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AWS上的半导体设计-AWS白皮书
IT和EDA支持组织面临的挑战是以满足时间表和预算要求的方式提供运行工作流量所需的基础架构。他们必须投资于越来越大的服务器农场和高性能存储系统，以使工作流量的高质量，快速的周转。花费了很多整体设计时间来验证组件。诸如知识产权（IP）核心的表征，功能性验证和时机分析的表征量之类的流量具有刺激性的需求，并限制了工程生产率。这需要具有足够的计算能力来最大程度地减少工程师等待结果的时间，但可能导致工作流程之间资源的利用不足。新的和升级的IC制造技术已经提高了峰值计算和存储要求，挑战组织以找到满足硅开发团队需求的方法，同时管理成本。
通过两种催化剂催化的耦合聚合制备染料半导体，并应用于晶体管
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
使用债券电阻作为半导体功率模块的老化指标
摘要 - 本文调查了电线的使用 - 将接触电阻作为诊断电力电子模块的健康状况的指标。该技术特别致力于监测当模块用开尔文点连接时，在模块连接时，顶部互连（金属化线键）的降解。该指标的一个优点是，可以在线遵循，而不会被当前或电压打扰，以诊断健康状况，并可能通过将功率模块的剩余寿命的预后与终身模型相关联。为此目的，基于在不同条件下的动力循环测试，该指标与常用的指标（即收集器发射器电压VCE表明，第一个对降解更敏感，更易于在线使用，最后应该更适合终身预后。
irhnj67230（JANSR2N7591U3）PD-96923G实习：嵌入式系统程序员（w/m/div）*员工质量工程师 - 半导体职位描述
我们正在为每个人创造最好的Infineon旅程。这意味着我们拥抱多样性和包容性，并欢迎每个人的身份。在Infineon，我们提供了一个以信任，开放性，尊重和宽容为特征的工作环境，并致力于为所有申请人和员工提供平等的机会。我们根据申请人的经验和技能为基础。，即使您不能完全满足职位发布的所有要求，我们也期待收到您的简历。请让您的招聘人员知道他们是否需要特别注意某件事，以便您参与面试过程。
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
博士论文：用于量子计算应用的低温半导体器件可靠性 (f/m/div)*
我们提供一篇博士论文，研究液氦温度下半导体器件的老化机制。基于电气测量，确定并深入研究了 4.2 K 下的相关物理老化机制。开发或扩展了低温老化模型。过去二十年来，量子计算一直是基础研究中一个非常活跃的领域。在过去的 5 年里，它已经达到了成熟的水平，商业应用触手可及。英飞凌希望通过研究不同的量子系统及其在低温下的电子环境来推动这一发展，以便操纵和读取这些系统。在半导体器件中，许多物理效应会导致器件电气参数的漂移，进而导致整个电路故障。预测这种漂移在整个生命周期中的现象对于确保电路的功能性非常重要。对于量子计算应用，需要研究低温下的退化效应，并分别开发物理模型。
一种新型铁电Rashba半导体
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件（如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管）至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而，只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里，Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变，并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中，较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
半导体工程和微电子设计硕士学位
半导体工程与微电子设计硕士学位（硕士学位网站）的主要目标是在集成电路、数字和模拟电路的设计和制造领域提供先进和专业的科学技术培训，重点应用于存储系统、通信系统、控制系统、计算系统、传感器和新兴设备，如二维和量子。通过这种方式，我们的目标是弥补目前此类培训专业人员的短缺，这种培训在西班牙和欧洲工业界以及半导体技术研究领域都受到高度重视。
基于锗的超导体/半导体混合纳米结构用于量子信息
基于超导电路的超导量子比特由超导电容器和具有 transmon 几何的约瑟夫森结组成，广泛应用于高级量子处理器，追求可扩展的量子计算。transmon 的量子比特频率的调整依赖于超导环路中两个超导体-绝缘体-超导体 (S-I-S) 约瑟夫森结的超电流之间的磁通量相关干扰。基于超导体-半导体-超导体 (S-Sm-S) 材料的约瑟夫森结为门可调 transmon 提供了一种可能性，称为“gate-mon”，其中量子比特频率可以通过静电平均值进行调整。在 III-V 材料平台上实现的 gatemon 显示出 transmon 替代品的令人瞩目的发展，但在可扩展性方面仍然存在一个大问题。硅锗 (SiGe) 异质结构由于其高空穴迁移率和 Ge-金属界面的低肖特基势垒而成为承载混合器件的潜在平台之一。此外，与硅基半导体行业的兼容性是扩大量子比特平台的一个有力优势。在本论文中，我们基于 SiGe 异质结构中的 Al-Ge-Al 约瑟夫森结开发了门控。首先，建立了自上而下方法中约瑟夫森场效应晶体管 (JoFET) 的稳健制造配方。我们对 JoFET 进行了详尽的测量，以研究它们随栅极电压、温度和磁场变化的特性。这些器件显示了临界电流 (I C ) 和正常态电阻 (R N ) 的栅极可调性。估计这些器件具有高透明度的超导体-半导体界面，SiGe异质结构上的高 I C R N 乘积证明了这一点。在有限电压范围内，观察到对应于多个安德烈夫反射 (MAR) 的特征。然后，我们在 SiGe 异质结构上制造和表征氮化铌 (NbN) 超导谐振器。我们在传输模式下测量谐振器，并从传输系数 (S 21) 中提取谐振频率 (f r)、内部品质因数 (Q i) 和耦合品质因数 (Q c)。随后，我们开发了制造工艺，将与电容器分流的 Al-Ge-Al 结（换句话说，gatemon）集成到谐振器方案中，并根据设计进行制造。我们在其中一个制造的 gatemon 中演示了反交叉特性。使用双音光谱技术映射门控器的谐振频率，发现它是门可调的。量子位具有较大的光谱线宽，这意味着相干时间较低。此外，我们对超导量子干涉装置 (SQUID) 几何中的结进行了电流相位关系 (CPR) 测量。我们可以证明结构成非正弦 CPR。此外，在辐照结的电流-电压特性曲线中观察到整数和半整数 Shapiro 阶跃。这表明我们的结具有 cos 2 φ 元素，这可以为受保护的量子位开辟另一种可能性。