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讨论的摘要 - SI 2030策略概述
CALPERS可持续投资董事会董事会总监Peter Cashion将概述《可持续投资2030年战略》，并将为董事会提供有关气候解决方案投资的最新信息。
SI 2030策略概述（董事会教育）
知识中心和资源，使我们能够产生Alpha，建立更具弹性的投资组合，并将我们的投资组合定位以导航向低碳经济的过渡 - 所有这些都是为了追求我们对会员的信托义务和服务。
群体智能 (SI) 是一种基于分散、自组织系统的集体学习和决策形式。利用 SI 医疗保健
群体智能 (SI) 是一种基于分散、自组织系统的集体学习和决策形式。利用 SI 医疗保健可以解决互联医疗保健组织内部攻击的传播问题，并确保基于安全性和弹性的医疗保健生态系统的完整性。在医疗保健领域，群体智能正被用于改善诊断和治疗，从而改善患者的治疗效果和提高医疗保健系统的效率。SI 算法可以集成到医疗保健环境中，用于诊断和治疗癌症、心脏病、肿瘤和心脏病等疾病，它已应用于疾病诊断和治疗领域。它已被用于早期预测癌症并解决复杂问题。此外，它可以快速了解癌细胞如何对抗癌药物产生耐药性，这有助于改善药物开发并调整药物使用。通常，SI 算法用于 PSO、ICA、FA 和 IWO 中，用于诊断癌症以解决问题的优化。这反过来会提高 SI 在数据分析中的整体有效性。然而，将群体智能应用于癌症相关问题存在一些挑战。其中一些挑战包括癌症的复杂性、癌症分析、验证和临床转化、抵抗力和适应性等。必须通过改进算法和模型来克服这些挑战，使它们更高效、可扩展，更适合处理大规模和高维癌症数据集。或者，SI 在癌症检测中的主要应用是图像分析和模式识别，这有助于识别与癌组织相关的模式和特征，有助于早期检测和准确诊断。在癌症研究的 SI 领域，预计未来将取得多项进展。在癌症研究与多组学数据的整合、用于靶向药物输送的群体机器人等领域，SI 的一些潜在未来进展正在开发中。在这期题为“用于早期癌症检测的医疗数据分析中的群体智能”的特刊中，旨在探索使用群体智能技术的各个方面，包括适应性、维度、检测和预防、决策、未来发展和医疗数据的其他领域。感兴趣的主题包括但不限于以下内容：
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在焊接过程中断裂，或者由于焊接过程中的损坏而导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了对模块中破裂的电池进行成像，提供快速且无损的反馈。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃侧加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。将电线焊接到电池上是较薄电池更具挑战性的步骤之一。电池可能在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏导致模块随后破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于工艺和材料优化的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
si＆i5tia te 47（生物多样性的起源和进化）
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在灵活的标签中整合超薄的si死亡
在整合超薄硅在柔性膜中死亡的发展导致了新的范式。的确，由于设备的薄和灵活性，可以想象可以在任何对象围绕任何对象添加函数而不会改变其方面[1-5]。当前，在市场上主要的柔性电子产品中，组件之间的电子轨道仅具有灵活性。这是由于硅成分已经包装或太厚的事实。为了获得充分的设备，必须将硅模具变细至小于100µm。可以处理三种格式以构建灵活的电子系统：色带，面板或晶圆。前两种格式针对大型设备进行了良好的适应，较低的成本，并且允许高吞吐量。这些格式的图案分辨率是公平的。与硅晶片合作有助于实现高分辨率的集成分辨率。硅晶片非常适合灵活的风扇外包包装，这有助于建立一个混合面板基板的异质，灵活的系统，包括印刷设备和互连网络与硅电子模具，集成在小型柔性标签中。
SiC 和 Si 功率 MOSFET 中 BTI 的异同
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 不仅在 4H 碳化硅 (4H-SiC) 功率 MOSFET 中是一个严重的可靠性问题，在 Si 技术中也是如此。尽管之前的研究表明，与 Si 相比，某些 SiC 器件的 BTI 漂移较大，但我们表明，通过改进器件工艺，现代 SiC 中的 BTI 可能变得不那么重要。正如将要展示的，NBTI 甚至可以降低到与 Si 功率 MOSFET 类似的漂移水平。此外，我们证明 SiC 和 Si 器件中的 BTI 具有许多共同的特征，例如可比的时间和电压变化。因此，SiC MOSFET 中的 BTI 可以用相同的经验和简单物理模型来描述，因此与基于 Si 的器件一样可预测。此外，这表明 SiC 和 Si 功率 MOSFET 中的 BTI 是由相同的物理退化原因引起的。