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马里兰州居民因非法运输序列号被抹去的枪支和向尼日利亚走私枪支被判处五年以上联邦监禁
马里兰州巴尔的摩——美国地区法官理查德·贝内特今天判处马里兰州华盛顿堡 42 岁的埃里克·弗鲁·恩吉 63 个月联邦监禁，随后两年监督释放，罪名是合谋、运输序列号被抹去的枪支以及从美国向尼日利亚走私枪支和弹药。贝内特法官还命令恩吉支付 25,000 美元的罚款。经过两周的审判，恩吉于 2022 年 5 月 6 日与同案被告威尔逊·努伊拉·蒂塔（47 岁，来自马里兰州奥因斯米尔斯）和威尔逊·切·方古（41 岁，来自马里兰州鲍伊）一起被判犯有这些罪名。
具有串行控制和 11 个模拟输入的 12 位模拟数字转换器数据表 (Rev. C)
在采样期间，其中一个模拟输入内部连接到转换器的电容器阵列以存储模拟输入信号。在四个地址位被输入到输入数据寄存器后，转换器立即开始对所选输入进行采样。采样从 I/O CLOCK 的第四个下降沿开始。转换器保持采样模式，直到 I/O CLOCK 的第八个、第十二个或第十六个下降沿，具体取决于数据长度选择。在最后一个 I/O CLOCK 下降沿的 EOC 延迟时间之后，EOC 输出变为低电平，表示采样周期结束并且转换周期已开始。EOC 变为低电平后，可以更改模拟输入而不会影响转换结果。由于从最后一个 I/O CLOCK 的下降沿到 EOC 低电平的延迟是固定的，因此可以以固定速率数字化随时间变化的模拟输入信号，而不会因时序不确定性而引入系统谐波失真或噪声。
四路串行持久性 SRAM 存储器
SRAM 闪存 EEPROM MRAM 非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟损失的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性和可扩展的非易失性存储器技术。 ASxxxx208 具有串行外设接口 (SPI)。SPI 是一种同步接口，它使用单独的数据和时钟线路来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟告诉接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或两个沿；有关更多详细信息，请参阅本数据表中的指令序列。当接收器检测到正确的边沿时，它可以锁存数据。 ASxxxx208 用双 CS# 连接两个四通道 SPI 设备，提供 8 位 I/O 数据路径。每个设备都可以使用自己的寄存器组进行配置和独立操作，由单独的 CS# 进行管理。ASxxxx208 采用 96 球 FBGA 封装。该封装具有单独的球，用于 CS1#、CLK1# 和 INT1（双四通道 SPI 设备 1）以及 CS2#、CLK2# 和 INT2（双四通道 SPI 设备 2）。该封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。
维护策略选择由故障率功能支持：在串行制造线中应用
研究问题是如何在制造工厂中选择关键设备的维护程序。本文的目的是为锻造生产线的关键设备选择维护专业，包括五台机器。研究方法是定量建模和仿真。主要的研究技术是故障（TBF）与修复时间（TTR）之间时间的概率建模以及整个系统的仿真，以计算必要的可靠性参数。使用现场数据和基于故障的决策模型可以减少对主要租赁策略决策的继承风险和不确定性（Ge等，2017; Panchal等，2017; Seiti et al。，2017; Seiti et al。，Seiti等，2018a; Seiti et eiti; Seiti等人，2018b）。该研究采用了故障率函数，可以将其视为设备在整个生命周期中的可靠性的指示（Jónás等，2018）。主要新颖性是一种合适的结构，可帮助选择仅基于经验数据的关键设备的维护策略。该方法依赖于故障率函数的行为。该研究计算了个人和总体平均时间失败时间（MTBF），平均修复时间（MTTR），可用性以及每个生产订单最可能的失败数量，这些失败次数遵循泊松过程。
使用串行连接 LCD 的 RX 系列 QE for Display GUI 显示应用程序开发指南
QE for Display [RX] 2.0.0 及更高版本能够支持基于 SEGGER Microcontroller 高性能图形库的 emWin GUI。QE for Display [RX] 2.1.0 及更高版本还能够支持使用 Aeropoint GUI for RX 创建的 GUI，它是 CRI Middleware 的 GUI 中间件。这样就可以选择最适合您需求的 GUI 绘制工具。此外，QE for Display [RX,RA] 3.1.0 及更高版本支持串行连接的 LCD，即使在未配备图形 LCD 控制器 (GLCDC) 的 RX MCU 上也可以显示 LCD。
具有串行控制的 8 位模拟数字转换器数据表 (Rev. B)
TLC0831 和 TLC0832 使用采样数据比较器结构，通过逐次逼近程序转换差分模拟输入。要转换的输入电压施加到输入端并与地（单端）或相邻输入（差分）进行比较。TLC0832 输入端可以分配正 (+) 或负 (-) 极性。TLC0831 仅包含一个具有固定极性分配的差分输入通道；因此它不需要寻址。信号可以在 IN+ 和 IN- 之间以差分方式施加到 TLC0831，也可以施加到 IN+，IN- 接地作为单端输入。当施加到指定正端的信号输入小于负端上的信号时，转换器输出全为零。
航天级高性能串行持久性 SRAM 存储器
SRAM 闪存 EEPROM MRAM 非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟损失的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性和可扩展的非易失性存储器技术。ASx016A04 具有串行外设接口 (SPI)。SPI 是一种同步接口，它使用单独的数据和时钟线路来帮助保持主机和从机的完美同步。时钟告诉接收器何时对数据线上的位进行采样。这可以是时钟信号的上升沿（从低到高）或下降沿（从高到低）或两个沿；有关更多详细信息，请参阅本数据表中的指令序列。当接收器检测到正确的边沿时，它可以锁存数据。 ASx016A04 采用小尺寸 8 焊盘 WSON 和 8 引脚 SOIC 封装。这些封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。ASx016A04 已在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内进行了测试，并在 125°C 下进行了 48 小时老化测试。
在数字供应链的背景下序列化
当今市场上的每种药物都有与其链接的条形码或标识符，该条形码或标识符允许在供应链中的任何点跟踪和跟踪产品。3这些标识符与企业信息系统相关联，即药物专业的ERP和记录系统。还有植物场地，分销商，仓库，医院，药房和需要整合的患者的信息。由于这些实体中的大多数按照其操作程序运行，因此可见性通常仅限于自己的系统，从而导致缺乏端到端的透明度。实施跟踪和跟踪为供应链合作伙伴提供了实时可见性，并改善了库存管理流程，例如
具有串行控制和 11 个模拟输入的 12 位模数转换器数据表 (Rev. F)
电源电压范围，V CC （见注释 1） –0.5 V 至 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围，V O –0.3 V 至 V CC + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 正参考电压，V ref+ V CC + 0.1 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .负参考电压，V ref– –0.1 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流，I I (任何输入) ± 20 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值总输入电流，I I (所有输入) ± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 自然通风工作温度范围，T A ：TLC2543C 0 ° C 至 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . TLC2543I –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围，T stg –65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
EN25QX64A (2CPU) 64 兆位 3V 串行闪存...
该设备是一个 64 兆位（8,192K 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。该设备通过标准串行外设接口 (SPI) 引脚支持单比特和四比特串行输入和输出命令：串行时钟、芯片选择、串行 DQ 0 (DI) 和 DQ 1 (DO)、DQ 2 (WP#) 和 DQ 3 (HOLD#/RESET#)。支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，允许四路输出的等效时钟速率为 532MHz（133MHz x 4）。使用页面编程指令，可以一次对内存进行 1 到 256 个字节的编程。该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意编程和擦除操作的影响。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时确保内存阵列的其余块得到安全保护。这在以子程序或模块为基础修补或更新程序代码的应用中非常有用，或者在需要修改数据存储段而又不冒程序代码段被错误修改的风险的应用中非常有用。该设备设计为允许一次执行单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以配置为以软件保护模式保护部分内存。该设备可以对每个扇区或块维持至少 100K 次编程/擦除周期。