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gan/sic整体双向开关 - A ...
■«X-Technologies» /“ Moon-Shot”技术■«X-Concepts»完全利用基本规模定律和X技术■Power Electronics 1.0电力电子4.0■2…5…5…5…10倍提高10％！
GaN/AlGaN 和 SiC 电子和光子器件中的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已商业化用于电力电子和可见光至紫外发光二极管（例如 GaN/InGaN/AlGaN 材料系统）。对于电力电子应用，SiC MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）和整流器以及 GaN/AlGaN HEMT 和垂直整流器在高功率水平下提供比 Si 器件更高效的切换，现在正用于电动汽车及其充电基础设施。这些器件还可应用于涉及高温和极端环境的电动飞机和太空任务。在本综述中，将它们的固有辐射硬度（定义为对总剂量的耐受性）与 Si 器件进行了比较。宽带隙半导体的固有辐射硬度更高，部分原因是它们产生缺陷的阈值能量（原子键强度）更大，更重要的是因为它们的缺陷复合率高。然而，现在人们越来越认识到，SiC 和 GaN 功率器件中重离子引起的灾难性单粒子烧毁通常发生在电压约为额定值的 50% 时。在高线性能量传输速率和高施加偏压下，离子诱导泄漏发生在外延区域内的临界功率耗散之上。沿离子轨道耗散的功率量决定了漏电流衰减的程度。最终结果是沿离子轨道产生的载流子发生碰撞电离和热失控。发光器件不受这种机制的影响，因为它们是正向偏置的。应变最近也被确定为影响宽带隙器件辐射敏感性的一个参数。
SiC 市场概况及供应链演变
一些中国公司的中文和英文名称并不相同。以下是知名公司中文名称的逐字翻译，方便非中文人士参考。TankeBlue：天科合达 SICC：山东天岳 Synlight：河北通光
在H -BN/SIC异质结构中的扭转界面处的非线性光学
abbit biswas *，rui Xu，Gustavo A. Alvarez，Jin Zhang *，Joyce的Christian-Salamheh，Anand B. Pummirath，Corry Burns，Jordan A. Elkins，Tymophi S. Paykov，Robert Vaggei，A。Glen Birdwell，Mahesh R. Neupnae，Elias J. Garatt，Tony G. Evanov，Bradford b。pate，Yuji Zhao，Hanue Zhu *，Zhiting Tea *，Angel Rubio *和Pulickel M. Ajayan *
基于SIC平台上Fermi级托管障碍二极管的300 GHz频段的低噪声平衡搅拌机
复杂的编码方案，例如正交相移键合和正交振幅调制，由于其较高的频谱效率而被广泛用于宽带无线通信系统中[1，2，3，4]。在这些方案中，正交混合器是向下转换接收到的信号（i）和正交相（q）中间频率（if）信号的关键元素。使用半导体设备[5,6,7,7,8,9]制造此类接收器电路，预计当载体频率较高时，例如在Terahertz（THZ）波范围内，由于在半导体底物上制造的平面波导在thz-Wave范围内变得相当损失和分配。一个基于半导体的设备还需要接线或翻转芯片键[6，13]，通常用石英底物制造的波导耦合器，这些连接可能会导致反射和/或损失高频
optoSiC® 适用于高端激光工艺的 SiC 光学元件
Mersen 制造标准通用“一刀切”XY 激光振镜扫描镜，孔径范围从 4 毫米到 100 毫米，可供单对使用，并配有一系列高品质反射涂层。我们的客户可以选择带或不带胶合安装的镜子，所有标准轴尺寸均可。此外，我们能够根据客户规格制造。我们可应要求提供不同等级 SiC 的 OEM 产品，最大尺寸可达 1000 毫米，几何形状也更大。
通过使用 SmartSiCTM 基板，验证无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性
通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证
SiC 功率器件的可靠性和标准化
Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, john w. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel J. NWaler1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganganguly1,B, daniel J. Lichtenwaner1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDALMOUR1,G Donald A. tyaki ganguly1,b, Daniel J. Lichtenerer1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel NT1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenerer1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, john w. 1,g Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Gangurly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, DANIEL. LichtenWalner1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,f, John W. Palmour1,g
未来一代 MOSFET 的电介质/SiC 接口展望
Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Aaniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，BRETT HULL1，BRETT HULL1，C SCOTT HULL1，C，C，C，C，SCOTT ALLEN1，D. U1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Hull1，C，Scott Allen1，d和John W. John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A* Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1,d，以及 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*，Sei-Hyung Ryu1,b，Brett Hull1,c，Scott Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，B，Brett Hull1，C，Brett Hull1，C，Scott Hull ，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D，D，D。 Our1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和约翰·W·帕尔默1,e
3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
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