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光子科学中半导体检测器的演变
•遵循脉冲RF系统•E-/X射线脉冲的火车•最大。= 2.700每火车/27.000/s•电子能量：8.5 - 17.5 GEV•光子能量：0.26-> 25 keV•脉冲持续时间：2 - 100 fs
3。NIMP2030和半导体99
新工业总体规划（NIMP）2030的任务是提高经济复杂性。半导体是关键重点，尤其是芯片设计和制造。还有其他一些产品领域具有很高的经济复杂性，但与现有的专业知识相关，例如某些特殊的化学物质和气体，组件和设备。此外，对新的和新兴技术的投资，例如高级包装，复合半导体和基于石墨烯的半导体，可能会产生巨大的经济回报。1。马来西亚在短短六十年中就经历了实质性的工业转型，从基于资源的经济转变为多元化的工业化经济。这种转变在很大程度上反映了马来西亚的工业政策的演变，从英国殖民统治下的采摘政策到独立后的工业化和面向出口的工业化进口（图A3.1）。这些变化体现在出口成分的转移中 - 1980年之前的橡胶和锡中的浓度浓度，并逐渐将产品混合物扩展到制造商品（尤其是电气和电子产品），石油和天然气以及棕榈油（图A3.2）。能够快速结构性变革的主要激励措施包括自由贸易区，关税保护，税收假期，投资税收抵免以及更多自由的外国股权参与以吸引FDI。
用于半导体制造的稀土元素
摘要 半导体行业高度依赖稀土元素 (REE)，因为稀土元素具有增强半导体器件性能的独特性质。稀土元素包括镧系元素、钇和钪，在从生产强力磁铁到改进显示技术和气体传感能力等各种工艺中都至关重要。然而，全球稀土供应主要集中在中国，占产量的 90% 以上。这种集中对依赖从中国进口关键材料的美国半导体行业构成了重大风险。尽管美国努力实现来源多元化并发展国内能力，但由于缺乏加工基础设施和环境挑战，美国仍然脆弱不堪。本文探讨了全球稀土供应链的现状，重点关注美国对外国进口的依赖。通过情景规划和战略建议，该研究提供了有关美国如何加强国内供应链并减少对外国稀土元素的依赖，从而增强其在全球半导体市场的竞争力的见解。
半导体的成就与前景...
欧洲共同体本身围绕三大支柱构建。第一大支柱是“欧洲芯片”计划，直接解决了增加欧洲半导体产量的主要目标。该法案的这一部分旨在促进知识从实验室向制造工厂的转移，促进欧洲公司创新技术的工业化。该计划将获得欧盟 33 亿欧元的资助，预计成员国还将提供补充资金。在第一个支柱下，该法案将支持建立先进的试点生产线、开发基于云的设计平台、创建能力中心、推进量子芯片的发展以及建立专用金融工具等活动。
NOI - 可持续半导体材料的人工智能驱动的自主实验 (AI/AE)
1 半导体研究公司，“MAPT 微电子和先进封装技术路线图”，2023 年。可在线获取：srcmapt.org/wp-content/uploads/2024/03/SRC-MAPT-Roadmap-2023- v4.pdf 。2 AI 愿景：可持续材料的 AI，白宫科技政策办公室，2024 年。可在线获取：ai.gov/aspirations/ 3 半导体研究公司，“MAPT 微电子和先进封装技术路线图”，2023 年。可在线获取：srcmapt.org/wp-content/uploads/2024/03/SRC-MAPT-Roadmap-2023- v4.pdf 。
半导体纳米材料尺寸验证：对
由于半导体纳米粒子具有独特的机械、光学、光子和电学特性，科学界对其研究突飞猛进。[1-4] 借助 Wein2K 代码，他们最近报道了 Zn1–xMnxS (0 ≤ x ≤ 1) 的机械、结构、电学、磁性和光学行为。纳米材料的质量很大程度上取决于它们的表面积与体积的比，这会影响其中的几个属性。[5-8] 半导体的带隙是其最重要和最基本的特性之一。半导体材料的电学和光学特性从根本上受带隙的影响。[9-14] 因此，为了更好地了解它们的特性，研究 SCN 的带隙增长至关重要。半导体的大带隙使其在各种应用中都很有用。尽管硅光子纳米器件已经被广泛制造和利用，但体硅的间接和微小带隙限制了它的利用。许多理论和实验研究人员采取了与尺寸相关的带隙立场。[15-17] 利用光致发光光谱，
