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用于微型热电发电机的 Si 和 SiGe 纳米线
在我们的环境中，大量的废热促使人们寻找收集热量的方法。作为一种可靠的供能方式，SiGe 几十年来一直用于太空任务中的热电发电机 (TEG)。最近，微型热电发电机 (µ TEG) 已被证明是一种利用日常废热为物联网 (IoT) 供能的有前途的方式。Si 纳米线和 SiGe 纳米线结合了主要的 CMOS 兼容性以及高电导率和低热导率性能，已成为 µ TEG 的候选材料。本综述全面介绍了 Si、SiGe 纳米线及其用于 µ TEG 的可能性。深入讨论了热电的基本原理、材料、结构、制造、测量和应用。
SIGE HBT和BICMOS技术用于当前和...
摘要本文提供了BICMOS技术到THZ系统集成的总体图片，该图是在欧洲研究项目塔兰托（Taranto）中开发的。提出了欧洲高性能BICMOS技术平台，这些平台具有特殊的优势，可以解决亚毫升波和THZ系列中的应用。审查了技术过程的状态，并检查了整合挑战。对毫米波表征和建模进行了详细讨论，重点是谐波失真分析，功率和噪声测量，分别为190 GHz和325 GHz，以及最高500 GHz的S-参数测量值。活性（HBT）和被动组件的电气紧凑型模块的结果与基准电路块一起呈现，用于模型性验证。启用BICMOS的系统和应用程序，侧重于未来的无线通信系统和高速光传输系统，最终提出了1.55 tbit/s的净数据速率。
Ge/SiGe 型量子喷泉
n 型 Ge/SiGe 量子阱被认为是实现 Si 兼容 THz 激光器的有前途的平台。针对这一材料系统，我们开发了一个数值模型来描述子带间载流子动力学，该动力学在非对称耦合 Ge/SiGe 量子阱中脉冲光激发后恢复平衡。我们考虑了非弹性和弹性散射过程，并研究了不同的量子阱几何形状、掺杂密度和激发方式。在这个配置空间中，我们解开了对每个散射通道整体动力学的影响，并提供了子带间弛豫时间，发现相对于 III-V 基材料，由于相对于 III-V 化合物，电子-声子耦合较弱，因此其值较大。最后，该模型用于研究和优化第一和第二激发子带能级之间的粒子数反转，并评估其对晶格温度的依赖性，为指导即将进行的实验提供了可靠的理论框架。
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
SIGE HBT晶体管选定参数的优化
过去几年已经看到了SIGE异质结双极晶体管（HBT）技术的显着进步。今天，Sige-Base HBTS的使用越来越多地在无线和高速数字通信中流行。在这些晶体管中，带隙分级产生了一个漂移场，这有助于少数载体通过基座运输。这一事实已被用来实现具有高切割频率F t（超过100 GHz）的设备。在文献[1-5]中广泛研究了SIGE HBTS中的基本运输时间的GE PROFE和BASE掺杂量的设计。三角形的ge profle在优化底座中的带隙分级有效，以最大程度地减少t b sige（基本运输时间 - f t中的主要因素）。由于已经检查了指数碱基的掺杂掺杂率和类似的基础[4，5]，我们的目的是对底座中掺杂剂的高斯分布进行处理。在常规设备中，这种分布导致基本运输时间降低[6]，因此估计其对SIGE HBT的影响是有用的。此外，在实际晶体管中，掺杂填充物比高斯分布更接近于指数。对SIGE HBT的两个重要参数进行了建模，即基本运输时间和当前增益。模型不仅是高掺杂效应的，而且还依赖于di usion系数的依赖性对漂移轨道和沿基数的可变GE浓度。基础中的两种类型的GE分布进行了检查：三角形的一个和框一[4，7]。
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
IHP 为研究合作伙伴和客户提供其强大的 SiGe:C BiCMOS 技术和特殊集成 RF 模块。这些技术特别适合更高 GHz 频段的应用（例如无线、宽带、雷达）。它们提供截止频率高达 500 GHz 的集成 HBT，包括互补设备。• 适用于光纤、航空航天、宽带和无线通信、雷达、数据中心、测量设备、太赫兹成像、电子健康领域的产品
基于脉冲拉伸逆变器链的粒子检测器
>×ŝnŝnjIHP是德国研发机构，专注于无线和宽带通信。核心竞争力是：•混合信号过程技术•RF和数字电路设计•通信ɛ系统IHP IHP正在运行8英寸的飞行线，该线位于1,000平方米级级别的清洁室中。几个0.25 µm和0.13 µm SIGE：C BICMOS技术可用。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。 IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。 在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。
基于 Si/SiGe 的单晶体管存储器...
存储单元：• 可能实现高能效、可扩展性和集成密度，• 将与 CMOS 集成用于控制和读出电子设备 - 根据量子计算的需求设计和制造存储阵列，旨在满足需要在宽温度范围内操作的神经形态计算应用。
SiGe 上的三维自排序多层 Ge 纳米点
采用减压化学气相沉积法在 Si 0.4 Ge 0.6 虚拟衬底（VS）上循环外延生长 Ge/SiGe 超晶格，制备了三维（3D）自有序 Ge 纳米点。Ge 纳米点采用 Stranski-Krastanov 机理形成。通过 Ge/SiGe 超晶格沉积，分别获得了沿垂直和横向的点上点排列和〈100〉排列。研究了 Ge 纳米点的刻面和生长机制以及排列的关键因素。观察到两种类型的 Ge 纳米点：由 {105} 面组成的类金刚石纳米点和由 {113} 和 {519} 或 {15 3 23} 面组成的圆顶状纳米点。Ge 纳米点倾向于直接在前一周期的纳米点上方生长，因为这些区域表现出由埋藏的纳米点引起的相对较高的拉伸应变。因此，这种点对点对准对 SiGe 间隔层厚度很敏感，并且当 SiGe 间隔层变厚时，这种对准会变差。由于超晶格和 VS 之间的应变平衡，SiGe 间隔层中 45% 至 52% 的 Ge 含量会影响 Ge 纳米点的横向对准和尺寸均匀性。通过保持应变平衡，可以改善 3D 对准 Ge 纳米点的排序。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当引用。[DOI：10.1149/ 2162-8777/acce06 ]