TAINAN, Taiwan and SHENZHEN, China – January 2, 2024 – Himax Technologies, Inc. (Nasdaq: HIMX) (“Himax” or “Company”), a leading supplier and fabless manufacturer of display drivers and other semiconductor products, today announced that the Company, in collaboration with Seeed Studio, the IoT hardware partner providing services that empower developers to implement their projects and products for digital转换,将推出尖端电池供电的端点AI视觉处理模块,Grove Vision AI模块V2,CES2024。此处理模块以Himax的WiseEye2 AI处理器HX6538(“ WE2”)为特色,以其极低的功耗和出色的AI推理性能而闻名,具有广泛和广泛的AI开发功能。在行业的最前沿,处理模块是一个强大的端点AI开发平台,为将来的AI应用程序铺平了道路。Himax的Wiseeye TM智能图像传感解决方案已在各种端点AI应用中很好地采用。新一代WE2 AI处理器是建立在其前身芯片We1的成功之上的。WE2利用高级皮层M55和Ethos U55体系结构可提供32倍的推理速度,而与WE1相比,推理速度和能源效率高50倍。这些增强功能允许WE2在保持超低功耗的同时启用更多端点AI计算要求。WE2具有多层电源管理结构,并结合了动态电压频率缩放(DVFS)技术,以实现微型水平的功耗。WE2还包含了令人印象深刻的安全功能,包括确保每个芯片都具有独特身份的物理不荡情功能(PUF)安全机制,从而减轻了未经授权的访问和伪造的风险,从而增强了芯片安全性。此外,内置的RSA和ECC硬件加密和解密引擎实现了毫秒级快速安全启动,进一步确保了安全有效的数据传输。作为AI支持的微处理器领域的先驱,WE2提供了出色的AI推论功能,具有超值功耗超过传统MCU的规格。这些优点使WE2成为Seeed Studio端点AI视觉处理模块的理想选择。配备了WE2的SEED Studio Endpoint AI模块是端点AI设备的全面开发平台,可满足软件和硬件的各种开发需求。在硬件开发方面,该模块支持MIPI CSI摄像机和麦克风,以帮助收集图像和声音数据。此外,它还提供了通用界面设计,可支持众多IO接口,使开发人员可以在同一接口上连接不同类型的外部设备,并大大增强了产品开发的灵活性和便利性。用于软件开发,Seeed Studio的端点AI视觉处理模块不仅提供了数十个预训练的AI模型,而且还具有Edgelab AI工具链。这个功能强大的工具链使用户可以根据其特定要求量身定制AI模型培训,从而实现更多个性化的AI软件开发。在系统级硬件和软件互操作性和协作方面,Seeed Studio处理模块可以与广受欢迎的Seeed的Universal Xiao Microcontroller开发板系列无缝集成。组合可以将处理模块与无代码AI方法集成到各种家用电器中,从而使家用设备中的AI技术更加有效。
Item Value CPU Dual-core ARM Cortex M0+ processor up to 133MHz Flash Memory 2MB SRAM 264KB Digital I/O Pins 11 Analog I/O Pins 4 PWM Pins 11 I2C interface 1 SPI interface 1 UART interface 1 Power supply and downloading interface Type-C Power 3.3V/5V DC Dimensions 20×17.5×3.5mm Programming Language Arduino/Circuitppython/Micropython
材料声明 符合MEMSensing标准对危害物质管控的要求(包括RoHS2.0+REACH+Halogen-Free等),标签上有“HSF”标识。
备注:1.显示的百分比表示红、绿或蓝通道值与清晰通道值的比率。2.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。3.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 35 nm、发光效率 = 75 lm/W。4.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 47 nm、发光效率 = 520 lm/W。5.640 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供:峰值波长 λ p = 640 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 17 nm、发光效率 = 155 lm/W。6.照度响应度 R v 是使用注释 3、4 和 5 中所述的 LED 发光效率值并采用 1 lx = 1 lm/m 2 ,根据辐照度响应度 R e 计算得出的。
