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垂直 GaN 的阴极发光和电学研究......
Thi Huong Ngo、Rémi Comyn、Eric Frayssinet、Hyonju Chauveau、Sébastien Chenot 等人。具有位错簇的垂直 GaN-on-GaN 肖特基二极管的阴极发光和电学研究。《晶体生长杂志》，Elsevier，2020 年，552，第 125911 页。�10.1016/j.jcrysgro.2020.125911�。�hal- 03418915�
灯笼（III）氢氧化物纳米颗粒和光敏感硅杂音中的聚乙烯功能化石墨烯量子点纳米复合材料
摘要：灯笼在光电子中主要用于掺杂剂，以增强半导体设备的物理和光学特性。在这项研究中，灯笼（III）氢氧化物纳米颗粒（LA（OH）3 NP）用作聚乙基亚胺（PEI）功能化的氮（N）掺杂的石墨烯量子点（PEI- N GQD）的掺杂剂。通过绿色新颖方法在单一步骤中从LA（NO）3中制备3个NPS掺杂的PEI- nps-n GQD纳米复合材料，并以傅立叶转换红外光谱（FT-IR）为特征（TEM）。 在n型Si晶圆上沉积，洛杉矶（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQDS纳米复合材料形成Schottky Diodes。 I -V特性和二极管的光响应是根据照明强度在0-110 mW cm -2和室温下的照明强度的函数。 发现二极管的直接拟合比和理想性因子降低，而Schottky屏障和串联电阻随着增强的照明而增加。 作为光电探测器，LA（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQD/N-SI异质结的表现出3.9×10 - 3 AW - 1在22 mW cm-2下，在-0.3 V偏见下，在22 mW cm-2下，最大检测到8.7×10 8 JONES的最大检测，并在8.7×10 8 JONES中进行了研究。呈现LA（OH）3 NPS掺杂的PEI-N GQD的结构，电气和光电特性，表明这些纳米复合材料对于光电应用程序有望有望。通过绿色新颖方法在单一步骤中从LA（NO）3中制备3个NPS掺杂的PEI- nps-n GQD纳米复合材料，并以傅立叶转换红外光谱（FT-IR）为特征（TEM）。在n型Si晶圆上沉积，洛杉矶（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQDS纳米复合材料形成Schottky Diodes。I -V特性和二极管的光响应是根据照明强度在0-110 mW cm -2和室温下的照明强度的函数。发现二极管的直接拟合比和理想性因子降低，而Schottky屏障和串联电阻随着增强的照明而增加。作为光电探测器，LA（OH）3 nps掺杂的PEI- N GQD/N-SI异质结的表现出3.9×10 - 3 AW - 1在22 mW cm-2下，在-0.3 V偏见下，在22 mW cm-2下，最大检测到8.7×10 8 JONES的最大检测，并在8.7×10 8 JONES中进行了研究。呈现LA（OH）3 NPS掺杂的PEI-N GQD的结构，电气和光电特性，表明这些纳米复合材料对于光电应用程序有望有望。关键字：稀土元素，灯笼（III）氢氧化物掺杂，石墨烯量子点，绿色方法，纳米复合二极管，光敏性
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TVS: 30,000 件/月 MOSFET/ IGBT: 10,500 件/月 EPI: 60,000 件/月 肖特基: 45,000 件/月 TVS ESD 阵列: 5,000 件/月 齐纳: 5,000 件/月 FRED: 5,000 件/月 LVf 整流器: 5,000 件/月
首先在1.2 kV SIC MOSFET身体二极管鲁棒性测试
1。上下文SIC MOSFET由于其强劲的损失而广泛用于新应用设计，并且具有高开关频率和高工作温度的功能。与氧化门相关的可靠性问题已经很好地解决，并且已经发表了许多有关阈值电压不稳定性的研究[1; 2]。使用车身二极管避免外部Schottky二极管[3; 4]。在本研究中，对1.2 kV的SIC MOSFET体二极管进行了压力并进行了研究，以确定使用时任何衰老或降解问题。
2 THz 固态辐射计的开发...
1 JET推进实验室，美国2巴黎观测站，法国勒马3辐射仪物理学GmbH，德国，星际培养基和行星大气都富含具有光谱旋转和振动签名的分子物种，这些分子在1-10 Thz频率范围内。在2.06 THz（145.525 um）处的原子氧（OI）发射是地面热层中两条最亮的发射线之一，已经从气球中观察到，声音发声和轨道平台[1]。Schottky二极管前端接收器已被证明2.5 THz [2]，具有二氧化碳甲醇气体激光振荡振荡器源。这使得可以在Cubesat或类似微型平台上部署的A2-THZ所有固态前端杂种接收器的开发。首先，我们将介绍2THZ前端接收器的初步开发，其第一电路迭代具有与以前的研究相似的平衡亚谐波混合器，以及Noise温度测量系统。其次，我们将讨论第二次迭代的进一步电路开发，包括一种新型的偏见亚谐波混合器。此混合器提供了一对反行的二极管，有利于在可用的功率和线路损失之间更好地折衷，并在[4]中部分解决。参考文献[1] K. U. Grossmann，M。Kaufmann和E. Gerstner，对下热层原子氧的全球测量，地球。res。Lett。，卷。 27，编号 9，1387-1390，2000。Lett。，卷。27，编号9，1387-1390，2000。[2] P. Siegel，R。Smith，M。Gaidis和S. Martin，“ 2.5-Thz Gaas Monolithic Membrane-Diode Mixer”，IEEE Trans。微量。理论技术，第1卷。47，否。5，pp。596–604，1999年5月。[3] E. Schlecht，Siles，J.V.，Lee，C.，Lin，R.，Thomas，B.，Chattopadhyay，G.，Mehdi，I。“ Schottky Diode基于基于室温的1.2 THz接收器，在室温下运行，在室内及下面，用于行星的大气音响” IEEEE EEEE EEEE EEE EEE TRANS。Terahertz Sci。Tech，第4卷，第4号6，2014年11月。[4] Jeanne Treuttel，B。Thomas，A。Maestrini，J.V.-Siles，C。Lee，I。Mehdi，“一款具有独立有偏见的Schottky Diodes的330 GHz Sub-Harmonic混合器”，国际太空Terahertz Technology在Terahertz Technology上，Terahertz Technology，Terahertz Technology，2012年4月，2012年4月，日本东京，日本。
电子束lithograpy（EBL）
蚀刻设置 - up。尖端可以用作纯发射器作为纯发射器或在氧化物添加氧化涂层时以热效率/ Schottky模式操作。超出尖端的其他应用（尖端直径<100 nm）包括用作STM探针或纳米流动器。可以使用电流 - 电压特性，通过发射模式观察，通过测量液压和电子束的稳定性来分析隧道尖端性能。可以在我们的FI ELD发射显微镜中进行原位进行无涂层尖端的激活和Thermal-Fi ELD发射器（或Schottky发射器）的测试。A.Knápek等。 ： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。 ： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。 A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “ STM尖端电化学制备和超偏用发射阴极的可编程设置”，微电动工程学，2017年，173：42-47 A.Knápek等。： - “聚合物石墨铅笔作为经典导电SPM探针的便宜替代品。”纳米材料，2019，9.12：1756。A.Knápek等。 ： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。A.Knápek等。： - “常规SEM中聚焦电子束的波动。”超显镜，2019，204：49-54。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
印度理工学院鲁尔基分校
小时 半导体霍尔效应研究。（1）四探针法测量半导体的电阻率和带隙。（1）半导体磁阻研究。（1）随温度变化的器件的 IV 特性。（1） pn 结和 MOS 电容器的 CV 特性。（1） LED、激光器和太阳能电池的器件特性。（3）扩散炉工作原理研究。（1）肖特基二极管的制造和特性分析。（1）使用物理气相沉积（真空蒸发器）和旋涂技术沉积薄膜。（1） MOSFET 工艺/器件模拟和参数提取。（1）