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成熟节点半导体使用公开报告
这些芯片的使用虽然普遍，但也很肤浅。按数量计算，中国芯片仅占所有芯片的 2.8%，按价值计算，仅占芯片总数的 1.3%。换句话说，尽管中国芯片出现在绝大多数受访公司的产品中，但目前它们在大多数单个产品中仅占总芯片数量的一小部分。除了最终用户，BIS 还调查了半导体供应商。BIS 从 22 家组织收集了他们使用中国代工厂进行外包生产的数据。接受调查的美国芯片供应商对中国代工厂的使用很少：这些工厂生产的芯片占受访公司芯片总销售额的不到 2%。尽管如此，几家芯片供应商表示，中国的产能扩张开始带来价格压力，中国对代工厂和下游行业的补贴，以及在中国使用中国原产内容的压力，可能会影响他们的竞争地位。
光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
半导体和先进材料
半导体市场 全球半导体市场有望大幅扩张，预计将从 2024 年的 6230 亿美元增长到 2035 年的 10740 亿美元，年复合增长率高达 5.08%。半导体在消费电子、汽车、电信和航空航天等每一项现代技术进步中无处不在，因此值得注意的是它们在我们日常生活中占据的重要性。由智能计算机和联网设备推动的工业 4.0 的兴起正在彻底改变制造业和生产，进一步推动对先进半导体技术的需求。截至 2024 年 7 月，全球半导体集团销售额达到 513 亿美元，比 2023 年 7 月同期增长 18.7%，这是销售额连续第四个月增长。美洲地区领先，销售额同比增长 40.1%，而中国和亚太地区也显示出显着增长。销售热潮是指对电子产品、数据中心芯片和集成电路的需求增长。尽管欧洲和日本的市场呈下降趋势，但随着人工智能、物联网和汽车技术的进步，全球市场正从疫情相关的衰退中良好反弹。半导体通常被称为现代电子产品的支柱。这些元素在从智能手机和计算机到先进的汽车系统等各种设备中发挥着重要作用。制造商面临的挑战是要求进一步开发技术，使用越来越小、更高效的芯片和更多的晶体管。人工智能和通信都继续依赖微处理器的进步，导致半导体增长速度更快。随着全球对更智能、更快速设备的需求不断增长，半导体行业将在塑造未来方面发挥更加关键的作用。该行业也是关键的就业驱动力，仅在美国就有超过 25 万名工人就业，支持超过一百万个工作岗位。半导体行业的上升轨迹凸显了其在推动未来技术发展方面的核心地位。
半导体：对新政府的考验
英国公司在半导体行业的其他领域也表现不俗，尤其是 Arm，其处理器设计被广泛应用于手机和许多其他电子设备。Arm 是英国半导体行业的明星，但它并不是制造商，而是通过许可费和专利费赚钱。生产是英国落后的地方，这一事实在全球半导体短缺期间变得非常明显。随后发生的事件，包括美国和欧盟推出的补贴计划，让英国被排除在外，无法参与其他国家正在进行的半导体生产扩张。
复合半导体的相关拉曼成像
（a）共焦拉曼成像与150 mm SIC晶圆的散装区域（红色）相比，具有不同掺杂浓度（蓝色）的晶体面区域。颜色和识别基于（b）中给出的拉曼光谱的分析。（b）两个确定成分的拉曼光谱。它们在掺杂敏感的A 1（LO）模式（约C.990 cm -1相对波数）。（c）SIC晶圆中应力敏感E 2（高）峰（776 cm -1）的颜色编码位置。图像揭示了压缩应力引起的晶圆中心的峰值变化，拉伸应力向其边缘移动。第二刻度给出了MPA中计算出的应力值。零应力值是由应力分布的平均值定义的。（d）基于E 2（高）峰的FWHM的SIC结晶度。晶圆显示了其晶体区域的晶体结构的微小变化。（e）SIC晶片的翘曲，高度变化高达40μm。
3。NIMP2030和半导体99
新工业总体规划（NIMP）2030的任务是提高经济复杂性。半导体是关键重点，尤其是芯片设计和制造。还有其他一些产品领域具有很高的经济复杂性，但与现有的专业知识相关，例如某些特殊的化学物质和气体，组件和设备。此外，对新的和新兴技术的投资，例如高级包装，复合半导体和基于石墨烯的半导体，可能会产生巨大的经济回报。1。马来西亚在短短六十年中就经历了实质性的工业转型，从基于资源的经济转变为多元化的工业化经济。这种转变在很大程度上反映了马来西亚的工业政策的演变，从英国殖民统治下的采摘政策到独立后的工业化和面向出口的工业化进口（图A3.1）。这些变化体现在出口成分的转移中 - 1980年之前的橡胶和锡中的浓度浓度，并逐渐将产品混合物扩展到制造商品（尤其是电气和电子产品），石油和天然气以及棕榈油（图A3.2）。能够快速结构性变革的主要激励措施包括自由贸易区，关税保护，税收假期，投资税收抵免以及更多自由的外国股权参与以吸引FDI。
普渡大学半导体系
2023 年，普渡大学宣布在半导体劳动力和创新领域建立四个志同道合的全球合作伙伴关系。普渡大学签署协议，成为印度政府的旗舰学术合作伙伴，使普渡大学成为印度半导体任务 (ISM) 的重要合作伙伴。正如 2023 年 5 月在日本举行的 G7 会议上宣布的那样，普渡大学主办了 UPWARDS 劳动力进步和半导体研发网络的首次会议，该网络由美光和东京电子牵头，11 所美国和日本大学与美国国家科学基金会建立了合作伙伴关系。6 月 19 日，普渡大学和台积电在安全微电子生态系统中心续签了合作伙伴关系。2023 年 12 月，普渡大学和比利时技术创新组织 imec 在普渡大学校园的创新与合作融合中心庆祝研发中心盛大开业。imec 在普渡大学的存在将有助于促进半导体技术的突破性进步。
GBIP-半导体-日本-申请人-简报- ...
项目可以与一系列单独的主要国家和市场进行双边或多边合作，例如通过 Eureka 进行，资金由 Innovate UK 提供。Innovate UK 还提供支持，帮助企业和其他组织参与 Horizon Europe 项目
通过杂化金属 - 有机化学蒸气沉积的2D半导体化学定制的生长
摘要：二维（2D）半导体过渡 - 金属二甲藻元化（TMDC）是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台，从而提出了强烈的需求，以了解其增长，兴奋剂和异质结构。尽管在固体源（SS-）和金属 - 有机化学蒸气沉积（MOCVD）中取得了显着进展，但仍需要进一步优化，以增强高度结晶的2D TMDC，并具有受控的掺杂。在这里，我们报告了一种混合MOCVD生长法，该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送，以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法，我们证明了WS 2的生长，具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态，包括蓝宝石，SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度，低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改，我们证明了V掺杂WS 2，Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法，可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字：金属 - 有机化学蒸气沉积，2D半导体生长，过渡金属二甲构代化，掺杂，合金，WS 2，MOS 2，MOS 2