摘要:这项工作旨在研究立方SR 3 Mn(M = P和AS)抗渗透岩的电子,弹性,光学和热电特性。在这项工作中首次研究了立方SR 3 Pn的特性,而SR 3 ASN的特性与文献中的其他理论结果进行了比较。在整个研究中,都使用了具有GGA-PBE功能的量子意式浓缩(QE)包中实现的密度功能理论(DFT)。sr 3 pn和sr 3 ASN被发现在化学和机械上稳定,优化的晶格参数分别为5.07Å和5.11Å。的结果还表明,两种化合物是P型半导体,直接带隙为0.56 eV,对于各个化合物为0.45 eV。还预计材料具有出色的光学特性,包括在可见的和紫外线区域中以10 5 cm -1的高度吸收,因此是有希望的光电材料。此外,这两种材料的计算出的热电性能强烈表明两种材料是热电应用的潜力。
神经活动声音纹理的结构和概要表征。Eneuro, 10(10)。5. Setti, F., Handjaras, G., Bottari, D., Leo, A., Diano, M., Bruno, V., ... & Ricciardi, E. (2023)。一种模态
Chiara Grallloni,1 Raffaele Garraffo,1 Adriano setti,1 Francesca Rossi,1,5 Giovanna Peruzzi,2 Mario fifty,3 Maria Carmela di Rosa,4 Marco Alessandro Pierotti,3 Manuel Beltran,3 Manuel Beltran,1, *和Irene Bozzoni Bozzoni and *达尔文,罗马萨皮恩扎大学,00185意大利罗马2号生活中心纳米和神经科学中心,意大利技术基金会(IIT),00161,罗马,意大利3 COGENTECH LTD LTD LTD LTD FAENCINE地址:BABRAHAM IMMUNOGITY IMMNOGOLION,BABRAHAM INSTICE,BABRAHAM INSTICE,BABRAHAM INSTICE CORPENCER,CORPENCER CORPERS CORPERCER CORPENCER,COMBRIDES CMIDD CBBIDGES,CAMBIDS CBBIDGES CAMBIDS CBB 222222222222222222222222. manuel.beltrannebot@uniroma1.it(m.b。),irene.bozzoni@uniroma1.it(i.b。)https://doi.org/10.1016/j.molcel.2024.09.016