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第4个Sicomb通讯
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。
我们的第三期通讯已经发布！
2023 年碳化硅及相关材料国际会议 (ICSCRM2023) 于 2023 年 9 月 17 日至 22 日在意大利索伦托举行。这个著名的会议系列是碳化硅 (SiC) 和相关材料最重要的技术会议系列，每年都会聚集来自企业、学术和公共部门的研究人员和工程师，在国际平台上就当前的科学和技术问题交换意见。今年的 ICSCRM 活动对 SiComb 来说尤其引人注目，因为我们的三位才华横溢的研究人员受邀担任演讲者！SiComb 项目自豪地祝贺 Haiyan Ou (DTU)、Peter Wellmann (FAU) 和 Didier Chaussende (CNRS) 在 ICSCRM2023 上做出的杰出贡献。他们的演讲不仅反映了该项目对推进碳化硅技术的承诺，还凸显了他们在该领域的卓越专业知识和多才多艺。
