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Ge/SiGe 型量子喷泉
n 型 Ge/SiGe 量子阱被认为是实现 Si 兼容 THz 激光器的有前途的平台。针对这一材料系统，我们开发了一个数值模型来描述子带间载流子动力学，该动力学在非对称耦合 Ge/SiGe 量子阱中脉冲光激发后恢复平衡。我们考虑了非弹性和弹性散射过程，并研究了不同的量子阱几何形状、掺杂密度和激发方式。在这个配置空间中，我们解开了对每个散射通道整体动力学的影响，并提供了子带间弛豫时间，发现相对于 III-V 基材料，由于相对于 III-V 化合物，电子-声子耦合较弱，因此其值较大。最后，该模型用于研究和优化第一和第二激发子带能级之间的粒子数反转，并评估其对晶格温度的依赖性，为指导即将进行的实验提供了可靠的理论框架。
基于脉冲拉伸逆变器链的粒子检测器
>×ŝnŝnjIHP是德国研发机构，专注于无线和宽带通信。核心竞争力是：•混合信号过程技术•RF和数字电路设计•通信ɛ系统IHP IHP正在运行8英寸的飞行线，该线位于1,000平方米级级别的清洁室中。几个0.25 µm和0.13 µm SIGE：C BICMOS技术可用。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。 IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。 在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
IHP 为研究合作伙伴和客户提供其强大的 SiGe:C BiCMOS 技术和特殊集成 RF 模块。这些技术特别适合更高 GHz 频段的应用（例如无线、宽带、雷达）。它们提供截止频率高达 500 GHz 的集成 HBT，包括互补设备。• 适用于光纤、航空航天、宽带和无线通信、雷达、数据中心、测量设备、太赫兹成像、电子健康领域的产品
Ti/Sige和Co
研究了Ti和Co与Si，_。，GE，底物反应的形成和稳定性。对于Ti/Sige系统，当C.54 Ti（Si，YGE，）2层形式时，GE索引>'最初与Si， - ，GE，基板的GE索引相同（即.v = x）。之后，从底物从底物通过晶格和晶粒结构扩散延伸到C54层中。散布到C54晶格中的一些Si取代了晶格中的GE，而C54 Ti（Si，_ ,, ge ,,）z变得富含硅（即y 对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。 随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。 对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。 发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。 我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）驱动的。 co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。对于CO/SIGE系统，确定富含硅的CO（SIL _，ge，）层以-400“ C分叉。随着退火温度的升高，反应层变得更加富集。对于这两种材料系统，富含GE的Si， - ：GE; （z> x）观察到岛屿。发现，对于Co/Si，_。，GE，反应层由COSI组成，而Si，_：Gez高温退火后（= 700“ C）。我们建议这些过程是由C54 Ti（Si， - ，GE，）的晶体能量降低，Ti/Sige系统中的相位和CO（SI， - - ，GE，）co/sige系统中的阶段，伴随GE用Si替换。
SIGE HBT晶体管选定参数的优化
过去几年已经看到了SIGE异质结双极晶体管（HBT）技术的显着进步。今天，Sige-Base HBTS的使用越来越多地在无线和高速数字通信中流行。在这些晶体管中，带隙分级产生了一个漂移场，这有助于少数载体通过基座运输。这一事实已被用来实现具有高切割频率F t（超过100 GHz）的设备。在文献[1-5]中广泛研究了SIGE HBTS中的基本运输时间的GE PROFE和BASE掺杂量的设计。三角形的ge profle在优化底座中的带隙分级有效，以最大程度地减少t b sige（基本运输时间 - f t中的主要因素）。由于已经检查了指数碱基的掺杂掺杂率和类似的基础[4，5]，我们的目的是对底座中掺杂剂的高斯分布进行处理。在常规设备中，这种分布导致基本运输时间降低[6]，因此估计其对SIGE HBT的影响是有用的。此外，在实际晶体管中，掺杂填充物比高斯分布更接近于指数。对SIGE HBT的两个重要参数进行了建模，即基本运输时间和当前增益。模型不仅是高掺杂效应的，而且还依赖于di usion系数的依赖性对漂移轨道和沿基数的可变GE浓度。基础中的两种类型的GE分布进行了检查：三角形的一个和框一[4，7]。