• 制定全面的印度半导体市场战略,强调长期伙伴关系和协作。 • 建立荷兰和印度半导体利益相关者之间沟通和合作的专用渠道。 • 投资人才发展和技能提升计划,以弥合半导体专业人员的供需差距。 • 利用印度-荷兰在半导体领域合作的成功案例和案例研究来启发和指导未来的举措。 结束语和行动号召 最后,印度-荷兰半导体机会报告强调了印度和荷兰在半导体领域的合作潜力。它呼吁两国的利益相关者抓住机遇,踏上合作创新和增长之旅。通过合作,印度和荷兰可以创建一个蓬勃发展的生态系统,推动技术进步,促进人才发展,并为全球半导体领导地位做出贡献。
半导体加工安全课程让毕业生掌握安全处理半导体制造相关化学品和工艺所需的技能。随着对机器学习、人工智能和云计算的需求不断增长,半导体和集成芯片的生产也不断增加,而这些芯片的安全可靠生产需要既有被动安全策略,也有主动安全策略。该课程的毕业生不仅能够确保现有工艺的安全,而且还有机会在半导体加工的诸多领域建立安全原则,因为这些领域正在不断扩展和创新。
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流动性和运输已成为我们日常生活中不可或缺的一部分。出于这个原因,该行业对于实现气候保护目标至关重要,尤其是在减少诸如CO2和NOX等温室气体排放以及颗粒物排放方面。但是,随着电动汽车市场的不断增长,对原材料和稀土的需求越来越大。因此,仅过渡到全电动车是不够的。为了真正启动更绿色的未来,我们需要采用节能和可持续的解决方案。通过使传动系统电气化,可以显着降低排放,而最新的半导体功率技术的利用和计算芯片组则优化了能源效率。因此,让我们探索如何将Infineon的“ 10 kWh 100 km”的愿景变成现实。
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势,它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势,尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场,因此能够在更高的电压下工作。此外,GaN 器件的阻抗要高得多,因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言,与竞争对手的射频相比,GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
特性/优点 节省尺寸和重量 减少误跳闸和 EMC 内置测试功能 与机电设计相比,节省重量和尺寸 固态可靠性 真正的 I 2 t 和即时跳闸保护 软件和硬件电流额定值可编程 精确的电流、温度和电压测量 隔离的离散或串行接口控制和负载监控 SSPC 结合了保护、远程控制和健康监控功能
历史回顾 NIST 的前身是美国国家标准局 (NBS),该局于 20 世纪 50 年代中期开始工作,以满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用,但在 20 世纪 60 年代初,该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法,其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五项工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。由 EIA 专家小组推荐的第二个项目解决了晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目成果得到了广泛应用,包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
横截面 HAADF-STEM 图像和相应的 EDS 图,显示了交替堆叠的 TiO 2 和 SiO 2 层以及单层 Al 2 O 3,全部通过等离子 ALD 在纳米级沟槽结构上生长。