摘要:非甾体抗炎药 (NSAID) 因其在退烧、止痛和消炎方面的功效而被广泛用于所有年龄组。然而,它们也被认为是继β-内酰胺类抗生素之后第二大最常见的药物诱发超敏反应的原因。NSAID 的不良反应范围从预期的药理学副作用(如胃炎)到严重过敏(包括过敏反应)。区分真正的超敏反应与其他副作用非常重要,以确保适当的管理和患者安全。四名年龄在 35-60 岁之间的患者接受 NSAID 治疗以控制疼痛,随后对酮咯酸、酮洛芬和双氯芬酸钠等 NSAID 产生了超敏反应,其类型为 NSAID 诱发的荨麻疹/血管性水肿 (NIUA)。本病例系列为了解印度尼西亚一家医院记录病例中 NSAID 超敏反应的临床表现和潜在机制提供了宝贵的见解。它强调了未来研究的重要领域,包括需要进行更大规模的对照研究,以更好地了解发病率、风险因素和对更广泛人群的普遍性。关键词:超敏反应、非甾体抗炎药、疼痛、镇痛药、过敏反应
■ 触点数量:半模块 - 72;全模块 - 144 ■ 间距:1.8 毫米 ■ 额定电流:每个触点 1.5625 A 每个电源晶片 12.5 A(使用 30°C 温升和 1 盎司铜降额) ■ 提取力:通常每个触点 1.2 盎司 ■ 额定温度:-55°C 至 125°C ■ 绝缘体材料:LCP(液晶聚合物) ■ 触点镀层:50 µin。镀金镍层 ■ 可燃性等级:UL94-VO ■ 介电耐压:500 VAC ■ 低电平电路电阻:最大 8 m Ω ■ 绝缘电阻:最大 500 M Ω ■ 随机振动:15 Grms,每轴 10 Hz 至 2000 Hz,持续 90 分钟,符合 MIL-STD-1344,方法 2005,测试条件 III ■ 机械冲击:100 G,6 ms 锯齿响应,符合 MIL-STD-1344,方法 2004,测试条件 G
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摘要 . 金属薄膜的物理气相沉积 (PVD) 广泛应用于半导体技术器件的制造 - 近年来其应用范围不断扩大。钨 (W) 是一种低电阻率的难熔金属,通常通过 PVD 方法沉积,用作半导体器件的栅极触点,由于其功函数低且热稳定性高,W 可用于制造微电子器件中的场发射器 [1–3]。为了监测磁控溅射法合成薄膜的质量,有必要开发适合分析这些薄膜的方法。红外光谱法是一种灵敏的化学键分析方法,但 W 薄膜含有弱极性和非极性 WW 键,无法通过红外光谱法直接检测到,因此选择 W 的氧化作为热氧化方法,用于检测厚度为 150 nm 的薄膜的氧化产物,例如 WO 键。氧化后,观察到 W 薄膜在空气中 600 ℃ 时已发生氧化。改性涂层的傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 光谱表明,在 700-900 cm -1 区域形成了额外的新信号,这归因于 WO、OWO、W=O 键 - 在 Si-SiO 2 基材上形成了 W-氧键。为了确保涂层均匀性和生产质量,建议使用另外合成的对照样品进行 FTIR 分析。
摘要。航空油由一对没有外部运动部件的镜子对。在箔之间创建一个低压区域。箔是空心的,低压的侧皮包含孔(空气),使空气从箔的内部流向外部流动,这是由镜像对之间的吸力驱动的。该流量被带到内部涡轮机和发电机,产生电力。在航空明群上进行了一系列试验尺度场(1 M和弦)。其中包括在美国德克萨斯州拉伯克的Sandia National Laboratories缩放风电场技术站点的低风速测试(<5 m/s)和高风速测试(> 9 m/s)。此处研究了在改变空气喷射区域时的高风速条件下的性能。在最大射流区域达到了25%或BETZ极限的42%的效率。