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彭博全球半导体供应链精选指数编制方法
彭博全球半导体供应链精选指数旨在追踪半导体行业公司的表现。具体而言，该指数旨在将公司分为制造业板块以及涉及高增长终端市场的公司，并根据某些环境和社会因素排除某些公司。该指数旨在增加制造业板块的敞口，其中包括为半导体行业制造设备和零部件、供应原材料或提供代工服务的公司。该指数还保留了部分涉及高增长终端市场的公司，其中包括为汽车、工业和计算终端市场设计芯片的公司。本文件应与彭博全球股票指数方法结合阅读；这些文件共同构成了本指数的指数方法。
字母 - 半导体组 - 牛津物理
摘要：晶格动力学对于光伏材料性能，控制动态障碍，热载体冷却，电荷载体重组和运输至关重要。软金属 - 甲基钙钛矿表现出特别有趣的动力学，拉曼光谱表现出异常宽阔的低频反应，其起源仍在争论。在这里，我们利用超低频率拉曼和红外Terahertz时域光谱镜来对各种金属壁半导体的振动响应进行系统的检查：FAPBI 3，MAPBI X BR 3-x，3-x，cspbbr 3，cspbbr 3，pbi 2，pbi 2，pbi 2 agbbibr 6，agbibr 6，agbibr 6，agbib 6，cubbi 6，cubi 6，cui 6，and and and and and and and and and and and and and and and and and and and and and。我们排除外部缺陷，八面体倾斜，阳离子孤对和“液体样”玻色子峰，这是辩论中心拉曼峰的原因。相反，我们提出，中央拉曼反应是由拉曼活性，低能声子模式的显着扩展的相互作用而产生的，这些模式被Bose-Einstein统计数据从低频的人群成分强烈扩大。这些发现阐明了在柔软的金属壁式半导体中出现的光伏应用中的光相互作用的复杂性，用于光伏应用。l
FCP：电信半导体
1 执行摘要 a) 供应链 b) 技能 c) 扩大规模 d) 建议 2 介绍、范围和背景 a) 半导体作为系统 b) 范围 c) UKTINN 中的协同作用和依赖性 3 SWOT 分析 4 供应链 a) 加强和多样化供应链 b) 分类法 c) 英国当前的供应链 d) 英国供应链 – 2028 年的潜力 e) 复合半导体在电信中的应用 f) 复杂、分散的供应链 g) 长生命周期和长融资周期 h) 安全 i) 安全 EWG 对半导体 EWG 的回应 5 技能和研究 a) 大学研究专业知识 b) 创新中心和集群（弹射器等） c) 技能、人才发展和保留 d) 本科生 e) 技术人员和学徒制 f) 研究生和研究 g) 国际比较 6 扩大规模和增长 a)欧盟国家援助限制 b) 后期投资 7 结论和建议 a) 战略 b) 供应链 c) 技能 d) 扩大规模
英国半导体2024技术计划
英国半导体2024技术计划，我们很高兴欢迎我们的全体扬声器，他们将作为单个光子源提供量子点的扩展演示，这是分子和其他无序半导体中陷阱状态的影响，以及范德尔瓦尔瓦尔瓦尔·沃尔斯（Van der Waals）异质结构的超平台组装。我们也很荣幸能为IOP半导体物理小组论文奖主持奖项，并使用半导体纳米电视探测强电子相关性。除了每次研讨会的定期演讲外，还将进行对英国半导体策略的更新，并介绍新的创新和知识中心（IKCS）：基础光子光子创新中心，用于使用半导体和超宽的silicon Phoponics和Rewire IKC，用于下一代IKC。效率网络正在对英国半导体的研究和开发能力进行调查，作为本研究的一部分，他们将在整个会议上举行一次会议（位于诺福克210演讲剧院外），以供代表发表自己的看法并为该项目做出贡献。周二下午还将举行摘要和讨论会议。同样在星期二，加的夫大学的彼得·斯莫顿教授将举办一个论坛，以研究改善英国学术和行业互动的方法。周一下午还举行了一次会议，供任何有兴趣与EPSRC国家外交设施合作的人，概述了该设施的功能，包括最近委托设备以及访问该设施的方法。代表可以参加他们希望的任何会议，并鼓励这样做。您也欢迎参加会议上的其他活动：Phil Buckle Research Communication竞赛将在会议的第一天举行午餐时间，IOP半导体集团AGM将在第二天的午餐时间举行。
探索宽带隙半导体中的高自旋颜色中心SIC：全面的磁共振研究（EPR和Endor分析）
1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M. ）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.） 4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M. Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。 2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）1个化学与化学工程学院，哈尔滨理工学院，中国150001年西达齐街92号； larisa.latypova@hit.edu.cn 2 Zhengzhou研究所，Harbin理工学院，Longyuan East 7th Street和Longhu East East 7th Street和Longhu Central North Road，Zhengdong New District，Zhengzhou 450046 450046，中国3号kazan Federal University of Kazan University，KeremleveSkaya，450046，KRUSSAN，KEREAVSKAYA，45008，4500088.2000 keria keria keria，42000; georgemamin@gmail.com（G.M.）; margaritaasadov@gmail.com（M.S.）4巴黎的纳米科学研究所，校园皮埃尔·玛丽·库里（Pierre et Marie Curie），索邦纳大学（Sorbonne Universit），4，Place Jussieu，75005 Paris，Paris，法国； vonbarde@insp.jussieu.fr 5 Istituto di struttura della Materia，Consiglio Nazionale Delle Ricerche，ISM-CNR，通过Del Fosso del cavaliere 100，00133 Rome，00133 Rome，00133 ROME，意大利，意大利6分析，物理化学，和胶体化学，I.M.M.M.M.M.Sechenov First Moscow State医科大学，Trubetskaya 8，Build。2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M. ） ）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）2，119048俄罗斯莫斯科 *信件：Murzakhanov.fadis@yandex.ru（F.M.）; giulietta.rau@ism.cnr.it（j.v.r。）
对光伏应用的低班带有机半导体的高通量筛选：在搜索相关性
材料综合，形态控制和设备工程已将PCE推向了19％以上的单连接设备，而串联配置的PCE超过20％。[5 - 8]关键的发展是非富裕受体（NFAS）的持续进展。特定的，低于1.6 eV的典型光学带隙（E G）的低带隙材料可以增强太阳光利用率：AM 1.5G太阳能光谱的光线分配使约51％的太阳能光子光子在近交易所区域（NIR）区域中发现。[9]此外，在这些材料中发现了其他吸引人的物理特性，包括强偶极矩和低激子结合能。[10]这些在NIR地区吸收的低频带NFA吸引了许多新兴的PV技术的兴趣。它们已在半透明的OPV中广泛用于各种应用，包括Agrivoltaics，电力生成窗户，热绝缘，磨损电子设备和建筑物集成的PV。[9,11,12]此外，它们将吸收范围扩展到NIR光谱的能力已在串联OPV中，[13-16] Ternary opvs，[17-19]和nir-absorting有机光探测器。[20 - 23]
半导体：日常生活的战略推动者
然后，这些晶圆被反复涂上薄薄的功能材料层，图案化，蚀刻，以在其上形成晶体管结构。数百个高度发达的工艺步骤被执行并重复。为了完成加工并制造最终产品，需要一系列额外的材料，包括化学品、金属、塑料、特种气体等等。所有这些步骤都是必不可少的，并且需要最高的制造精度。因此，在这种所谓的“前端”制造中，需要进行数百次测试和测量，以确保芯片的功能性。