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乌干达婴儿脑积水的内窥镜治疗与分流
在撒哈拉以南非洲的婴儿中，脑力头的健康负担很大，在非洲，它每年影响约18万个婴儿。 1个脑积水是在新生儿心室炎后最常见的感染后感染性的。 在资源有限的环境中， 2，即使已经证明治疗的福利成本比率是有利的，但仍存在经济，文化和地理障碍。 3两种可用的治疗方法是脑室术分流4,5和内窥镜第三脑室造口术，带有Cho Roid plexus Cauterization（ETV – CPC）。 6-11通过转移脑脊液（CSF）的流动来减轻脑积水，从而减轻脑脊液的流动，而脉络丛的烧灼可减少CSF的产生，从而进一步降低水力头。 12这两个程序的相对好处是不确定性的。 脑室旋转在技术上很简单，手术后几个月的失败率低于ETV – CPC，但从长远来看，它更容易容易发生失败，并且具有分流依赖性脑力头的患者可能需要紧急的流动性手术而导致阻塞或瓦特（Shunt）造成阻塞或瓦特（Val）。 13分流故障在世界上无法获得直接的神经护理的世界中可能是致命的。 相反，ETV – CPC比分流要困难得多，但实际上所有失败都在6个月内发生，10,11,14，此后失败的风险很低。 13当干预的紧迫性低于以后的生活时，这种特征允许在婴儿期进行校正。在撒哈拉以南非洲的婴儿中，脑力头的健康负担很大，在非洲，它每年影响约18万个婴儿。1个脑积水是在新生儿心室炎后最常见的感染后感染性的。2，即使已经证明治疗的福利成本比率是有利的，但仍存在经济，文化和地理障碍。3两种可用的治疗方法是脑室术分流4,5和内窥镜第三脑室造口术，带有Cho Roid plexus Cauterization（ETV – CPC）。6-11通过转移脑脊液（CSF）的流动来减轻脑积水，从而减轻脑脊液的流动，而脉络丛的烧灼可减少CSF的产生，从而进一步降低水力头。12这两个程序的相对好处是不确定性的。脑室旋转在技术上很简单，手术后几个月的失败率低于ETV – CPC，但从长远来看，它更容易容易发生失败，并且具有分流依赖性脑力头的患者可能需要紧急的流动性手术而导致阻塞或瓦特（Shunt）造成阻塞或瓦特（Val）。13分流故障在世界上无法获得直接的神经护理的世界中可能是致命的。相反，ETV – CPC比分流要困难得多，但实际上所有失败都在6个月内发生，10,11,14，此后失败的风险很低。13当干预的紧迫性低于以后的生活时，这种特征允许在婴儿期进行校正。心室分流通常也比ETV – CPC更大的心室大小减少，从而导致比内镜程序更好地导致认知结果更好。程序之间的这种差异已显示不一致。15-23我们进行了一项随机试验，以比较接受ETV – CPC的婴儿与经历过室后脑脑化脑积水的婴儿之间的12个月的认知结果。
回顾低地球轨道太空任务的电源总线管理技术
摘要：在航天器中，负责管理从太阳能电池阵列到电源总线的电力传输的太阳能电池阵列功率调节器的典型配置与用于地面应用的相应设备有很大不同。本文对最流行的方法进行了全面分析，即顺序开关分流调节和具有最大功率点跟踪的并联输入脉冲宽度调制转换器。它们的性能与典型的低地球轨道任务进行了比较，突出了各自的优缺点。本文还介绍了一种新颖的太阳能电池阵列管理技术，即顺序最大功率跟踪，并证明了它能够促进能量收集，尤其是在太阳能电池阵列不匹配的情况下。它还可以使用相当简单的控制硬件实现最高水平的可靠性。它的运行通过 Matlab-Simulink 模型和实验面包板进行了验证。
基于电压可变电感器的线性电压控制正交振荡器实现
Ź i = Zi/ α 1 β 1 α 2 δ 2 (2) 其中 α 1,2 = (1 ─ε i,1,2 )/ (sτ i,1,2 +1) ，β 1 = (1 ─ε v1 )/ (sτ v1 +1) 和 δ 2 = (1 ─ε o1 )/ (sτ o1 +1)。直流增益误差完全可以忽略不计 ( ε << 1)[ 13] ；滚降极点出现在非常高的频率范围 (>> 100MHz) 并且它们非常接近 [14 ]。因此，我们可以写出 τ i,v,z ≈τ ≡ 1/ω p ，从而得出 α 1 β 1 α 2 δ 2 = 1/ { (sτ) 4 + (4sτ ) 3 + (6sτ) 2 + 4s τ +1 （3）忽略高阶项，对于频域写出 sτ = jωτ ≡ jω/ω p ≈ ju ；我们得到一个修正的 L 值，其中 u << 1，因为 Ĺ /L ≈ {1/ √(1+16 u 2 )} ∟─arctan (4 u ); u << 1 （4）因此，器件滚降极点的影响可以忽略不计。如图 1(a) 所示，将所提出的 VVI 应用于具有分流电容器 (C s ) 和串联电阻器 (r) 的选择性 BP 滤波器中，其传递函数为 V o /V i (s) ≡ F(s) 为 F(s) = (sL/r)/ { s 2 LC s (1+ m ) +(sL/r) + 1} (5)
DRV8705-Q1汽车H桥智能门驱动器具有低侧电流感官放大器数据表（Rev. b）
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格： - 温度1级：–40°C至 +125°C，T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V（40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚（DRVOFF） - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉（nforts Intrump PIN）
横向效应对大规模串联太阳能电池 EQE 测量的影响 S. Kasimir Reichmuth 1,2、A. Fell 1,3、G. Siefer 1、M. Schachtne
横向效应对大型串联太阳能电池 EQE 测量的影响 S. Kasimir Reichmuth 1,2 , A. Fell 1,3 , G. Siefer 1 , M. Schachtner 1 , D. Chojniak 1 , O. Fischer 1,2 , M. Mühleis 1 , M. Rauer 1 , J. Hohl-Ebinger 1 , MC Schubert 1 1 弗劳恩霍夫太阳能系统研究所 ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 电子邮件: kasimir.reichmuth@ise.fraunhofer.de, 2 Albert-Ludwigs-University, INATECH, Emmy-Noether-Strasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 3 AF模拟，Landstr。 33a，79232 年 3 月，德国 摘要：大规模钙钛矿/硅 (PSC/Si) 串联太阳能电池中的横向不均匀电池参数可能会显著影响器件性能。可以使用电致发光 (EL)、光致发光 (PL) 和热成像方法来分析吸收器的横向质量。除了对电池性能的整体影响外，这种横向效应通常不会在串联器件的 EQE 和 IV 特性中考虑，但可能会导致错误的测量结果。因此，我们认为有必要采用大面积 3D PSC/Si 串联模拟来了解横向不均匀性的影响，以及与非理想测量条件（例如太阳能电池的小面积或不均匀照明）的相互作用。我们使用 3D 模拟软件 Quokka3 的串联插件进行全电池 3D 串联模拟，该软件使用“等效电路”模型处理钙钛矿顶部电池表层，也可以处理 Si 底部电池，而不是求解漂移扩散模型。我们通过模拟和实验来量化非均匀电池特性（例如低局部分流电阻或电池吸收器的不均匀性）在 EQE 测量期间与照明和偏置条件相互作用的影响。通过模拟深入了解横向效应特别有趣，因为在通常亚稳态的 PSC/Si 串联电池中对此类详细效应进行实验研究极具挑战性。关键词：多结太阳能电池、校准、模拟、钙钛矿、III-V 族半导体 1 引言 最近，钙钛矿/硅串联电池 (PSC/Si) 在实验室大小样品中显示出 31.25% [1] 的效率，并且 6 英寸晶圆级 PSC/Si 已认证的效率为 26.8 ±1.2 % [2]。同时，首次商业化已宣布将于今年进行，旨在扩大尺寸和提高产量 [3]。在工业实施中，为实验室大小的电池建立的工艺适用于大规模产出。与小型实验室电池相比，横向效应对于全晶圆大小的电池可能更为重要。这可以解释在扩大规模过程中钙钛矿吸收剂的效率下降的原因 [4]。空间不均匀性对电池性能和这些电池的特性都有影响，例如，如果这些方法仅依赖于局部照明而不分析器件的整个区域，则会产生很大的误差。这对于 EQE 和 IV 特性至关重要，因为这可能会使结果与真实特性产生很大偏差，从而导致误解甚至误导电池开发。为了展示其重要性，我们通过实验和模拟，以局部和全照明 EQE 测量为例，研究了横向效应的影响。除了可能由不均匀的薄膜厚度引起的光学横向不均匀性之外，我们还研究了进一步/更复杂的电气 EQE 测量伪影的影响。这种伪影在两端多结器件中很常见，是由低分流电阻（R 分流）或反向击穿特性引起的 [5–7]，并且取决于偏置电压和偏置照明的光谱辐照度。借助最近发布的 3D 太阳能电池模拟工具 Quokka3 的串联功能，我们研究了局部分流等横向缺陷如何影响这种 EQE 伪影。
有机光电二极管及其光电应用
400 nm 至 800 nm。（实线）包括 CsI(Tl) 闪烁体的发射光谱以供比较。（虚线）（b）不同光活性层厚度的 OPD 在暗条件和 950 µW/cm 2 光照辐照度（波长 546 nm）下实验和拟合的电流密度 (J) 与电压 (V) 特性。当实线符号表示光响应时，空心符号表示测得的暗电流。实线是根据非理想二极管方程拟合的暗电流密度。虚线表示当分流电阻 R sh 为无穷大时的理想 JV 曲线。（c）对于具有不同活性层厚度的 OPD，暗电流密度 (J dark ) 测量图与内部电场的关系。（d）反向偏压为 1.5V 时具有 320 nm 厚度活性层的 OPD 的外部量子效率 (EQE)...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
RF 开关的 ESD 行为以及系统高效 ESD 设计的重要性
在某些应用中，由于严格的谐波失真要求和可能高达 30 V 的 RF 电压，RF 前端无法受到瞬态电压抑制器 (TVS) 的保护。这需要对 RF 路径组件进行精确的 ESD 建模，以评估系统的稳健性。天线后 RF 路径中的第一个有源组件通常是 RF 开关，例如匹配调谐器、孔径调谐器或 RX/TX 开关。孔径调谐器使用开关在与 RF 路径并联或串联的几个电感和电容值之间进行选择，以改善收发器在不同情况下的匹配性能，例如，补偿手和头靠近天线的影响 [2, 3, 4, 5] 。最终，该开关将 RF 信号传递到下一级，可能是低噪声放大器、Saw 滤波器、双工器或三工器。一般认为，天线后的第一个组件是 RF 链中最危险的 IC。这促使这些开关的制造商考虑使用 SOI（绝缘体上硅）CMOS 为这些开关提供非常强大的内部保护
钒氧化还原液流电池工业规模储能的最新成果
摘要 钒液流电池因其独特的优势而日益被视为储存大量能量的最有趣的选择之一。它们的发展和未来的传播在很大程度上取决于对新材料的研究以及技术的发展，也取决于是否有合适的模型，以便在运行条件下对其进行真实的模拟。尽管关于小型设备或单个电池的这些主题的文献很多，但关于围绕多电池堆构建的大型钒液流电池系统的技术、建模和仿真的研究报告却很少。本文介绍了一个工业规模的 9 kW 系统，以及它在现实条件下的建模、验证和运行模拟。特别是，提出了一个完整的动态模型，能够模拟待机（即没有电源和反应物流动）和运行条件下的热行为。通过将计算数据与实验测量值进行比较来验证所提出的模型。关键词 液流电池、多物理模型、热模型、内部损耗、分流电流
检测右向左分流的闪烁显像征象
众所周知，右向左分流可通过静脉注射放射性标记的大聚集白蛋白 (MAA) 颗粒 (1,23) 来检测和量化。由于直径大于 10 微米的颗粒被困在肺和体循环的帽层中，因此，肺外计数与全身计数的比率被认为反映了进入右心房的血液部分，该部分血液从右心分流到体循环。当施用的 MAA 溶液含有过量的未结合放射性核素或小于 10 微米大小的标记 MAA 碎片时，即使没有真正的分流，肺外计数与全身计数的比率也会显得异常高。当在甲状腺、唾液腺和胃粘膜中发现显著的 @9@c 活性时，可以推断注射液中存在大量未结合核素（游离高锝酸盐）。但从图像检查中无法可靠地辨别出是否存在少量游离高锝酸盐或@'9'c与小于10 @min大小的白蛋白颗粒结合，
给脑积水和分流术患儿的护士和教师的建议
2. 分流器非常耐用。它们很少因碰撞或跌倒而发生故障。应该允许患有分流器的儿童参加体育课和运动。他们可以参加课间休息。 3. 患有分流器的儿童应避免玩磁铁。在科学课上，他们不得使用磁铁积木玩具或接触磁铁。将可编程阀门置于强磁铁下会改变阀门的设置。 4. 患有分流器的儿童应避免便秘。便秘导致分流器远端部分受压会阻碍正常引流。 5. 请注意，有些患有脑积水的儿童在手眼协调和精细运动技能方面存在困难。书写可能很困难。 6. 有些孩子可能会出现一定程度的学习障碍。鼓励进行 IEP 评估。并非所有患有脑积水的儿童都是如此。 • 有学习障碍的学生可能会否认他们的特殊需要，也不愿意寻求帮助。请耐心等待并尊重他们的需求。 • 有些孩子的行为问题可能与学习困难有直接关系。这经常被误解，孩子被贴上“不良行为”问题的标签。 • 有些孩子可能缺乏组织能力。他们可能需要额外的结构。 • 早期识别是识别学习问题的关键。建议家庭进行全面评估对于为孩子获得适当的资源非常重要。 7. 教师和护士必须经常与家长沟通，了解学生的学习进度和他们发现的任何新变化。 8. 患有脑积水和分流术的儿童应每年进行一次眼科检查。 9. 可编程的分流术必须在进行任何 MRI 后由神经外科医生重新编程。MRI 机器中的磁铁能够改变阀门设置。 10. 微波炉、无线电话、高压线、电动机或变压器不会影响阀门。 11. 机场安检机不会改变阀门设置。 12. 不建议乘坐某些游乐设施和过山车。 13. 鼓励年龄较大的学生和家长随身携带标有品牌、型号、序列号和当前阀门设置的信息卡。这些信息卡应由神经外科医生提供。14. 生产不同植入式分流器的公司保证其数据，I pad 和计算机设备中包含的磁铁不会影响在课堂上使用。他们建议学生不要拿着该设备并将其放在分流阀上。在课堂内使用这些设备是安全的。