浪。SCI。 606（2022）154896 [28] G. Greek，P。 物理。 129（2021）234501。 M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。 d：应用。 物理。 54（2021），055101。 F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。 9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。 mater。 50，（2021）6688–6707。SCI。606（2022）154896 [28] G. Greek，P。物理。129（2021）234501。M. Vivona。 G. G. G. Belocchi，L。Zumbo，S。d：应用。物理。54（2021），055101。F. A. A. Padovani和R. Stratton，固态。9，（1966）695 [31] H. Kim; J. Electron。mater。50，（2021）6688–6707。
垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)
P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构，2022 年，172，第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�
3.3 kV 4H-SiC JBS 二极管的优化 - WRAP：Warwick
摘要—本文报告了一项综合研究，该研究优化了使用镍、钛和钼接触金属制成的 3.3 kV 结势垒肖特基 (JBS) 二极管的 OFF 和 ON 状态特性。在此设计中，使用与优化终端区域相同的植入物来形成 JBS 有源区域中的 P 区。P 区的宽度和间距各不相同，以优化器件的 ON 和 OFF 状态。所有测试的二极管均显示出高阻断电压和理想的开启特性，最高额定电流为 2 A。然而，发现漏电流和肖特基势垒高度 (SBH) 与肖特基与 p + 区域的比例成比例。没有 p + 区域的全肖特基和具有非常宽肖特基区域的肖特基具有最低的 SBH（Ni 为 1.61 eV、Mo 为 1.11 eV、Ti 为 0.87 eV）和最高的漏电流。肖特基开口最小（2μm）的二极管具有最低的关断状态漏电，但它们受到周围 p + 区域的严重挤压，从而增加了 SBH。性能最佳的 JBS 二极管是间距最窄的 Ni 和 Mo 器件，p + 植入物/肖特基区域均为 2μm 宽。这些器件提供了最佳的平衡器件设计，具有出色的关断状态性能，而肖特基比保证了相对较低的正向压降。
金修饰石墨烯硅肖特基中的低频噪声...
我们报告了金纳米粒子 (AuNP) 修饰的石墨烯-硅肖特基势垒二极管的电流-电压特性和低频噪声的结果。测量在环境空气中添加两种有机蒸气四氢呋喃 [(CH 2 ) 4 O; THF] 和氯仿 (CHCl 3 ) 中的任一种进行，在黄光照射 (592 nm) 期间也是如此，接近于测量的金纳米粒子层的粒子等离子体极化频率。当加入四氢呋喃蒸气时（在金修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），我们观察到正向电压 (正向电阻区域) 的直流特性发生变化，而当添加氯仿时（在未修饰的石墨烯-硅肖特基二极管中），在黄光照射下会发生微小的变化。与无照射相比，在黄光照射期间观察到两种气体的低频噪声差异明显较大。与没有 AuNP 层的石墨烯-Si 肖特基二极管相比，AuNP 抑制了噪声强度。我们得出结论，所研究的金装饰肖特基二极管产生的闪烁噪声可用于气体检测。
AU/GAN和PEDOT的电气性能
I.引入电子组件的发展，例如Schottky二极管，MOS，晶体管和金属分离的半导体，GAN通常使用（MIS）。et cetera。[1-3]。氮化壳是一种非常有前途的材料，用于具有高强度，高频率和宽频率和高电子速度饱和的半导体材料。氮化岩二进制化合物是一种半导体直接带隙，其晶格参数=4.52Å，Eg = 3.22 eV，属于III-V家族的300 K [4]。此二进制化合物（LED），光电探测器（MSM），激光二极管，太阳能电池施加和现场效应微波晶体管[5-9]是光发射二极管中的有前途的材料。gan的高频特性使其适用于高频和高功率应用。[10，11]。已经对Schottky二极管设备生产的许多理论和实验研究进行了研究（Metal-GAN）。项目已经研究了在不同频率下1 kHz-1 MHz范围内Au / Nio / Gan Schottky二极管的电子参数和频率依赖性。
金属硅化与掺杂剂偏析
摘要：近年来，硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极，关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压，而且还要确保高效的电荷传输。在本文中，我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层，从而确保了高效的电荷传输，从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子，使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果，实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外，NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极，以实现高性能 PEC 水分解。关键词：硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍