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焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
集成在（111）Si
摘要：在我们最近发表的论文中（Y.-Y.Wang等人，高性能lanio 3-缓冲，（001）面向的PZT PIDZOELECTRICRICRICRICFMS集成在（111）Si，Appl。物理。Lett。 121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。 这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。 然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。 在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。 通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。 后者被证明是压电性能恶化的主导因素。 因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。 此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。Lett。121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。后者被证明是压电性能恶化的主导因素。因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。
Selex SI 中的光束形成网络 - ESCIES
6- 18GHz 频率覆盖 4GHz 瞬时带宽 16 个天线元件（线性阵列） 角度覆盖/TTD 阵列：± 45o 方位角，± 45o 仰角 相邻波束交叉：低于波束峰值 3 - 8 dB 下一个相邻波束交叉 = 低于波束峰值 20 dB 且大于最高旁瓣
蓬托卡斯皮和高加索地区 - geo.uni-bremen.de
Abbasova R.F., Abbasova D.R., Nadirov S.N., Humbatova S.E., Akhmedova N.F., Jafarova E.E. 库拉河下游水体、底质及不同生态类群鱼类器官中重金属分布与积累的比较分析.........................................................................................................................................
![[public] SI和经销商机密计算启用软件包](/simg/2\2863c45f33edb23cc778320add219dc13e567748.webp)
[public] SI和经销商机密计算启用软件包
“ Ant Group在Alibaba Cloud ECS实例上构建了一个完整的机密PAA（作为服务）产品矩阵：机密计算引擎Oxclum和机密计算服务Kubetee。基于此机密的PAA，ANT Group还为财务场景提供机密的SaaS解决方案，例如Ant隐私增强数据分析平台，Ant Privacyenhancing AI平台等。” - Shuang Liu，Ant Group，机密计算团队负责人
HF/H2O中硅片减薄的刻蚀特性...
R. Ariff a,b , CK Sheng a,* a 马来西亚登嘉楼大学科学与海洋环境学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。b 马来西亚登嘉楼大学海洋工程技术与信息学学院，21030 Kuala Nerus，登嘉楼，马来西亚。使用酸性或氟化物溶液对硅表面进行湿法蚀刻具有技术和基础意义，这对于生产用于微电子封装所需厚度的可靠硅芯片至关重要。在这项工作中，我们研究了湿法蚀刻对浸入 48% HF/水溶液中的硅晶片的厚度耗散、重量损失、蚀刻速率、表面形貌和晶体性质的影响。蚀刻速率是通过蚀刻重量损失和深度随时间的变化确定的。结果表明，随着蚀刻时间的增加，硅的厚度减少和重量损失增加。在高分辨率光学显微镜下可以在蚀刻后的硅晶片表面观察到粗糙的表面。从 XRD 分析可以看出，蚀刻后硅的结晶峰强度变弱，这意味着硅衬底上形成的非晶结构表面的光散射减少。毕竟，这一发现可以作为生产可靠的硅薄晶片的参考，这对于更薄的微电子器件制造和纳米封装至关重要，从而减少环境污染和能源消耗，实现未来的可持续发展。（2021 年 3 月 27 日收到；2021 年 7 月 7 日接受）关键词：湿法蚀刻、Si、蚀刻速率、HF、H 2 O
用 Cu 修饰的 Si 微线阵列光电阴极允许 CO
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HF蚀刻时间和浓度对硅晶片的影响
摘要：为实现更薄的微电子封装，生产所需厚度的新型半导体硅片不仅需要高成本和能源，而且还会造成环境污染问题。然而，这一问题可以通过使用一步化学蚀刻来生产所需厚度的硅芯片以进行适当的封装，从而简单地解决。在本研究中，使用各向同性的湿化学蚀刻法，通过改变HF蚀刻剂浓度来研究蚀刻时间对HF/HNO 3 /CH 3 COOH混合溶液中的Si晶片的影响。研究的蚀刻时间为5分钟至30分钟，HF蚀刻剂浓度在（20-24）wt％范围内。从结果可以看出，随着蚀刻时间的延长，重量损失和蚀刻深度的变化单调增加。然后根据重量损失和蚀刻深度随时间的变化来确定蚀刻速率。结果表明，Si晶片的蚀刻速率随时间降低，在较高的HF浓度下增大。在光学显微镜下观察到蚀刻后Si晶片的表面变得光滑抛光。 X 射线衍射图表明，蚀刻硅的晶体峰强度高于纯硅，随着 HF 浓度的增加，与 Si 相关的峰略微向 2θ 方向移动。目前的发现表明，化学蚀刻硅晶片的所需厚度可以潜在地装入微电子设备制造的更薄的封装中，从而减少能源和成本浪费，实现未来的可持续发展。
焊接对薄硅太阳能电池造成的损坏
焊接对薄型硅太阳能电池造成的损伤以及模块中破裂电池的检测 Andrew M. Gabor、Mike Ralli、Shaun Montminy、Luis Alegria、Chris Bordonaro、Joe Woods、Larry Felton Evergreen Solar, Inc. 138 Bartlett St., Marlborough, MA 01752, 508-597-2317, agabor@evergreensolar.com Max Davis、Brian Atchley、Tyler Williams GreenMountain Engineering 500 Third St, Suite 265, San Francisco, CA 94107 摘要：降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺导致硅片和电池厚度不断减小。工艺、材料和处理设备必须进行调整以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将电线焊接到电池上是变得更具挑战性的步骤之一。电池可能在加工过程中破裂，或者由于加工过程中的损坏导致模块破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 开发了有助于优化工艺、设备和材料的工具，并开发了改进的模块级裂纹检测方法。在本文中，我们描述了一种电池破损强度测试仪，我们将其构建为一种快速反馈和质量控制工具，用于改进和监控焊接过程。我们还描述了一种电致发光裂纹检测系统，我们开发该系统是为了快速、无损地对模块中破裂的电池进行成像。有限元建模用于解释为什么与背面相比，在模块的玻璃面上加载时电池更容易破裂。关键词：模块制造、可靠性、焊接 1 简介 降低光伏制造成本的需求加上目前多晶硅原料的短缺，正在推动晶圆和电池厚度的稳步下降。工艺、材料和处理设备必须适应以保持可接受的机械产量和模块可靠性。对于较薄的电池来说，将导线焊接到电池上是更具挑战性的步骤之一。电池可能会在此过程中破裂，或者由于在此过程中造成的损坏，模块随后会破裂。为了在将 String Ribbon 晶圆厚度降至 200 微米以下时保持良好的产量和模块可靠性，Evergreen Solar 正在研究裂纹形成的机制，并正在开发有助于优化工艺和材料的工具，并正在开发模块级裂纹检测的改进方法。